Materials Research Society

Synthesis and crystal growth of Mg<SUB>2</SUB>Si by the liquid encapsulated vertical gradient freezing method 査読

Reo Nakagawa, Hiroshi Katsumata, Satoshi Hashimoto and Shiro Sakuragi

Japanese Journal of Applied Physics   54   085503-1 - 085503-5   2015年7月

Optical transition in nanocrystalline Si doped SiO2 thin films formed by cosputtering 査読

Katsuya Hirata, Hiroki Hara, Hiroshi Katsumata

CANADIAN JOURNAL OF PHYSICS   92 ( 7-8 )   732 - 735   2014年7月

Effects of Ga doping and nitridation on ZnO films prepared by RF sputtering 査読

Takumi Araki, Jun-Ichi Iwata, Hiroshi Katsumata

Materials Research Society Symposium Proceedings   1494   51 - 56   2013年

Optical band-gap of TiO2 nanopowders doped with Al 2O3 査読

Keisuke Yoshimura, Tetsuya Hashimoto, Hiroshi Katsumata

Materials Research Society Symposium Proceedings   1493   281 - 286   2013年

Deposition of TaN films by RF sputtering and their barrier properties in Cu/TaN/dielectrics/Si MIS structure 査読

Hiroaki Tajima, Hiroshi Katsumata, Shin-Ichiro Uekusa

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology   10   107 - 113   2012年4月

Structural and electrical properties of Co-doped β-FeSi<SUB>2</SUB> thin films prepared by RF magnetron sputtering 査読

M.Sawada, H. Katsumata, Y.Tomokuni, S. Uekusa

Physics Procedia   23   9 - 12   2012年

Structural and electrical properties of β-FeSi<SUB>2</SUB> bulk materials for thermoelectric applications 査読

H. Yamada, H. Katsumata, D. Yuasa, S. Uekusa, M. Ishiyama, H. Souma, I. Azumaya

Physics Procedia   23   13 - 16   2012年

Growth of Si0.5Ge0.5 Single Crystals by the Traveling Liquidus-zone Method and their Structural Characterization 査読

Atsushi Oda, Kyoichi Kinoshita, Shin-ichi Yoda, Hiroshi Katsumata, Shin-ichiro Uekusa

IUMRS INTERNATIONAL CONFERENCE IN ASIA 2011   36   404 - 410   2012年

Development of microwave absorbing materials prepared from a polymer binder including Japanese lacquer and epoxy resin 査読

T. Iwamaru, H. Katsumata, S. Uekusa, H. Ooyagi, T. Ishimura, T. Miyakoshi

ASIAN SCHOOL-CONFERENCE ON PHYSICS AND TECHNOLOGY OF NANOSTRUCTURED MATERIALS   23   69 - 72   2012年

鉄シリサイド研究への取り組み

勝俣裕, 水戸部賢, 澤田雅人, 中島俊, 山田秀憲, ザキール・フセイン, 植草新一郎

第17回シリサイド系半導体研究会   24 - 28   2011年3月

Properties of TaN Films for ULSIs Prepared by Reactive Sputter Deposition 査読

H. Tajima, N. Shiobara, H. Katsumata and S. Uekusa

Journal of Surface Analysis   17 ( 3 )   247 - 251   2011年3月

PHOTOLUMINESCENT PROPERTY OF Er AND Yb DOPED nc-Si/SiO2 THIN FILM

Shinya Ouchi, Yuki Komori, Hiroshi Katsumata, Shin-ichiro Uekusa

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPL NO 29   29   55 - 58   2011年

RESISTIVITY VARIATION OF TaN THIN FILMS FOR BARRIER METAL

Hiroaki Tajima, To-oru Tanaka, Hiroshi Katsumata, Shin-ichiro Uekusa

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPL NO 29   29   49 - 54   2011年

The effect of Crystalline Structure on Photoluminescence of the β-FeSi<SUB>2</SUB> Film Prepared by Pulsed Laser Deposition Using Two Types of Target 査読

M. Zakir Hossain, H. Katsumata, S. Uekusa

Physics Procedia   11   158 - 162   2011年

Photoluminescence properties of AlN:Eu,Si thin films

T.Hiranuma, K.Yoshimura, H.Katsumata, and S.Uekusa

Proc. of the 29th Symposium on Matererials Science and Engineering Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   45 - 48   2010年12月

