学位
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博士(工学) ( 大阪府立大学 )
2026/06/16 更新
博士(工学) ( 大阪府立大学 )
電子・電気材料
金属
電気・電子材料(半導体、誘電体、磁性体、超誘電体、有機物、絶縁体、超伝導体など)
半導体界面
ワイドバンドギャップ半導体
ワイドバンドギャップ
センサー
半導体物性
ナノテク・材料 / 複合材料、界面
ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学
ナノテク・材料 / 無機材料、物性
大阪府立大学 工学研究科 博士後期課程 物質系専攻機能物質科学
2000年4月 - 2003年3月
大阪府立大学 工学研究科 博士前期課程 物質系専攻機能物質科学
1998年4月 - 2000年3月
大阪府立大学 工学部 機能物質科学科
1994年4月 - 1998年3月
国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター ナノ電子デバイス材料グループ グループリーダー
2023年4月 - 現在
国立成功大学(台湾) 材料工学科 非常勤講師
2020年2月 - 2020年7月
国・地域:台湾
明治大学 理工学研究科 客員准教授
2018年4月 - 現在
物質・材料研究機構 機能性材料研究拠点 ナノ電子デバイス材料グループ グループリーダー
2018年4月 - 2023年3月
千葉大学 非常勤講師
2016年4月 - 2016年9月
科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 さきがけ研究者
2014年10月 - 2018年3月
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点半導体デバイス材料グループ MANA研究者
2011年4月 - 2018年3月
物質・材料研究機構 半導体材料センター半導体デバイス材料開発グループ 主任研究員
2010年4月 - 2011年3月
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 工学部 客員研究員
2008年7月 - 2009年11月
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所 研究員
2006年4月 - 2010年3月
物質・材料研究機構 ナノマテリアル研究所 特別研究員
2005年4月 - 2006年3月
独立行政法人科学技術振興機構 戦略的創造事業 特別研究員
2003年4月 - 2005年3月
応用物理学会
応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジ-研究会 副実行委員長
2019年3月 - 現在
団体区分:学協会
Compound Semiconductor Week 2019プログラム委員
2018年9月 - 現在
団体区分:学協会
応用物理学会 第24回電子デバイス界面テクノロジ-研究会 実行委員長
2018年4月 - 2019年3月
団体区分:学協会
応用物理学会 第23回電子デバイス界面テクノロジ-研究会プログラム委員長
2017年4月 - 2018年3月
団体区分:学協会
The International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC) プログラム委員
2017年1月 - 現在
団体区分:学協会
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Area8 chair
2016年1月 - 2017年12月
団体区分:学協会
応用物理学会 電子デバイス界面テクノロジー研究会プログラム委員
2015年4月 - 現在
団体区分:学協会
応用物理学会 ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―
2014年4月 - 2015年3月
団体区分:学協会
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Area8 vice chair
2014年1月 - 2015年12月
団体区分:学協会
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 論文委員
2011年1月 - 2017年12月
団体区分:学協会
応用物理学会 Japan Journal of Applied Physics 特集号論文委員
2011年1月 - 2017年12月
団体区分:学協会
Effects of nitrosyl fluoride based gas treatment on fluorination and redox reaction at GaN surface and Pt/GaN interface 査読 国際誌
Takahiro Nagata, Asahiko Matsuda, Takashi Teramoto, Dominic Gerlach, Peng Shen, Shigenori Ueda, Takako Kimura, Christian Dussarrat, Toyohiro Chikyow
Journal of Applied Physics 137 ( 9 ) 095304 2025年3月
NF3 and F2 gas fluorination of GaN surface and Pt/GaN interface analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy
Asahiko Matsuda, Takashi Teramoto, Takahiro Nagata, Dominic Gerlach, Peng Shen, Shigenori Ueda, Takako Kimura, Christian Dussarrat, Toyohiro Chikyow
Applied Surface Science 659 159941 - 159941 2024年6月
Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(001)
YUHUA TSAI, Yusuke Hashimoto, ZeXu Sun, Takuya Moriki, Takashi Tadamura, Takahiro NAGATA, Piero Mazzolini, Antonella Parisini, Matteo Bosi, Luca Seravalli, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki YAMASHITA
Nano Letters 2024年4月
Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films
Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Koji Kita
Solid-State Electronics 108801 - 108801 2023年10月
Akito Fukui, Keigo Matsuyama, Hiroaki Onoe, Shun Itai, Hidekazu Ikeno, Shunsuke Hiraoka, Kousei Hiura, Yuh Hijikata, Jenny Pirillo, Takahiro Nagata, Kuniharu Takei, Takeshi Yoshimura, Norifumi Fujimura, Daisuke Kiriya
ACS Nano 2023年7月
Ibrahima Gueye, Yasuhiro Shirai, Takahiro Nagata, Takashi Tsuchiya, Dhruba B. Khadka, Masatoshi Yanagida, Okkyun Seo, Kenjiro Miyano, Osami Sakata
Chemistry of Materials 35 ( 5 ) 1948 - 1960 2023年2月
Role of Interface Reaction Layer between Ferroelectric Hfxzr1−Xo2 Thin Film and Tin Electrode on Endurance Properties
Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Koji Kita
2023年
Thermodynamic Interpretation of the Meyer-Neldel Rule Explains Temperature Dependence of Ion Diffusion in Silicate Glass
N. Takamure, X. Sun, T. Nagata, A. Ho-Baillie, N. Fukata, D. R. McKenzie
Physical Review Letters 129 ( 17 ) 2022年10月
Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN
Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita
ACS Applied Electronic Materials 4 ( 9 ) 4719 - 4723 2022年9月
Polarity Control of an All-Sputtered Epitaxial GaN/AlN/Al Film on a Si(111) Substrate by Intermediate Oxidization
Takahiro Nagata, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Liwen Sang, Toyohiro Chikyow
ACS Omega 7 ( 23 ) 19380 - 19387 2022年6月
Effect of reactive gas condition on nonpolar AlN film growth on MnS/Si (100) by reactive DC sputtering
Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Shigenori Ueda, Jun Chen, Kota Tatejima, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata
Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SC ) 2022年5月
Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study of buried interface chemistry of Au/InO1.16C0.04/Al2O3/p<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e385" altimg="si20.svg"><mml:msup><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mo>+</mml:mo></mml:mrow></mml:msup></mml:math>-Si stacks
Ibrahima Gueye, Riku Kobayashi, Shigenori Ueda, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata
Applied Surface Science 593 153272 - 153272 2022年4月
The electrical conductivity of cubic (In<inf>1- x </inf>Ga<inf>x </inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>films ( x ≤ 0.18): Native bulk point defects, Sn-doping, and the surface electron accumulation layer
Alexandra Papadogianni, Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen
Japanese Journal of Applied Physics 61 ( 4 ) 2022年4月
Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In1-x Gax)2 O3 films (x≤0.18): Structural properties and consequences of compositional inhomogeneity
Alexandra Papadogianni, Charlotte Wouters, Robert Schewski, Johannes Feldl, Jonas Lähnemann, Takahiro Nagata, Elias Kluth, Martin Feneberg, Rüdiger Goldhahn, Manfred Ramsteiner, Martin Albrecht, Oliver Bierwagen
Physical Review Materials 6 ( 3 ) 2022年3月
Combinatorial Synthesis and Interface Analysis for Development of High Dielectric Constant Thin Films
Takahiro Nagata, Somu Kumaragurubaran, Kenichiro Takahashi, Sung Gi Ri, Toyohiro Chikyow
ECS Transactions 108 ( 2 ) 61 - 68 2022年
Erratum: Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN (ACS Appl. Electron. Mater. (2022) 4 : 9 (4719−4723) DOI: 10.1021/acsaelm.2c00912)
Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita
ACS Applied Electronic Materials 4 ( 10 ) 5087 - 4723 2022年
Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga)<inf>2</inf>O<inf>3</inf> alloy films
Johannes Feldl, Martin Feneberg, Alexandra Papadogianni, Jonas Lähnemann, Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Rüdiger Goldhahn, Manfred Ramsteiner
Applied Physics Letters 119 ( 4 ) 2021年7月
Evidence-based recommender system for high-entropy alloys
Minh Quyet Ha, Duong Nguyen Nguyen, Viet Cuong Nguyen, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Hiori Kino, Takashi Miyake, Thierry Denœux, Van Nam Huynh, Hieu Chi Dam
Nature Computational Science 1 ( 7 ) 470 - 478 2021年7月
Effects of Zn x Mn1−x S buffer layer on nonpolar AlN growth on Si (100) substrate
Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata
Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SC ) 2021年6月
Effects of low temperature buffer layer on all-sputtered epitaxial GaN/AlN film on Si (111) substrate
Takahiro Nagata, Yuya Suemoto, Yoshihiro Ueoka, Masami Mesuda, Liwen Sang, Toyohiro Chikyow
Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SC ) 2021年6月
Accelerating two-dimensional X-ray diffraction measurement and analysis with density-based clustering for thin films
Akihiro Yamashita, Takahiro Nagata, Shinjiro Yagyu, Toru Asahi, Toyohiro Chikyow
Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年6月
Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress
Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura
Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SC ) 2021年6月
Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1-x</inf>O<inf>2</inf>thin films using synchrotron x-ray analysis
Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura
APL Materials 9 ( 3 ) 2021年3月
Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro NAGATA, Kazuhito TSUKAGOSHI, Atsushi Ogura
Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 3 ) 2021年1月
Combinatorial Synthesis Applied to the Development of Thin Film Materials for Nanoelectronics
Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow
Functional Thin Films Technology 1 - 20 2021年1月
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO(001) films: Metastability, hole transport properties, Seebeck coefficient, and effective hole mass
Melanie Budde, Piero Mazzolini, Johannes Feldl, Christian Golz, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda, Georg Hoffmann, Fariba Hatami, W. Ted Masselink, Manfred Ramsteiner, Oliver Bierwagen
Physical Review Materials 4 ( 12 ) 2020年12月
Exploring the First High-Entropy Thin Film Libraries: Composition Spread-Controlled Crystalline Structure
Thi Xuyen Nguyen, Yen Hsun Su, Jason Hattrick-Simpers, Howie Joress, Takahiro Nagata, Kao Shuo Chang, Suchismita Sarker, Apurva Mehta, Jyh Ming Ting
ACS Combinatorial Science 22 ( 12 ) 858 - 866 2020年12月
Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1-xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition
Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura
APPLIED PHYSICS LETTERS 117 ( 23 ) 2020年12月
Valence Band Modification of a (Ga<inf>x</inf>In<inf>1-x</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>Solid Solution System Fabricated by Combinatorial Synthesis
Takahiro Nagata, Takeshi Hoga, Akihiro Yamashita, Toru Asahi, Shinjiro Yagyu, Toyohiro Chikyow
ACS Combinatorial Science 22 ( 9 ) 433 - 439 2020年9月
Dual-Heteroatom-Doped Reduced Graphene Oxide Sheets Conjoined CoNi-Based Carbide and Sulfide Nanoparticles for Efficient Oxygen Evolution Reaction. 国際誌
Mohamed Barakat Zakaria, Dehua Zheng, Ulf-Peter Apfel, Takahiro Nagata, El-Refaie S Kenawy, Jianjian Lin
ACS applied materials & interfaces 12 ( 36 ) 40186 - 40193 2020年9月
Band alignment at non-polar AlN/MnS interface investigated by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読
Kazunori Kurishima, Kota Tatejima, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow, Takahiro Nagata
Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) 2020年6月
Development of New High-Dielectric Constant Thin Films By Combinatorial Synthesis
Takahiro Nagata
ECS Transactions 97 ( 1 ) 61 - 66 2020年4月
Improvement of ferroelectricity and fatigue property of thicker HfxZr1−xO2/ZrO2 bi-layer
T. Onaya, T. Nabatame, M. Inoue, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, N. Sawamoto, T. Nagata, J. Kim, A. Ogura
ECS Transactions 98 ( 3 ) 63 - 70 2020年
Photoelectron spectroscopic study on electronic state of corundum In<inf>2</inf>O<inf>3</inf> epitaxial thin film grown by mist-CVD
Takahiro Nagata, Tomohiro Yamaguchi, Shigenori Ueda, Wei Yi, Jun Chen, Takuya Kobayashi, Hirokazu Yokoo, Tohru Honda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow
Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) 2020年
Yasuhara, Y., Kurishima, K., Chikyow, T., Ogura, A., Nagata, T.
Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) 2020年
Gold nanoparticles anchored on mesoporous zirconia thin films for efficient catalytic oxidation of carbon monoxide at low temperatures
Mohamed Barakat Zakaria, Victor Malgras, Takahiro Nagata, Jeonghun Kim, Yoshio Bando, Amanullah Fatehmulla, Abdullah M. Aldhafiri, W. Aslam Farooq, Yohei Jikihara, Tsuruo Nakayama, Yusuke Yamauchi, Jianjian Lin
Microporous and Mesoporous Materials 288 2019年11月
Photoelectroscopic Study of Mn Barrier Layer on SiO<inf>2</inf> for Si Wafer Bonding Process
Takahiro Nagata, Kazumichi Tsumura, Kenro Nakamura, Kengo Uchida, Jin Kawakita, Toyohiro Chikyow, Kazuyuki Higashi
IEEE 2019 International 3D Systems Integration Conference, 3DIC 2019 2019年10月
Mesostructured HfO2/Al2O3 Composite Thin Films with Reduced Leakage Current for Ion-Conducting Devices
Mohamed Barakat Zakaria, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow
ACS OMEGA 4 ( 12 ) 14680 - 14687 2019年9月
Molecular magnetic thin films made from Ni-Co Prussian blue analogue anchored on silicon wafers
Mohamed B. Zakaria, Alexei A. Belik, Takahiro Nagata, Toshiaki Takei, Satoshi Tominaka, Toyohiro Chikyow
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS 486 2019年9月
Photoelectron spectroscopic study on electronic state and electrical properties of SnO2 single crystals 査読
Nagata Takahiro, Bierwagen Oliver, Galazka Zbigniew, Ueda Shigenori, Imura Masataka, Yamashita Yoshiyuki, Chikyow Toyohiro
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( 8 ) 2019年8月
Spectroscopic observation of the interface states at the SiO<inf>2</inf>/4H-SiC(0001) interface
Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 17 56 - 60 2019年7月
Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3 査読
Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura
ECS Transactions 92 ( 3 ) 3 - 13 2019年7月
Photoelectron spectroscopic study of electronic states and surface structure of an in situ cleaved In2O3 (111) single crystal 査読
Nagata Takahiro, Bierwagen Oliver, Galazka Zbigniew, Imura Masataka, Ueda Shigenori, Yamashita Yoshiyuki, Chikyow Toyohiro
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SD ) 2019年6月
Effects of substrate self-bias and nitrogen flow rate on non-polar AlN film growth by reactive sputtering 査読
Tatejima Kota, Nagata Takahiro, Ishibashi Keiji, Takahashi Kenichiro, Suzuki Setsu, Ogura Atsushi, Chikyow Toyohiro
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SD ) 2019年6月
Effect of N plasma treatment in Cu/SiO hybrid bonding using ultra-thin manganese film
Kazumichi Tsumura, Kengo Uchida, Kenro Nakamura, Takahiro Nagata, Kazuyuki Higashi, Akihiro Kojima, Hideki Shibata
Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019 12 2019年5月
Crystal growth of a MnS buffer layer for non-polar AIN on Si (100) deposited by radio frequency magnetron sputtering 査読
Tatejima Kota, Nagata Takahiro, Ishibashi Keiji, Takahashi Kenichiro, Suzuki Setsu, Ogura Atsushi, Chikyow Toyohiro
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SB ) 2019年4月
Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface 査読
Indari Efi Dwi, Yamashita Yoshiyuki, Hasunuma Ryu, Nagata Takahiro, Ueda Shigenori, Yamabe Kikuo
AIP ADVANCES 9 ( 4 ) 2019年4月
K.Kurishima, T.Nabatame, T.Onaya, K.Tsukagoshi, A.Ohi, N.Ikeda, T.Nagata, A.Ogura
2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 74 - 76 2019年3月
Improvement in ferroelectricity of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1-x</inf>O<inf>2</inf> thin films using top- and bottom-ZrO<inf>2</inf> nucleation layers 査読
Onaya, T., Nabatame, T., Sawamoto, N., Ohi, A., Ikeda, N., Nagata, T., Ogura, A.
APL Materials 7 ( 6 ) 2019年
Ferroelectricity of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1−x</inf>O<inf>2</inf> thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition 査読
Onaya, T., Nabatame, T., Sawamoto, N., Ohi, A., Ikeda, N., Nagata, T., Ogura, A.
