Surface-pyramid-induced strain relaxation in (110)-oriented SiGe thin films revealed by Micro-Raman spectroscopy 査読

Yuta Ito, Koji Usuda, Kiu Inami, Naoto Kumagai, Toshifumi Irisawa, Atsushi Ogura

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   209   2026年7月

CVD-SiGe/Si(110)構造における SiGe 層の臨界膜厚のGe濃度依存性

臼田宏治, 伊波希宇, 熊谷直人, 熊谷直人, 入沢寿史, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73th 2026年   2025年3月

化学気相成長法によるSi(110)オフ角度基板上SiGe薄膜成長の異方性評価

伊波希宇, 伊波希宇, 臼田宏治, 熊谷直人, 熊谷直人, 入沢寿史, 入沢寿史, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

ラマン分光法による表面ラフネスが(110)Si基板上SiGeエピ薄膜の歪に及ぼす影響の評価

伊藤佑太, 伊藤佑太, 伊波希宇, 伊波希宇, 臼田宏冶, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年

SiGe/Si(110)構造におけるSiGe薄膜の臨界膜厚評価方法の検討

臼田宏治, 伊波希宇, 伊波希宇, 熊谷直人, 熊谷直人, 入沢寿史, 入沢寿史, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   86th   2025年