The crystalline effect of the of the β-FeSi<SUB>2</SUB> film using two types target prepared by pulsed laser deposition

M. Zakir Hossain, H. Katsumata, S. Uekusa

IEEE Proc.of Int. Conf. on Electrical and Computer Engineering (ICECE 2010)   210 - 213   2010年

Pb-free bumping for high-performance SoC 査読

H Ezawa, M Seto, H Katsumata

54TH ELECTRONIC COMPONENTS & TECHNOLOGY CONFERENCE, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS   1   655 - 660   2004年

Development of dishing-less slurry for polysilicon chemical-mechanical polishing process 査読

N Miyashita, S Uekusa, M Kodera, Y Matsui, H Katsumata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42 ( 9A )   5433 - 5437   2003年9月

炭素電極を使用した電解水によるトレンチポリシリコン洗浄プロセスの検討 査読

宮下, 植草, 勝俣, 小寺, 松井

電子情報通信学会論文誌Ｃ   J86-C ( 6 )   623 - 633   2003年6月

Oxygen plasma damage in GaAs directly exposed to surface-wave plasma 査読

K Aoki, S Uekusa, H Katsumata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 9 )   5762 - 5768   2002年9月

Characterization of a new cleaning method using electrolytic ionized water for polysilicon chemical mechanical polishing process 査読

N Miyashita, S Uekusa, H Katsumata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   41 ( 8 )   5098 - 5103   2002年8月

Evaluation of oxygen-plasma damage in GaAs exposed to a surface-wave plasma source developed for the ashing process 査読

K Aoki, S Uekusa, T Yamauchi, H Katsumata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   40 ( 9A )   5438 - 5443   2001年9月

Fabrication of heterostructure p-β-Fe<SUB>0.95</SUB>Mn<SUB>0.05</SUB>Si<SUB>2</SUB>/n-Si diodes by Fe<SUP>+</SUP> and Mn<SUP>+</SUP> co-implantation in Si(100) substrates 査読

H. Katsumata, Y. Makita, T. Takada, H. Tanoue, N. Kobayashi, M. Hasegawa, H. Kakemoto, T. Tsukamoto, S. Uekusa

Thin Solid Films   381 ( 2 )   244 - 250   2001年1月

Etching, smoothing, and deposition with gas-cluster ion beam technology 査読

JA Greer, DB Fenner, J Hautala, LP Allen, DiFilippo, V, N Toyoda, Yamada, I, J Matsuo, E Minami, H Katsumata

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY   133   273 - 282   2000年11月

O-2 cluster ion-assisted deposition for tin-doped indium oxide films 査読

J Matsuo, H Katsumata, E Minami, Yamada, I

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   161   952 - 957   2000年3月

High-intensity oxygen cluster ion beam generation and its application to cluster ion-assisted deposition 査読

J Matsuo, E Minami, M Saito, N Toyoda, H Katsumata, Yamada, I

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D   9 ( 1-4 )   635 - 638   1999年12月

Optical and electrical characterizations of Mn doped p-type β-FeSi<SUB>2</SUB> 査読

T. Takada, Y. Makita, T. Shima, T. Banba, K. Shikama, H. Sanpei, M.Hasegawa, A. Sandhu, Y. Hoshino, H. Katsumata, S. Uekusa

Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B   147 ( 1-4 )   337 - 342   1999年1月

Optical thin film formation by gas-cluster ion beam assisted deposition 査読

H Katsumata, J Matsuo, T Nishihara, T Tachibana, K Yamada, M Adachi, E Minami, Yamada, I

APPLICATION OF ACCELERATORS IN RESEARCH AND INDUSTRY, PTS 1 AND 2   475 ( 475 )   409 - 412   1999年

Fullerene ion (C<inf>60</inf>⁺) implantation in GaAs(100) substrate 査読

Takashi Nishihara, Hiroshi Katsumata, Jiro Matsuo, Isao Yamada

Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology   2   1203 - 1206   1999年

Formation of polycrystalline β-FeSi<SUB>2</SUB> layers by ion-implantation and their optical properties 査読