Microelectronic Engineering 215 2019年
Study of Sn and Mg doping effects on TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis 査読
Takahiro Nagata, Yoshihisa Suzuki, Yoshiyuki Yamashita, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow
Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 4 ) 2018年4月
Solid State Devices and Materials FOREWORD 査読
Kageshima Hiroyuki, Hosoi Takuji, Iwamoto Satoshi, Arie Takayuki, Fujino Masahisa, Fukuzaki Yuzo, Harada Syunta, Ikegami Masashi, Iwamuro Noriyuki, Johguchi Koh, Kakushima Kuniyuki, Kanaya Haruichi, Kikuchi Akihiko, Kinoshita Kentaro, Kuroda Rihito, Kurokawa Yasuyoshi, Maehashi Kenzo, Maekawa Keiichi, Makino Toshiharu, Matsushima Toshinori, Miyata Toshitaka, Morioka Hiroshi, Morioka Hiroshi, Murugesan Mariappan, Nagashio Kosuke, Nagata Takahiro, Nakatsuka Osamu, Nishiyama Nobuhiko, Oiwa Akira, Okada Hiroyuki, Ono Teruo, Sakamoto Toshitsugu, Sakata Toshiya, Shirao Mizuki, Sukegawa Kazuo, Suzuki Toshikazu, Suzuki Hidetoshi, Taima Tetsuya, Tanaka Tetsu, Tatsuoka Kohichi, Tawara Takehiko, Tsuda Kunio, Yamamoto Kazuhiko
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 ( 4 ) 2018年4月
極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析によるHfO<sub>2</sub>/Si基板の分析
荻原俊弥, 長田貴弘, 吉川英樹
Journal of Surface Analysis 24 ( 3 ) 192‐205 2018年3月
Surface and bulk electronic structures of unintentionally and Mg-doped In0.7Ga0.3N epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読
Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Hiroyuki Takeda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, Anli Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Ke Wang, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi
Journal of Applied Physics 123 ( 9 ) 2018年3月
Chemical Synthesis of Multilayered Nanostructured Perovskite Thin Films with Dielectric Features for Electric Capacitors 査読
Mohamed Barakat Zakaria, Takahiro Nagata, Asahiko Matsuda, Yudai Yasuhara, Atsushi Ogura, Md. Shahriar A. Hossain, Motasim Billah, Yusuke Yamauchi, Toyohiro Chikyow
ACS APPLIED NANO MATERIALS 1 ( 2 ) 915 - 921 2018年2月
T. Onaya, T. Nabatame, N. Sawamoto, K. Kurishima, A. Ohi, N. Ikeda, T. Nagata, A. Ogura
ECS Transactions 86 ( 6 ) 31 - 38 2018年1月
Kurishima Kazunori, Nabatame Toshihide, Onaya Takashi, Tsukagoshi Kazuhito, Ohi Akihiko, Ikeda Naoki, Nagata Takahiro, Ogura Atsushi
ECS Transactions 86 ( 11 ) 135 - 145 2018年
Ferroelectric-assisted gold nanoparticles array for centimeter-scale highly reproducible SERS substrates 査読
Xiaoyan Liu, Minoru Osada, Kenji Kitamura, Takahiro Nagata, Donghui Si
SCIENTIFIC REPORTS 7 2017年6月
Effect of Y and Mn doping into rutile type TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis 査読
Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 6 ) 2017年6月
Crystallographic polarity effect of ZnO on thin film growth of pentacene 査読
Tatsuru Nakamura, Takahiro Nagata, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba, Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, Yutaka Wakayama
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 4 ) 2017年4月
Surface and bulk electronic structures of heavily Mg-doped InN epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読
Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, Anli Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Ke Wang, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121 ( 9 ) 2017年3月
Photoelectron spectroscopic study on monolayer pentacene thin-film/polar ZnO single-crystal hybrid interface 査読
Takahiro Nagata, Tatsuru Nakamura, Ryoma Hayakawa, Takeshi Yoshimura, Seungjun Oh, Nobuya Hiroshiba, Toyohiro Chikyow, Norifumi Fujimura, Yutaka Wakayama
APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 ( 2 ) 2017年2月
Photoelectron spectroscopic study of electronic state and surface structure of In2O3 single crystals 査読
Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Masataka Imura, Shigenori Ueda, Hideki Yoshikawa, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow
APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 ( 1 ) 2017年1月
オペランド硬X線光電子分光法によるSiO<sub>2</sub>/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測
山下良之, 蓮沼隆, 長田貴弘, 知京豊祐
表面科学 38 ( 7 ) 347‐350(J‐STAGE) - 350 2017年
Contacting ZnO Individual Crystal Facets by Direct Write Lithography 査読
Nikolay Petkov, Janos Volk, Robert Erdelyi, Istvan Endre Lukacs, Takahiro Nagata, Chris Sturm, M. Grundmann
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 8 ( 36 ) 23891 - 23898 2016年9月
Bottom-electrode effect on switching behavior and interface reaction in nanoionic-based resistive changing memory 査読
Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Kazuyoshi Kobashi, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 8 ) 2016年8月
Interface stability of electrode/Bi-containing relaxor ferroelectric oxide for high-temperature operational capacitor 査読
Takahiro Nagata, Somu Kumaragurubaran, Yoshifumi Tsunekawa, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Setsu Suzuki, Seungjun Oh, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 6 ) 2016年6月
Thin-film growth of (110) rutile TiO2 on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition 査読
Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 6 ) 2016年6月
Screening charge localization at LiNbO3 surface with Schottky junction 査読
Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Kenji Kitamura
APPLIED PHYSICS LETTERS 108 ( 17 ) 2016年4月
Interfacial charge transfer behavior of conducting polymers as contact electrode for semiconductor devices 査読
Jin Kawakita, Yuki Fujikawa, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 4 ) 2016年4月
Arbitrary cross-section SEM-cathodoluminescence imaging of growth sectors and local carrier concentrations within micro-sampled semiconductor nanorods 査読
Kentaro Watanabe, Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yutaka Wakayama, Takashi Sekiguchi, Janos Volk, Yoshiaki Nakamura
NATURE COMMUNICATIONS 7 2016年2月
Direct Observation of Energy Distribution of Interface States at SiO2/4H-SiC Interface 査読
Y. Yamashita, R. Hasunuma, T. Nagata, T. Chikyow
GALLIUM NITRIDE AND SILICON CARBIDE POWER TECHNOLOGIES 6 75 ( 12 ) 207 - 211 2016年
Hard X-ray photoelectron spectroscopic study on high-k dielectrics based resistic random access memory 査読
T. Nagata, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, T. Chikyow
ECS Transactions 75 ( 32 ) 39 - 47 2016年
オペランド光電子分光法によるSiO2/SiC界面準位のエネルギー分布観測
山下 良之, 蓮沼 隆, 長田 貴弘, 知京 知京
表面科学学術講演会要旨集 36 406 - 406 2016年
強誘電体分極・表面電荷を用いたπ電子材料の機能制御と電界効果素子の開発
長田貴弘, 北村健二
村田学術振興財団年報 ( 29-2 ) 266‐273 2015年12月
Epitaxial growth of high dielectric constant lead-free relaxor ferroelectric for high-temperature operational film capacitor 査読
Somu Kumaragurubaran, Takahiro Nagata, Yoshifumi Tsunekawa, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow
THIN SOLID FILMS 592 29 - 33 2015年10月
Ge incorporated epitaxy of (110) rutile TiO2 on (100) Ge single crystal at low temperature by pulsed laser deposition 査読
Takahiro Nagata, Kazuyoshi Kobashi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Chinnamuthu Paulsamy, Yoshihisa Suzuki, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow
THIN SOLID FILMS 591 105 - 110 2015年9月
Altering properties of cerium oxide thin films by Rh doping 査読
Klara Sevcikova, Vaclav Nehasil, Mykhailo Vorokhta, Stanislav Haviar, Vladimir Matolin, Iva Matolinova, Karel Masek, Igor Pis, Keisuke Kobayashi, Masaaki Kobata, Takahiro Nagata, Yoshitaka Matsushita, Hideki Yoshikawa
MATERIALS RESEARCH BULLETIN 67 5 - 13 2015年7月
Heteroepitaxial growth of nonpolar Cu-doped ZnO thin film on MnS-buffered (100) Si substrate 査読
Tatsuru Nakamura, Nam Nguyen, Takahiro Nagata, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Keiji Ishibashi, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 6 ) 2015年6月
Combinatorial synthesis of BaTiO3-Bi( Mg2/3Nb1/3)O-3 thin-films for high-temperature capacitors 査読
Somu Kumaragurubaran, Takahiro Nagata, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Yoshifumi Tsunekawa, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 6 ) 2015年6月
Bias induced Cu ion migration behavior in resistive change memory structure observed by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読
Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Kazuyoshi Kobashi, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 6 ) 2015年6月
Combinatorial synthesis of BaTiO
Kumaragurubaran Somu, Nagata Takahiro, Takahashi Kenichiro, Ri Sung-Gi, Tsunekawa Yoshifumi, Suzuki Setsu, Chikyow Toyohiro
Jpn. J. Appl. Phys. 54 ( 6 ) 06FJ02 2015年4月
BaTiO3 based relaxor ferroelectric epitaxial thin-films for high-temperature operational capacitors 査読
Somu Kumaragurubaran, Takahiro Nagata, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Yoshifumi Tsunekawa, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 4 ) 2015年4月
Band-Gap Deformation Potential and Elasticity Limit of Semiconductor Free-Standing Nanorods Characterized in Situ by Scanning Electron Microscope-Cathodoluminescence Nanospectroscopy 査読
Kentaro Watanabe, Takahiro Nagata, Yutaka Wakayama, Takashi Sekiguchi, Robert Erdelyi, Janos Volk
ACS NANO 9 ( 3 ) 2989 - 3001 2015年3月
BaTiO
Kumaragurubaran Somu, Nagata Takahiro, Takahashi Kenichiro, Ri Sung-Gi, Tsunekawa Yoshifumi, Suzuki Setsu, Chikyow Toyohiro
Jpn. J. Appl. Phys. 54 ( 4 ) 04DH02 2015年1月
Resolving lateral and vertical structures by ellipsometry using wavelength range scan 査読
P. Petrik, E. Agocs, J. Volk, I. Lukacs, B. Fodor, P. Kozma, T. Lohner, S. Oh, Y. Wakayama, T. Nagata, M. Fried
THIN SOLID FILMS 571 579 - 583 2014年11月
Influence of the substrate choice on the L10 phase formation of post-annealed Pt/Fe and Pt/Ag/Fe thin films 査読
I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, F. Ganss, G. Beddies, M. Albrecht, I. M. Makogon
Journal of Applied Physics 116 ( 4 ) 2014年7月
Highly conductive epitaxial ZnO layers deposited by atomic layer deposition 査読
Zs. Baji, Z. Lábadi, Gy. Molnár, B. Pécz, K. Vad, Z. E. Horváth, P. J. Szabó, T. Nagata, J. Volk
Thin Solid Films 562 485 - 489 2014年7月
Epitaxial growth of nonpolar ZnO and n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterostructure on Si(001) for ultraviolet light emitting diodes 査読
Nam T. Nguyen, Sung-Gi Ri, Takahiro Nagata, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Yoshifumi Tsunekawa, Setsu Suzuki, Toyohiro Chikyow
APPLIED PHYSICS EXPRESS 7 ( 6 ) 2014年6月
ルチル型TiO<sub>2</sub>界面層を用いたHfO<sub>2</sub>/Ge界面構造制御
小橋和義, 長田貴弘, 生田目俊秀, 山下良之, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.18P-D8-4 2014年3月
Photoelectron spectroscopic study on band alignment of poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)/polar-ZnO heterointerface 査読
Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Norihiro Ikeno, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama
THIN SOLID FILMS 554 194 - 198 2014年3月
T. Nagata, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, K. Kobayashi, T. Chikyow
DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 6: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING 61 ( 2 ) 301 - 310 2014年
Tunable and highly reproducible surface-enhanced Raman scattering substrates made from large-scale nanoparticle arrays based on periodically poled LiNbO3 templates 査読
Xiaoyan Liu, Kenji Kitamura, Qiuming Yu, Jiajie Xu, Minoru Osada, Nagata Takahiro, Jiangyu Li, Guozhong Cao
SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 14 ( 5 ) 2013年10月
M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, H. Takeda, M. Y. Liao, A. L. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi
APPLIED PHYSICS LETTERS 103 ( 16 ) 2013年10月
Influence of the annealing atmosphere on the structural properties of FePt thin films 査読
I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, F. Ganss, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, G. Beddies, M. Albrecht, Iu. M. Makogon
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114 ( 16 ) 2013年10月
Combinatorial synthesis of Cu/(TaxNb1-x) 2O5 stack structure for nanoionics-type ReRAM device 査読
Takahiro Nagata, Masamitsu Haemori, Toyohiro Chikyow
ACS Combinatorial Science 15 ( 8 ) 435 - 438 2013年8月
Reduction of interfacial SiO2 at HfO2/Si interface with Ta2O5 cap 査読
Kazuyoshi Kobashi, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114 ( 1 ) 2013年7月
Systematic investigation of surface and bulk electronic structure of undoped In-polar InN epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読
Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Hiroyuki Takeda, Meiyong Liao, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Yasuo Koide, Keisuke Kobayashi, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114 ( 3 ) 2013年7月
Katsumasa Kamiya, Moon Young Yang, Takahiro Nagata, Seong-Geon Park, Blanka Magyari-Köpe, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada, Masaaki Niwa, Yoshio Nishi, Kenji Shiraishi
Physical Review B 87 ( 15 ) 2013年4月
Improving the performance of inorganic-organic hybrid photovoltaic devices by uniform ordering of ZnO nanorods and near-atmospheric pressure nitrogen plasma treatment 査読
Seungjun Oh, Takahiro Nagata, Janos Volk, Yutaka Wakayama
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 113 ( 8 ) 2013年2月
Photoelectron spectroscopic study of band alignment of polymer/ZnO photovoltaic device structure 査読
T. Nagata, S. Oh, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, N. Ikeno, K. Kobayashi, T. Chikyow, Y. Wakayama
APPLIED PHYSICS LETTERS 102 ( 4 ) 2013年1月
Effect of near atmospheric pressure nitrogen plasma treatment on Pt/ZnO interface 査読
Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Tsuyoshi Uehara, Masamitsu Haemori, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 112 ( 11 ) 2012年12月
T. Nagata, S. Oh, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, R. Hayakawa, K. Kobayashi, T. Chikyow, Y. Wakayama
APPLIED PHYSICS LETTERS 101 ( 17 ) 2012年10月
Electron transport in semiconducting SnO2: Intentional bulk donors and acceptors, the interface, and the surface (vol 27, pg 2232, 2012) 査読
Oliver Bierwagen, Takahiro Nagata, Mark E. White, Min-Ying Tsai, James S. Speck
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 27 ( 19 ) 2578 - 2578 2012年10月
Nanoimprint for Fabrication of Highly Ordered Epitaxial ZnO Nanorods on Transparent Conductive Oxide Films 査読
Seungjun Oh, Takahiro Nagata, Janos Volk, Yutaka Wakayama
APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 ( 9 ) 2012年9月
Electron transport in semiconducting SnO2: Intentional bulk donors and acceptors, the interface, and the surface 査読
Oliver Bierwagen, Takahiro Nagata, Mark E. White, Min-Ying Tsai, James S. Speck
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 27 ( 17 ) 2232 - 2236 2012年9月
Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors 査読
Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Takahiro Nagata, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Jun-ichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano
DIAMOND AND RELATED MATERIALS 24 206 - 209 2012年4月
Observation of filament formation process of Cu/HfO2/Pt ReRAM structure by hard x-ray photoelectron spectroscopy under bias operation 査読
Takahiro Nagata, Masamitsu Haemori, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 27 ( 6 ) 869 - 878 2012年3月
Electrical properties and stability of an epitaxial alumina film formed on Cu-9 at. % Al(111) 査読
Michiko Yoshitake, Takahiro Nagata, Weijie Song
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 30 ( 2 ) 2012年2月
Hard X-ray photoemission spectroscopy on band alignment at PEDOT:PSS/ZnO interface 査読
T. Nagata, S. Oh, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, R. Hayakawa, K. Kobayashi, T. Chikyow, Y. Wakayama
Appl. Phys. Lett. 101 173303-1-4 - 173303-1-4 2012年
T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, T. Chikyow
APPLIED PHYSICS LETTERS 99 ( 22 ) 2011年11月