H. Kakemoto, H. Katsumata, T. Takada, Y.S. Tsai, M. Hasegawa, S. Sakuragi, Y. Makita, T. Tsukamoto, S. Uekusa

Mater. Sci. Eng. A   253 ( 1-2 )   284 - 291   1998年9月

Formation of oxide thin films for optical applications by O<SUB>2</SUB>-cluster ion beam assisted deposition 査読

H. Katsumata, J. Matsuo, T. Nishihara, T. Tachibana, E. Minami, K. Yamada, M. Adachi, and I. Yamada

IEEE proceedings of the 12th International Conference on Ion Implantation Technology, Kyoto, Japan, IEEE Cat. No.98EX144   1195 - 1198   1998年6月

Diffusion and defects in Yb-implanted InP 査読

S Uekusa, H Katsumata

DEFECT AND DIFFUSION FORUM   159   113 - 123   1998年

Ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth (SPEG) of Si1-xCx layers in Si fabricated by C ion implantation 査読

N Kobayashi, DH Zhu, M Hasegawa, H Katsumata, Y Tanaka, N Hayashi, Y Makita, H Shibata, S Uekusa

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   127   350 - 354   1997年5月

Effect of multiple-step annealing on the formation of semiconducting β-FeSi<SUB>2</SUB> and metallic α-Fe<SUB>2</SUB>Si<SUB>5</SUB> on Si(100) by ion beam synthesis 査読

H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, H. Shibata, M. Hasegawa, S. Uekusa

Jpn. J. Appl. Phys.   36 ( 5A )   2802 - 2812   1997年5月

Two- and three-step annealing effects of metallic and semiconducting iron silicides formed by ion beam synthesis

H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, M. Hasegawa, H. Shibata, H. Takahashi, I. Aksenov, A. Obara, S. Kimura, J. Tanabe, and S. Uekusa

Proceedings of the 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan   201 - 206   1997年3月

Ion beam synthesis and characterization of metastable group-IV alloy semiconductors 査読

N. Kobayashi, H. Katsumata, M. Hasegawa, N. Hayashi, Y. Makita, H. Shibata, and S. Uekusa

Proceedings of the 7th International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research, Takasaki, Japan   201-206   218 - 223   1997年3月

Photoluminescence studies of epitaxial Si1-xGex and Si1-x-yGexCy layers on Si formed by ion beam synthesis 査読

H Katsumata, N Kobayashi, Y Makita, M Hasegawa, N Hayashi, H Shibata, S Uekusa

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   121 ( 1-4 )   146 - 150   1997年1月

Crystallization of SiSn and SiSnC layers in Si by solid phase epitaxy and ion-beam-induced epitaxy 査読

N Kobayashi, DH Zhu, H Katsumata, H Kakemoto, M Hasegawa, N Hayashi, H Shibata, Y Makita, S Uekusa, T Tsukamoto

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   121 ( 1-4 )   199 - 202   1997年1月

Fabrication of p-beta-Fe1-xMnxSi2/n-Si heterostructure diode and their electrical and optical properties 査読

T Takada, H Katsumata, Y Makita, N Kobayashi, M Hasegawa, S Uekusa

THERMOELECTRIC MATERIALS - NEW DIRECTIONS AND APPROACHES   478   267 - 272   1997年

Growth of Ge1-xCx thin films by combined low-energy ion beam and molecular beam epitaxy method 査読

H Shibata, P Fons, A Yamada, S Kimura, Y Makita, A Obara, N Kobayashi, H Takahashi, H Katsumata, J Tanabe, S Uekusa

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPLEMENT NO 15, MARCH 1997   35 - 40   1997年

Growth of Ge1-xCx alloys on Si by combined low energy ion beam and molecular beam epitaxy method 査読

H Shibata, S Kimura, P Fons, A Yamada, Y Makita, A Obara, N Kobayashi, H Takahashi, H Katsumata, J Tanabe, S Uekusa

MICROSTRUCTURE EVOLUTION DURING IRRADIATION   439   233 - 238   1997年

Growth of Ge<SUB>1-x</SUB>C<SUB>x</SUB> alloys on Si by combined low-energy ion beam deposition and molecular beam epitaxy method 査読

H. Shibata, S. Kimura, P. Fons, A. Yamada, Y. Makita, A. Obara, N. Kobayashi, H. Takahashi, H. Katsumata, J. Tanabe, and S. Uekusa

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   438   393 - 398   1996年12月