XPS and UPS study on band alignment at Pt-Zn-terminated ZnO(0001) interface 査読
Petr Blumentrit, Michiko Yoshitake, Slavomir Nemsak, Taeyoung Kim, Takahiro Nagata
APPLIED SURFACE SCIENCE 258 ( 2 ) 780 - 785 2011年11月
デバイス動作下硬X線光電子分光法による最先端材料の物性解明
山下 良之, 長田 貴弘, 吉川 英樹, 知京 豊祐, 小林 啓介
表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 32 ( 6 ) 320 - 324 2011年6月
XPS study of Sb-/In-doping and surface pinning effects on the Fermi level in SnO2 (101) thin films 査読
T. Nagata, O. Bierwagen, M. E. White, M. Y. Tsai, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, N. Ohashi, K. Kobayashi, T. Chikyow, J. S. Speck
APPLIED PHYSICS LETTERS 98 ( 23 ) 2011年6月
Investigations into the Impact of the Template Layer on ZnO Nanowire Arrays Made Using Low Temperature Wet Chemical Growth 査読
Robert Erdelyi, Takahiro Nagata, David J. Rogers, Ferechteh H. Teherani, Zsolt E. Horvath, Zoltan Labadi, Zsofia Baji, Yutaka Wakayama, Janos Volk
CRYSTAL GROWTH & DESIGN 11 ( 6 ) 2515 - 2519 2011年6月
Depletion of the In2O3(001) and (111) surface electron accumulation by an oxygen plasma surface treatment 査読
Oliver Bierwagen, James S. Speck, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Keisuke Kobayashi
APPLIED PHYSICS LETTERS 98 ( 17 ) 2011年4月
Effect of UV-ozone treatment on electrical properties of PEDOT:PSS film 査読
Takahiro Nagata, Seungjun Oha, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama
ORGANIC ELECTRONICS 12 ( 2 ) 279 - 284 2011年2月
傾斜機能材料の開発と新展開 コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発
長田貴弘, 知京豊裕
金属 81 ( 1 ) 32 - 37 2011年1月
コンビナトリアル手法を用いたナノエレクトロニクス材料における合金薄膜材料開発 (特集 傾斜機能材料の開発と新展開)
長田 貴弘, 知京 豊裕
金属 81 ( 1 ) 32 - 37 2011年1月
The effect of seed layer crystallinity on the ordered growth of vertically aligned ZnO nanowire arrays 査読
R?bert Erd?lyi, Takahiro Nagata, David J. Rogers, Ferechteh Hosseini Teherani, Zolt?n L?badi, Yutaka Wakayama, J?nos Volk
Crystal Growth and Design 11 2515 - 2519 2011年
New Phases of sp(3)-bonded Boron Nitride Prepared by Photo-Assisted Plasma Processing Methods: The Fundamentals and Applications to Electronic Devices 査読
Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo
INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCES IN CONDENSED AND NANO MATERIALS (ICACNM-2011) 1393 2011年
XPS study on band alignment at Pt-O-terminated ZnO(000(1)over-bar) interface 査読
Taeyoung Kim, Michiko Yoshitake, Shinjiro Yagyu, Slavomir Nemsak, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 42 ( 10-11 ) 1528 - 1531 2010年10月
Oxygen migration at Pt/HfO2/Pt interface under bias operation 査読
T. Nagata, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Iwashita, K. Kobayashi, T. Chikyow
APPLIED PHYSICS LETTERS 97 ( 8 ) 2010年8月
Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride: New Polytypic Forms of sp(3)-Bonded (6H-and 30H-) BN 査読
Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 114 ( 31 ) 13176 - 13186 2010年8月
Schottky barrier height behavior of Pt-Ru alloy contacts on single-crystal n-ZnO 査読
T. Nagata, J. Volk, M. Haemori, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, R. Hayakawa, M. Yoshitake, S. Ueda, K. Kobayashi, T. Chikyow
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107 ( 10 ) 2010年5月
Study of the Au Schottky contact formation on oxygen plasma treated n-type SnO2 (101) thin films 査読
Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Mark E. White, Min-Ying Tsai, James S. Speck
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107 ( 3 ) 2010年2月
Sp(3)-bonded new phases of BN; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications 査読
Shojiro Komastu, Kazuaki Kobayashi, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo
TENCON 2010: 2010 IEEE REGION 10 CONFERENCE 993 - 997 2010年
P-type sp(3)-bonded BN/n-type Si heterodiode solar cell fabricated by laser-plasma synchronous CVD method 査読
Shojiro Komatsu, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Kazunori Koga, Atsushi Yamamoto, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto, Masaharu Shiratani
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 42 ( 22 ) 2009年11月
Non-Alloyed Schottky and Ohmic Contacts to As-Grown and Oxygen-Plasma Treated n-Type SnO2 (110) and (101) Thin Films 査読
Oliver Bierwagen, Mark E. White, Min-Ying Tsai, Takahiro Nagata, James S. Speck
APPLIED PHYSICS EXPRESS 2 ( 10 ) 2009年10月
Surface structure and chemical states of a-plane and c-plane InN films 査読
Takahiro Nagata, Gregor Koblmueller, Oliver Bierwagen, Chad S. Gallinat, James S. Speck
APPLIED PHYSICS LETTERS 95 ( 13 ) 2009年9月
Highly uniform epitaxial ZnO nanorod arrays for nanopiezotronics 査読
J. Volk, T. Nagata, R. Erdélyi, I. Bársony, A. L. Tóth, I. E. Lukács, Zs. Czigány, H. Tomimoto, Y. Shingaya, T. Chikyow
Nanoscale Research Letters 4 ( 7 ) 699 - 704 2009年7月
Effect of Annealing on Mechanical Properties of Materials Formed by Focused Au or Si Ion-Beam-Induced Chemical Vapor Deposition Using Phenanthrene 査読
Takuma Yo, Hideaki Tanaka, Takahiro Nagata, Naoki Fukata, Toyohiro Chikyow, Akira Sakai, Junichi Yanagisawa
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48 ( 6 ) 2009年6月
Impact of Cu Electrode on Switching Behavior in a Cu/HfO2/Pt Structure and Resultant Cu Ion Diffusion 査読
Masamitsu Haemori, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow
APPLIED PHYSICS EXPRESS 2 ( 6 ) 2009年6月
Interface structure and the chemical states of Pt film on polar-ZnO single crystal 査読
T. Nagata, J. Volk, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, M. Haemori, R. Hayakawa, M. Yoshitake, S. Ueda, K. Kobayashi, T. Chikyow
APPLIED PHYSICS LETTERS 94 ( 22 ) 2009年6月
Surface Nitridation of c-Plane Sapphire Substrate by Near-Atmospheric Nitrogen Plasma 査読
Takahiro Nagata, Masamitsu Haemori, Junichiro Anzai, Tsuyoshi Uehara, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48 ( 4 ) 2009年4月
Prediction of iodide adsorption on oxides by surface complexation modeling with spectroscopic confirmation 査読
Takahiro Nagata, Keisuke Fukushi, Yoshio Takahashi
JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE 332 ( 2 ) 309 - 316 2009年4月
Electronic structure analysis of silicon nanowires for high conductivity in n- and p-channel nanowire-FET 査読
Yeonghun Lee, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kenji Shiraishi, Hiroshi Iwai
ECS Transactions 16 ( 40 ) 1 - 5 2009年
Hydrogen effect on near-atmospheric nitrogen plasma assisted chemical vapor deposition of GaN film growth 査読
T. Nagata, M. Haemori, Y. Sakuma, T. Chikyow, J. Anzai, T. Uehara
Journal of Applied Physics 105 ( 6 ) 2009年
Capability of focused Ar ion beam sputtering for combinatorial synthesis of metal films 査読
T. Nagata, M. Haemori, T. Chikyow
Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 27 ( 3 ) 492 - 495 2009年
Effect of Annealing on Implanted Ga of Diamond-Like Carbon Thin Films Fabricated by Focused-Ion-Beam Chemical Vapor Deposition 査読
Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Masamitsu Haemori, Kiyomi Nakajima, Reo Kometani, Kazuhiro Kanda, Shinji Matsui, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 12 ) 9010 - 9012 2008年12月
Annealing Effect of Deposited Materials formed by Focused Au Ion Beam-induced Chemical Vapor Deposition using Phenanthrene 査読
T. Yo, H. Tanaka, T. Nagata, N. Fukata, T. Chikyow, A. Sakai, J. Yanagisawa
Digest of Papers 2008 International Microprocess and Nanotechnology Conference 2008年10月
Thermal stability of Ni silicide films on heavily doped n(+) and p(+) Si substrates 査読
Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai
MICROELECTRONIC ENGINEERING 85 ( 7 ) 1642 - 1646 2008年7月
Characterization of deposited materials formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition using AuSi alloyed metal source 査読
Takuma Yo, Hideaki Tanaka, Kakunen Koreyama, Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Kiyomi Nakajima, Toyohiro Chikyow, Junichi Yanagisawa, Akira Sakai
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 6 ) 5018 - 5021 2008年6月