Optical absorption and photoluminescence studies of β-FeSi<SUB>2</SUB> prepared by heavy implantation of Fe<SUP>+</SUP> ions into Si 査読

H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, H. Shibata, M. Hasegawa, I. Aksenov, S. Kimura, A. Obara, S. Uekusa

J. Appl. Phys.   80 ( 10 )   5955 - 5962   1996年11月

Synthesis of β-FeSi<SUB>2</SUB> for optical applications by Fe triple-energy ion implantation into Si(100) and Si(111) substrates 査読

H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, M. Hasegawa, H. Shibata, S. Uekusa

Thin Solid Films   281   252 - 255   1996年8月

Electron spin resonance studies in β-FeSi<SUB>2</SUB> crystals

I. Aksenov, H. Katsumata, Y. Makita, S. Kimura, T. Shinzato, K. Sato

J. Appl. Phys.   80 ( 3 )   1678 - 1681   1996年8月

Photoluminescence and Raman scattering studies of 2 MeV YB+-implanted InP as a function of etching depth 査読

H Katsumata, S Uekusa, H Sai, M Kumagai

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   80 ( 4 )   2383 - 2387   1996年8月

Synthesis of metastable group-IV alloy semiconductors by ion implantation and ion-beam-induced epitaxial crystallization 査読

N Kobayashi, M Hasegawa, N Hayashi, H Katsumata, Y Makita, H Shibata, S Uekusa

APPLIED SURFACE SCIENCE   100   498 - 502   1996年7月

Optical, electrical and structural properties of polycrystalline β-FeSi<SUB>2</SUB> thin films fabricated by electron beam evaporation of ferrosilicon 査読

H. Katsumata, Y. Makita, H. Takahashi, Y. Shibata, N. Kobayashi, M. Hasegawa, S. Kimura, A. Obara, J. Tanabe, S. Uekusa

Proceedings of the 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA, IEEE Cat. No.96TH8169   479 - 483   1996年

Heavily carbon-doped GaAs layers prepared by low-energy ion-beam impingement during molecular beam epitaxy (Reprinted from Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, vol 106, pg 133-136, 1995) 査読

T Iida, K Harada, S Kimura, T Shima, H Katsumata, Y Makita, H Shibata, N Kobayashi, SI Uekusa, T Matsumori, K Kudo

ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS   B106   133 - 136   1996年

Optical and structural properties of β-FeSi<SUB>2</SUB> layers on Si fabricated by triple <SUP>56</SUP>Fe ion implantations 査読

H. Katsumata, H. Shen, N. Kobayashi, Y. Makita, M. Hasegawa, H. Shibata, S. Kimura, A. Obara, S. Uekusa

Proceedings of the 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials, Canberra, Australia   943 - 946   1996年

Fabrication of epitaxial silicides thin films by combining low-energy ion beam deposition and silicon molecular beam epitaxy 査読

H Shibata, Y Makita, H Katsumata, S Kimura, N Kobayashi, M Hasegawa, S Hishita, AC Beye, H Takahashi, J Tanabe, S Uekusa

SILICIDE THIN FILMS - FABRICATION, PROPERTIES, AND APPLICATIONS   402   517 - 522   1996年

Growth of Si1-xSnx layers on Si by ion-beam-induced epitaxial crystallization (IBIEC) and solid phase epitaxial growth 査読

N Kobayashi, M Hasegawa, N Hayashi, H Katsumata, Y Makita, H Shibata, S Uekusa

ION-SOLID INTERACTIONS FOR MATERIALS MODIFICATION AND PROCESSING   396   207 - 212   1996年

Structural properties of β-FeSi<SUB>2</SUB> bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method 査読

H. Kakemoto, Y. Tsai, A.C. Beye, H. Katsumata, S. Sakuragi, Y. Makita, A. Obara, N. Kobayashi, H. Shibata, S. Uekusae, T. Tsukamoto, T. Tsunoda, Y. Imai

Mater. Res. Soc. Symp. Proc.   402   331 - 336   1996年

Structural and optical properties of B-FeSi2 film prepared by laser ablation method and comparison of B-FeSi2 films prepared by three different methods 査読

Hirofumi Kakemoto, Yunosuke Makita, Hiroshi Katsumata, Tsutomu Iida, Christian Stauter, Akira Obara, Hajime Shibata, Yu shin Tsai, Shiro Sakuragi, Naoto Kobayashi, Masataka Hasegawa, Shin ichiro Uekusa, Takeyo Tsukamoto