Fully engineered homoepitaxial zinc oxide nanopillar array for near-surface light wave manipulation 査読
J. Volk, A. Hakansson, H. T. Miyazaki, T. Nagata, J. Shimizu, T. Chikyow
APPLIED PHYSICS LETTERS 92 ( 18 ) 2008年5月
Composition-spread thin films of pentacene and 6,13-pentacenequinone fabricated by using continuous-wave laser molecular beam epitaxy 査読
Seiichiro Yaginuma, Kenji Itaka, Yuji Matsumoto, Tsuyoshi Ohnishi, Mikk Lippmaa, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Hideomi Koinuma
APPLIED SURFACE SCIENCE 254 ( 8 ) 2336 - 2341 2008年2月
Ni silicidation on Heavily Doped Si Substrates 査読
Parhat Ahmet, Takashi Shiozawa, Koji Nagahiro, Takahiro Nagata, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1-4 1296 - + 2008年
Landscape of combinatorial materials exploration and high throughput characterizations for the post-cmos devices
T. Chikyow, K. Ohmori, T. Nagata, N. Umezawa, M. Haemori, M. Yoshitake, T. Hasegawa, H. Koinuma, K. Yamada
International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications, Proceedings 66 - 67 2008年
Crystal structures of Pt-Ru alloy Schottky contacts on ZnO by combinatorial ion beam deposition 査読
Takahiro Nagata, Parhat Ahmet, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 5A ) 2907 - 2909 2007年5月
GaN film fabrication by near-atmospheric plasma-assisted chemical vapor deposition 査読
Takahiro Nagata, Yoshiki Sakuma, Tsuyoshi Uehara, Toyohiro Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 46 ( 1-3 ) L43 - L45 2007年1月
Characterization of deposited materials formed by focused ion beam-induced chemical vapor deposition using an AuSi alloyed metal source 査読
T. Yo, H. Tanaka, K. Koreyama, T. Nagata, Y. Sakuma, K. Nakajima, T. Chikyow, J. Yanagisawa, A. Sakai
Digest of Papers - Microprocesses and Nanotechnology 2007; 20th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, MNC 150 - 151 2007年
Schottky metal library for ZNO-based UV photodiode fabricated by the combinatorial ion beam-assisted deposition 査読
T. Nagata, P. Ahmet, Y. Z. Yoo, K. Yamada, K. Tsutsui, Y. Wada, T. Chikyow
Applied Surface Science 252 ( 7 ) 2503 - 2506 2006年1月
Composition spread metal thin film fabrication technique based on ion beam sputter deposition 査読
P Ahmet, T Nagata, D Kukuruznyak, S Yagyu, Y Wakayama, M Yoshitake, T Chikyow
APPLIED SURFACE SCIENCE 252 ( 7 ) 2472 - 2476 2006年1月
Three-dimensional GaN nano-structure fabrication by focused ion beam chemical vapor deposition 査読
T. Nagata, P. Ahmet, Y. Yamauchi, Y. Sakuma, T. Sekiguchi, T. Chikyow
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 242 ( 1-2 ) 250 - 252 2006年1月
Combinatorial fabrication and phase diagramming of ternary composition spreads
Parhat Ahmet, Takahiro Nagata, Dmitry Anatolyevich Kukuruznyak, Kenji Ohmori, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai
Proceedings - Electrochemical Society PV 2006-03 215 - 224 2006年
Combinatorial fabrication and characterization of oxide and metal thin film composition spreads
Parhat Ahmet, Takahiro Nagata, Dmitry Anatolyevich Kukuruznyak, Kenji Ohmori, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Toyohiro Chikyow, Hiroshi Iwai
ECS Transactions 2 ( 1 ) 79 - 90 2006年
Electro-optical effect in ZnO:Mn thin films prepared by Xe sputtering 査読
Atsushi Ashida, Takahiro Nagata, Norifumi Fujimura
Journal of Applied Physics 99 ( 1 ) 2006年
Effects of single-crystalline GaN target on GaN thin films in pulsed laser deposition process 査読
T Nagata, YZ Yoo, P Ahmet, T Chikyow
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 11 ) 7896 - 7900 2005年11月
Low-temperature growth of GaN microcrystals from position-controlled Ga droplets arrayed by a low-energy focused ion beam system 査読
T. Nagata, P. Ahmet, T. Sekiguchi, T. Chikyow
Journal of Crystal Growth 283 ( 3-4 ) 328 - 331 2005年10月
GaN nanostructure fabrication by focused-ion-beam-assisted chemical vapor deposition 査読
T Nagata, P Ahmet, Y Sakuma, T Sekiguchi, T Chikyow
APPLIED PHYSICS LETTERS 87 ( 1 ) 2005年7月
Electro-optic effect in ZnO:Mn thin films 査読
T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito
Journal of Alloys and Compounds 371 ( 1-2 ) 157 - 159 2004年5月
The effects of Xe on an rf plasma and growth of ZnO films by rf sputtering 査読
T. Nagata, A. Ashida, N. Fujimura, T. Ito
Journal of Applied Physics 95 ( 8 ) 3923 - 3927 2004年4月
Optical propagation loss of ZnO films grown on sapphire 査読
A. Ashida, H. Ohta, T. Nagata, Y. Nakano, N. Fujimura, T. Ito
Journal of Applied Physics 95 ( 4 ) 1673 - 1676 2004年2月
Position controlled GaN nano-structures fabricated by low energy focused ion beam system
Takahiro Nagata, Parhat Ahmet, Takashi Koida, Shigefusa F. Chichibu, Toyohiro Chikyow
Materials Research Society Symposium - Proceedings 792 605 - 609 2003年
Electro-optic effect in epitaxial ZnO:Mn thin films 査読
Takahiro Nagata, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Taichiro Ito
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 41 ( 11 B ) 6916 - 6918 2002年11月
Electro-optic property of ZnO:X (X = Li,Mg) thin films 査読
Takahiro Nagata, Tamaki Shimura, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Taichiro Ito
Journal of Crystal Growth 237-239 ( 1-4 I ) 533 - 537 2002年4月
Ferroelectricity in Li-Doped ZnO:X Thin Films and their Application in Optical Switching Devices
Takahiro Nagata, Tamaki Shimura, Yoshiyuki Nakano, Atsushi Ashida, Norifumi Fujimura, Taichiro Ito
Japanese Journal of Applied Physics 40 ( Part 1, No. 9B ) 5615 - 5618 2001年9月
太陽電池用CuInSe<sub>2</sub>薄膜の機能傾斜化
芦田淳, 長田貴弘, 熊谷倫一, 伊藤太一郎
傾斜機能材料論文集 1999 155 - 158 2000年12月
Oriented growth of CuInSe2 thin films by means of Cu2Se interfaces
A. Ashida, T. Nagata, T. Ito
Materials Science Forum 308-311 301 - 306 1999年
Single Crystals of Electronic Materials -Growth and Properties-
Robert Fornari 監修( 担当: 分担執筆 範囲: Indium Oxide: In2O3)
ELSEVIER 2018年12月 ( ISBN:9780081020975 )
PEDOTの材料物性とデバイス応用
奥崎秀典( 担当: 分担執筆 範囲: 4章 電気特性改善と各種影響因子第4節 UV-オゾンクリーニングのPEDOT/PSS薄膜の電気特性への影響)
サイエンス&テクノロジー刊 2012年3月 ( ISBN:9784864280389 )
RF窒素プラズマ照射によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>の窒素ドーピング
阿多翔大, 市川龍斗, 古川勝裕, 相馬永, 吉村武, 長田貴弘, 山下良之, 小畠雅明, 福田竜生, 藤村紀文
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2025年
細胞培養液中のDMF濃度計測に向けたMoS<sub>2</sub>バイオセンサの開発
福井暁人, 長田貴弘, 土方優, PIRILLO Jenny, 吉村武, 芦田淳, 藤村紀文, 桐谷乃輔
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
InGaNの表面‐バルク電子状態評価
井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th ROMBUNNO.18a‐PB3‐23 2019年9月
Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面‐バルク電子状態変化
井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.17p‐E202‐19 2018年3月
硬X線光電子分光法によるIn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の電子状態評価
長田貴弘, BIERWAGEN O, GALAZKA Z, 上田茂典, 吉川英樹, 井村将隆, 山下良之, OH S, 坂田修身, 知京豊裕
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-PA5-14 2014年9月
HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)
小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 ( 87 ) 25 - 28 2013年6月
極性ZnO基板上におけるペンタセン薄膜の成長モード
中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S. J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕, 若山裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28P-G19-8 2013年3月
低温CVD成膜されたSiO<sub>2</sub>における水素ラジカル処理の効果
土屋佑樹, 池野成裕, 山口拓也, 鈴木摂, 石橋啓司, 長田貴弘, 新船幸二, 吉田晴彦, 佐藤真一, 知京豊裕, 小椋厚志
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd ROMBUNNO.12A-F6-5 2012年8月
極性を有するZnO基板上のペンタセン薄膜の成長過程
中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S. J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD−ROM) 72nd ROMBUNNO.31A-ZQ-6 2011年8月
Zn極性及びO極性ホモエピタキシャルZnO薄膜の表面構造
中村立, 長田貴弘, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年
金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕
日本電子材料技術協会会報 39 28 - 30 2008年11月
柳沼誠一郎, 伊高健治, 松本祐司, 大西剛, LIPPMAA Mikk, 長田貴弘, 知京豊裕, 鯉沼秀臣
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 3 ) 1289 2007年3月
LiNbO<sub>3</sub>の焦電効果によるグラフェンの電気特性制御の検討
安原雄大, 安原雄大, 知京豊裕, 小椋厚志, 長田貴弘
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月
反応性スパッタ法を用いた無極性AlN薄膜成における自己電圧効果の検討
立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 石橋啓次, 高橋健一郎, 高橋健一郎, 鈴木摂, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月
柳生進二郎, 吉武道子, 知京豊裕, 長田貴弘
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月
機械学習による光電子収量分光(PYS)閾値の判定―訓練データによる予測値依存性―
柳生進二郎, 吉武道子, 知京豊裕, 長田貴弘
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月
栗島一徳, 栗島一徳, 栗島一徳, 生田目俊秀, 女屋崇, 女屋崇, 女屋崇, 塚越一仁, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月
ナノZrO<sub>2</sub>核生成層を用いた強誘電体Hf<sub>x</sub>Zr<sub>1-x</sub>O<sub>2</sub>薄膜の作製技術
女屋崇, 女屋崇, 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月
Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面‐バルク電子状態変化
井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 小出康夫, 山口智広, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月
無極性AlN薄膜成長のためのスパッタ法を用いたMnSバッファー層作製条件の検討
立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月
GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討
立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2017年11月
Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討
立島滉大, 立島滉大, 長田貴弘, 石橋啓次, 高橋健一郎, 鈴木摂, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2017年8月
オペランド光電子分光法によるSiO<sub>2</sub>/SiC界面準位のエネルギー分布観測
山下良之, 蓮沼隆, 長田貴弘, 知京豊裕
真空に関する連合講演会講演予稿集 2016年11月
レーザアブレーション法によるGe基板上ルチル型TiO<sub>2</sub>薄膜作製条件の最適化
鈴木良尚, 長田貴弘, 山下良之, 生田目俊秀, 小椋厚志, 知京豊裕
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2016年11月
極低角度入射ビームオージェ深さ方向分析によるHfO<sub>2</sub>薄膜/Si基板構造の分析
荻原俊弥, 長田貴弘, 吉川英樹
日本分析化学会年会講演要旨集 2016年8月
PLDによるルチル型TiO<sub>2</sub>/Ge作製条件の検討
鈴木良尚, 鈴木良尚, 長田貴弘, 山下良之, 生田目俊秀, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月
マテリアルズインフォマティクスとハイスループット材料合成・計測
知京豊裕, 長田貴弘, 山下良之, 吉武道子, 柳生進二郎, 石橋啓次, 高橋健一郎, 李成奇, 鈴木摂
日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM) 2016年3月
Ge上ルチル型TiO<sub>2</sub>層へのアクセプタドープによる絶縁性向上の試み
鈴木良尚, 長田貴弘, 山下良之, PAULSAMY C, 小橋和義, 生田目俊秀, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月
中浦拓也, 中浦拓也, 原田善之, WANG J, 長田貴弘, 関口隆史, 知京豊裕, 鈴木摂, 石垣隆正, 角谷正友
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月
半導体ナノワイヤの変形ポテンシャル・弾性限界のその場顕微分光評価
渡辺健太郎, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史, VOLK Janos
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2015年2月
Si基板上非極性ZnO薄膜のエピタキシャル成長とそのLED特性
中村立, NGUYEN Nam T, 長田貴弘, 知京豊裕, 李成奇, 高橋健一郎, 石橋啓次, 鈴木摂
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2014年11月
知京豊裕, 長田貴弘, 鈴木摂
日本金属学会講演概要(CD-ROM) 2014年9月
硬X線光電子分光法によるIn<sub>2</sub>O<sub>3</sub>単結晶の電子状態評価
長田貴弘, BIERWAGEN O, GALAZKA Z, 上田茂典, 吉川英樹, 井村将隆, 山下良之, OH S, 坂田修身, 知京豊裕
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月
溶液成長ZnOナノロッドの成長モード制御による残留ドナー濃度均一化
渡辺健太郎, OH Seungjun, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史, VOLK Janos
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年9月
ナノプローブCL法によるZnOナノロッドの曲げ変形とバンドギャップの歪シフトのその場評価
渡辺健太郎, VOLK Janos, OH Seungjun, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月
知京豊裕, 長田貴弘, 生田目俊秀, 吉武道子, 柳生進二郎, 大毛利健治
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2014年3月
BaTiO<sub>3</sub>系酸化物を用いた高誘電体材料の開発と高温デバイスへの応用
クマラグルバラン ソム, 長田貴弘, 知京豊裕, 李成奇, 高橋健一郎, 鈴木摂
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2013年11月
新しいものは,ちいさい。ナノエレクトロニクスのための新材料・新機能の創製プロジェクト コンビナトリアル手法による価数制御型酸化物抵抗変化メモリ材料の開発
長田貴弘, 知京豊裕
NIMS NOW 2013年9月
渡辺健太郎, OH Seungjin, VOLK Janos, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年8月
硬X線光電子分光法を用いたMg‐InNのエネルギーバンド分布評価
井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 武田寛之, 小出康夫, YANG A.L, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年8月
北村健二, 長田貴弘, 長田実, LIU X
日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM) 2013年8月
HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)
小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年6月
HfO<sub>2</sub>/Ge界面へのルチル型TiO<sub>2</sub>挿入によるGeO<sub>x</sub>生成の抑制
小橋和義, 長田貴弘, 生田目俊秀, 山下良之, 小椋厚志, 知京豊裕
電子情報通信学会技術研究報告 2013年6月
高度に配向されたZnOナノロッドと大気圧窒素プラズマ表面処理の光電変換デバイスへの影響
OH Seungjun, 長田貴弘, VOLK Janos, 若山裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年3月
知京豊裕, 長田貴弘, 生田目俊英, 山下良之, 関口隆史, JUN Chen, LIU Yongxun, 昌原明植
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年3月
中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S. J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年3月
極低温ナノプローブCL法によるZnOナノワイヤの光学・電気特性評価
渡辺健太郎, VOLK Janos, OH Seungjin, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年3月
硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn<sub>0.70</sub>Ga<sub>0.30</sub>Nの表面‐バルク電子状態評価
井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 武田寛之, 小出康夫, YANG A.L, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2013年3月
長田貴弘, BIERWAGEN O, WHITE M. E, TSAI M.‐Y, 山下良之, 吉川英樹, 大橋直樹, 小林啓介, 知京豊裕, SPECK J. S
エレクトロセラミックス研究討論会講演予稿集 2012年10月
井村将隆, 津田俊輔, 長田貴弘, 小出康夫, YANG AnLi, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 金子昌充, 山口智広, 上松尚, 荒木努, 名西やすし
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月
低温CVD成膜されたSiO<sub>2</sub>における水素ラジカル処理の効果
土屋佑樹, 池野成裕, 山口拓也, 鈴木摂, 石橋啓司, 長田貴弘, 新船幸二, 吉田晴彦, 佐藤真一, 知京豊裕, 小椋厚志
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月
ナノプローブ・カソードルミネッセンス装置の開発と圧電性ナノ材料の応力印加その場評価への応用
渡辺健太郎, VOLK Janos, OH Seungjin, 長田貴弘, 若山裕, 関口隆史
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年8月
長田貴弘, 知京豊裕
NIMS NOW 2012年3月
ナノインプリント法を用いたZnOナノロッドの成長制御と光電変換デバイスへの応用
OH Seungjun, 長田貴弘, VOLK Janos, 若山裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
ナノテクノロジーにおける埋もれた界面の解析のニーズとソリューション
知京豊裕, 生田目俊秀, 長田貴弘, 小橋和義, 池野成裕, 小椋厚志
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
スカベンジング効果を用いたHfO<sub>2</sub>/Si界面のSiO<sub>2</sub>の薄膜化
小橋和義, 長田貴弘, 池野成裕, 小椋厚志, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
長田貴弘, 杉村茂昭, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
吉武道子, 長田貴弘, SONG Weijie, 山内康弘
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S.J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
硬X線光電子分光法を用いたP3HT/ZnO界面のバンドアライメント評価
長田貴弘, OH Seungjun, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 知京豊裕, 若山裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月
吉武 道子, 長田 貴弘, ソン ウェイジェ, 山内 康弘
表面科学学術講演会要旨集 2011年12月
中村立, 長田貴弘, 早川竜馬, OH S. J, 廣芝伸哉, 藤村紀文, 知京豊裕, 若山裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年8月
山下 良之, 長田 貴弘, 吉川 英樹, 知京 豊祐, 小林 啓介
表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 2011年6月
長田貴弘, VOLK Janos, ERDELYI Robert, OH Seungjun, 知京豊裕, BARSONY Istvan, 若山裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年3月
中村立, 長田貴弘, 芦田淳, 吉村武, 藤村紀文
応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2011年3月
スカベンジング効果を用いたHfO<sub>2</sub>/Si界面のSiO<sub>2</sub>の薄膜化
小橋和義, 長田貴弘, 岩下祐太, 池野成裕, 足立哲也, 小椋厚志, 知京豊裕
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2011年
電圧印加硬X線光電子分光法によるReRAM:金属/HfO<sub>2</sub>界面の電子状態評価
長田貴弘, 南風盛将光, 山下良之, 吉川英樹, 小林啓介, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月
UV‐オゾンクリーニングのPEDOT:PSS薄膜の電気特性への影響
長田貴弘, OH Seungjun, 若山裕, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2010年8月
Cu/HfO<sub>2</sub>/Pt構造のパルス電場スイッチング特性
南風盛将光, 田村知大, 長田貴弘, 山部紀久夫, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2009年9月
酸化ハフニウムを固体電解質としたCu/HfO<sub>2</sub>/Pt構造の抵抗スイッチング特性
南風盛将光, 長田貴弘, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2009年3月
金属酸化物を用いた原子スイッチ中間層材料の検討 ([日本電子材料技術協会]第44回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
南風盛 将光, 長田 貴弘, 知京 豊裕
日本電子材料技術協会会報 2008年11月
ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長における水素添加の効果
長田貴弘, 佐久間芳樹, 南風盛将光, 安西純一郎, 上原剛, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008年3月
FIB‐CVD法により堆積したDLC薄膜の熱処理による構造変化
長田貴弘, 佐久間芳樹, 南風盛将光, 中島清美, 米谷玲皇, 米谷玲皇, 神田一浩, 松井真二, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008年3月
高濃度n<sup>+</sup>‐Si及びp<sup>+</sup>‐Si基板上のNiシリサイドの熱安定性の違い
AHMET P, 角嶋邦之, 長田貴弘, 筒井一生, 杉井信之, 知京豊裕, 服部健雄, 岩井洋
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2008年3月
コンビナトリアル手法によるZnO上のPt系合金Schottky電極の作成
長田貴弘, VOLK J, 吉武道子, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2007年9月
新規20プロジェクトの紹介と最近の成果―半導体材料センター―高度な機能性をSiデバイスへ―Si集積回路のための多様な材料研究を目指して―
知京豊裕, 小松正二郎, 吉武道子, 今井基晴, 若山裕, 高見誠一, 阿部英樹, 柳生進二郎, 松井ちさと, 長田貴弘, 梅澤直人, 山下良之
NIMS NOW 2007年4月
ダイレクト式大気圧プラズマCVD法によるGaN薄膜の低温成長
長田貴弘, 佐久間芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2007年3月
松本光正, 末光眞希, 屋良卓也, 上原剛, 中嶋節男, 豊島安健, 知京豊裕, 長田貴弘, 中島清美
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2007年3月
柳沼誠一郎, 伊高健治, 松本祐司, 大西剛, LIPPMAA Mikk, 長田貴弘, 知京豊裕, 鯉沼秀臣
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2007年3月
南風盛将光, 長田貴弘, 知京豊裕
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2007年
次世代集積回路における新材料の開発のトレンド―ナノと異種材料からの発想―
知京豊裕, 長田貴弘, 梅澤直人, 吉武道子, 大毛利健治, 山田啓作, 山部紀久夫, 白石賢二, 渡部平司
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2007年
知京豊裕, 大毛利健治, 南風盛将光, 梅澤直人, 長田貴弘, 中島清美, 岡崎紀明, 長谷川哲也, 鯉沼秀臣
X線分析討論会講演要旨集 2006年10月
集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価 ([日本電子材料技術協会]第42回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史
日本電子材料技術協会会報 2006年10月
レーザー支援プラズマCVD法によるsp<sup>3</sup>‐結合性5H‐BNミクロコーンエミッターの低温成長
田中洋則, 小松正二郎, 風見大介, 長田貴弘, 守吉佑介, 岡田勝行
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006年8月
長田貴弘, 佐久間芳樹, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2006年8月
長田貴弘, 上原剛, 佐久間芳樹, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2006年3月
長田貴弘, 佐久間芳樹, 知京豊裕, 安西純一郎, 功刀俊介, 上原剛
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2006年
芦田淳, 大隈孝仁, 長田貴弘, 藤田章雄, 藤村紀文, 中平敦
日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集 2005年9月
コンビナトリアル手法によるPt‐Ru系Schottky電極の作成
長田貴弘, AHMET P, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2005年9月
長田貴弘, 上原剛, 佐久間芳樹, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2005年9月
長田貴弘, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2005年3月
コンビナトリアル手法によるナノ材料開発と電子デバイスへの応用
知京豊裕, AHMET P, KUKURZNYAK D, 中島清美, 長田貴弘
表面技術協会講演大会講演要旨集 2005年3月
長田貴弘, 佐久間芳樹, 関口隆史, 知京豊弘, 知京豊弘
日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 2005年
コンビナトリアル手法によるZnO‐Schottky素子の作製
長田貴弘, AHMET P, ZO Y Y, 山田啓作, 筒井謙, 和田恭雄, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2004年9月
単結晶ターゲットを用いたパルスレーザー堆積法によるGaN薄膜の作製
長田貴弘, YOO Y Z, PARHAT A, SONG J H, 鯉沼秀臣, 知京豊裕
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2004年3月
長田貴弘, AHMET P, 鯉田崇, 秩父重英, 知京豊裕
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2003年8月
大田博史, 芦田淳, 中野貴之, 長田貴弘, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月
ZnO:X(X=Mn,Li)薄膜のリーク電流特性とその電気光学特性
長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2003年3月
長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2002年9月
スパッタZnO:Liエピタキシャル薄膜のリーク電流特性とその電気光学特性
長田貴弘, 芦田淳, 高木裕司, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2002年3月
高木裕司, 長田貴弘, 中野貴之, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年9月
藤村紀文, 長田貴弘, 芦田淳, 伊藤太一郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年9月
スパッタZnO:X(Li,F)エピタキシャル薄膜のリーク電流特性とその誘電性
長田貴弘, 中野貴之, 高木裕司, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年9月
中野貴之, 長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学会学術講演会講演予稿集 2001年9月
長田貴弘, 芦田淳, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 2001年3月
Ba<sub>0.6</sub>Sr<sub>0.4</sub>TiO<sub>3</sub>スパッタ薄膜中の応力状態解析とその特性への影響
長田貴弘, 外山綱造, 藤村紀文, 伊藤太一郎
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1999年3月
(111)配向β‐Cu<sub>2</sub>Se薄膜を利用した(112)配向CuInSe<sub>2</sub>薄膜の作製
長田貴弘, 芦田淳, 伊藤太一郎
応用物理学関係連合講演会講演予稿集 1998年3月
誘電体膜およびそれを用いたキャパシタならびに誘電体膜の製造方法
長田 貴弘, 知京 豊裕, 安藤 陽, 池田 潤
画像処理方法、画像処理装置、X線回折装置およびプログラム
山下 晶洸, 朝日 透, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 知京 豊裕
積層膜構造体及びその製造方法
土田 裕也, 末本 祐也, 上岡 義弘, 召田 雅実, 倉持 豪人, 長田 貴弘, サン リウエン, 知京 豊裕
磁化測定装置、測定システム及びその測定方法
柳生 進二郎, 三井 正, 長田 貴弘, 知京 豊裕
誘電体膜およびそれを用いたキャパシタならびに誘電体膜の製造方法
長田 貴弘, 知京 豊裕, 安藤 陽
MIS型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット
長田 貴弘, 知京 豊裕
MIS型半導体装置およびその製造方法、並びにその製造に用いるスパッタリングターゲット
長田 貴弘, 知京 豊裕
長田 貴弘, 知京 豊裕
MIS型半導体装置およびその製造方法
長田 貴弘, 知京 豊裕
長田 貴弘, 知京 豊裕
MIS型半導体装置およびその製造方法
長田 貴弘, 知京 豊裕
嘉副 裕, ピホシュ ユーリ, 馬渡 和真, 北森 武彦, 北村 健二, 長田 貴弘, 田畑 修, 土屋 智由
プロトン伝導体および燃料電池
嘉副 裕, ピホシュ ユーリ, 馬渡 和真, 北森 武彦, 北村 健二, 長田 貴弘, 田畑 修, 土屋 智由
長田 貴弘, ソム, クマラグルバラン, 知京 豊裕, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, 恒川 吉文
ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ
長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 知京 豊裕, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, 恒川 吉文
長田 貴弘, 北村 健二
強誘電体キャパシタおよび電子デバイス
長田 貴弘, 北村 健二
強誘電体キャパシタおよび電子デバイス
長田 貴弘, 北村 健二
長田 貴弘, 北村 健二
長田 貴弘, ソム, クマラグルバラン, 知京 豊裕, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, 恒川 吉文
長田 貴弘, ソム, クマラグルバラン, 知京 豊裕, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, 恒川 吉文
表面増強ラマン分光分析用(SERS)基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス
北村 健二, 長田 実, 長田 貴弘, 劉 暁燕, グヲツォンツァオ
表面増強ラマン分光分析用(SERS)基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス
北村 健二, 長田 実, 長田 貴弘, 劉 暁燕, グヲツォンツァオ
sp3−結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。
小松 正二郎, 知京 豊裕, 佐藤 裕平, 平野 大輔, 長田 貴弘
長田 貴弘, 知京 豊裕, 南風盛 将光
長田 貴弘, 知京 豊裕, 上原 剛, 安西 純一郎
長田 貴弘, 知京 豊裕, 上原 剛, 安西 純一郎
長田 貴弘, 知京 豊裕, 上原 剛
The 74th JSPS Autumn Meeting, 2013, Poster Award
2013年10月 応用物理学会 Anisotropic growth of ZnO nanorods and their electrical properties
Outstanding Poster Award (2011)
2011年12月 Materials Research Society Oxygen migration at Pt or Cu/HfO2 interface under bias operation: oxide based ReRAM application
長田貴弘
第43回日本電子材料技術協会秋期講演大会優秀発表賞
2005年10月 日本電子材料技術協会 集束イオンビームCVD法によるGaN立体構造の作製と評価
長田貴弘
データ駆動多次元顕微分光による原子層デバイスの寄生抵抗の解明と制御
研究課題/領域番号:25K01628 2025年4月 - 2028年3月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B)
永村 直佳, 長田 貴弘, LIRAFOGGIATTO ALEXANDRE, 岩崎 拓哉
配分額:18850000円 ( 直接経費:14500000円 、 間接経費:4350000円 )
フッ化物高誘電体材料/半導体界面制御による高機能半導体素子の創出
研究課題/領域番号:20H02188 2020年4月 - 2023年3月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 基盤研究(B)
長田 貴弘
配分額:16250000円 ( 直接経費:12500000円 、 間接経費:3750000円 )
本研究は、我々が提案しているフッ化物薄膜の高誘電体ゲート薄膜材料応用で課題となっている界面欠陥制御とヘテロ界面でのフッ素の果たす役割を明らかにし、それらを制御することでフッ化物が持つ、高誘電性、高絶縁性を活用したの素子の高機能化を目的としている。本研究では、これまでの報告例から比較的高い誘電率(30~50)が期待できるLaF3, CeF3の2種類を基本材料としている。しかし、薄膜化した場合、誘電率は20を超えているが期待される40程度の誘電率と漏れ電流の低減が得られていない。本年度では、漏れ電流特性改善を実現するために膜中欠陥及びヘテロ界面での欠陥制御技術確立のために希土類フッ化物材料の価数制御による欠陥制御を実施した。LaF3では材料の固溶体化によって非晶質・電荷中性化による漏れ電流低減を試みた。固溶体化の検討は、対象材料に価数変動と誘電率の観点からHfF4を用いて、ハイスループット合成・評価技術を用いた。これにより系統的にHf組成比を制御した試料で固溶体の中間組成前後でフッ化物層が非晶質であることを確認した。誘電率は、Hf組成の増加と共に単調減少するが、漏れ電流は、La:Hf比が0.5 前後まで減少し増加に反転する傾向を示した。光電子分光からLa:Hf比が0.4からは欠陥が増加傾向へと反転することを確認した。本HfF4LaF構造ではGaNに対して急峻な界面が形成されたことを確認し、高機能化への可能性を見出した。一方のCeF3はGe基板チャネルでの界面安定性向上に取り組んだ界面に価数変動が少なく熱拡散理論のデータ科学に基づきBaF2フッ化物を導入することでGeの界面拡散に対して界面特性改善の可能性を示す結果を得た。これにより、Ge上のフッ化物でのキャパシタ動作に改善がみられ、素子機能向上を確認した。
両成果によって高機能化の可能性が示され、今後素子評価に取り組む。
強誘電体表面誘起電荷と焦電性を融合したπ電子伝導制御型自立駆動電子素子の創出
研究課題/領域番号:16K06284 2016年4月 - 2019年3月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究C 基盤研究(C)
長田貴弘
担当区分:研究代表者 資金種別:競争的資金
本研究は、多機能強誘電体結晶(LiNbO3、以下LN)を基板とし、光/熱によりに変化する分極・表面電荷(焦電/光起電力効果と表面に誘起されるスクリーン電荷の効果を指す)が、基板上のπ電子系材料の電気特性に及ぼす影響を解明・制御することを目的とした。LN基板にグラフェンを転写した試料の抵抗率の温度依存性を確認した。基板表面処理、電極構造の見直しにより、室温から400℃までの温度変化に対して二桁の抵抗率変化を実現している。LiNbO3の電界によりグラフェン内部にも電界の勾配が形成され、その影響は層数が少なくなるにつれ大きくなり、センサーとして利用するには1~2層の分子層が適当であることが解った。
フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出
2014年10月 - 2018年3月
科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業 さきがけ [素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成]
長田貴弘
担当区分:研究代表者 資金種別:競争的資金
強誘電体分極・表面電荷を用いたπ電子材料の機能制御と電界効果素子の開発
2014年7月 - 2015年6月
公益財団法人村田学術振興財団 平成27年度研究助成
長田貴弘
担当区分:研究代表者 資金種別:競争的資金
酸化物表面誘起電荷を用いたπ電子伝導制御型独立動作電子素子の基礎研究
研究課題/領域番号:26630138 2014年4月 - 2016年3月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究 挑戦的萌芽研究
長田貴弘
担当区分:研究代表者 資金種別:競争的資金
本研究は、結晶構造、イオン性によって電気双極子(分極構造)を持つ強誘電体材料で光や電場、熱によって表面に生じるの電荷(表面電荷)が、強誘電体材料上のπ電子伝導を示す炭素系材料の電気特性に及ぼす影響を検討するとともに、表面電荷を限られた領域に蓄積する制御技術の開発を行った。研究期間では、炭素系材料の導電性を分極と熱の効果で制御することに成功し、電荷蓄積の基礎技術を確立した。これにより、環境エネルギーで動作するセンサー素子応用へ可能性を見出した。
酸化亜鉛ショットキー接合の界面挙動と水素応答に関する研究
研究課題/領域番号:19760224 2007年4月 - 2009年3月
日本学術振興会 科学研究費助成事業 若手研究(B) 若手研究(B)
長田貴弘
担当区分:研究代表者 資金種別:競争的資金
酸化亜鉛(ZnO)などのワイドバンドギャップ半導体は、これまで光学応用が主であったが、近年、電子デバイス用の材料としても注目されており、電気特性制御、電極材料の最適化は重要な技術である。そこでZnOのショットキーダイオードを作成し、金属/酸化物界面における界面構造の変化と電気特性への影響を明らかにし、紫外光応答と共に、水素への応答を確認した。
エキゾティックドーピングを用いたZnOモノリシック光導波路の基礎検討
2002年4月 - 2003年3月
財団法人日本科学協会 平成14年度笹川科学研究助成
長田貴弘
担当区分:研究代表者 資金種別:競争的資金
真空・ナノ薄膜工学
機関名:千葉大学