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering   2888   32 - 43   1996年

Electrical properties of β-FeSi<SUB>2</SUB> bulk crystal grown by horizontal gradient freeze method 査読

H. Shibata, Y. Makita, H. Kakemoto, Y. Tsai, S. Sakuragi, H. Katsumata, A. Obara, N. Kobayashi, S. Uekusa, T. Tsukamoto, T. Tsunoda, Y.Imai

Proceedings of the 15th International Conference on Thermoelectrics, Pasadena, USA, IEEE Cat. No.96TH8169   62 - 66   1996年

Heavily carbon-doped GaAs layers prepared by low-energy ion-beam impingement during molecular beam epitaxy 査読

T Iida, K Harada, S Kimura, T Shima, H Katsumata, Y Makita, H Shibata, N Kobayashi, SI Uekusa, T Matsumori, K Kudo

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS   106 ( 1-4 )   133 - 136   1995年12月

Structural and optical characterization of β-FeSi<SUB>2</SUB> layers on Si formed by ion beam synthesis 査読

N. Kobayashi, H. Katsumata, H.L. Shen, M. Hasegawa, Y. Makita, H. Shibata, S. Kimura, A. Obara, S. Uekusa, S. Hatano

Thin Solid Films   270 ( 1-2 )   406 - 410   1995年12月

OPTICAL AND CRYSTALLINE PROPERTIES OF YB IMPLANTED INP 査読

H KATSUMATA, S UEKUSA, A MAJIMA, M KUMAGAI

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   77 ( 5 )   1881 - 1887   1995年3月

Ion-beam-induced epitaxy and solid phase epitaxy of SiGeC on Si formed by Gc and C ion implantation and their structural and optical properties 査読

N Kobayashi, H Katsumata, Y Makita, M Hasegawa, N Hayashi, H Shibata, S Uekusa, S Hishita

FILM SYNTHESIS AND GROWTH USING ENERGETIC BEAMS   388   189 - 194   1995年

OPTICAL AND STRUCTURAL CHARACTERIZATIONS OF beta-FESI2 SYNTHESIZED BY FE ION IMPLANTATION 査読

H KATSUMATA, T MUTA, H SHEN, N KOBAYASHI, M HASEGAWA, H SHIBATA, A YAMADA, Y MAKITA, N KUTSUWADA, S UEKUSA, T HATANO

REPORT OF RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY, HOSEI UNIVERSITY, SUPPLEMENT NO 13, MARCH 1995   59 - 64   1995年

OPTICAL-ACTIVITY OF YB3+ IN MEV ION-IMPLANTED INP 査読

S UEKUSA, A MAJIMA, H KATSUMATA, Y NOYORI, M KUMAGAI

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS   301   201 - 206   1993年

Structural and Optical Properties of SiO<SUB>x</SUB> Thin Films Embedded with Si Quantum Dots Formed by Co-Sputtering for MIS Indoor Photovoltaic Applications

Toshiya Kondo, Hiroshi Katsumata

The 7th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials  2025年7月 

Comparative Evaluation of Mg<SUB>2</SUB>Si Thin Films: Direct Sputtering Deposition with an Mg2Si Target vs. Solid-Phase Growth on Si Substrates with an Mg Target and Their Reproducibility

Ryoga Toyama, Hiroshi Katsumata

The 7th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials  2025年7月 

Optimization of Simultaneous RF/DC Magnetron Sputtering Process for Improving the Chemical Composition and Crystalline Quality of Mg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB> Thin Films

43rd Electronic Materials Symposium (EMS43) (We1-5)  2024年10月  電子材料シンポジウム運営委員会

Effect of Post-depositon Annealing Conditions on the Types of Electrical Conductivity in Mg<SUB>2</SUB>Si Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

Keisuke Asano, Hiroshi Katsumata

43rd Electronic Materials Symposium (EMS43) (We1-10)  2024年10月  電子材料シンポジウム運営委員会

Effect of RF Power on the Optical Properties of SiC Quantum Dots in SiO<SUB>x</SUB> Films Formed by RF Magnetron Co-Sputtering

Sota Iwasaki, Hiroshi Katsumata

43rd Electronic Materials Symposium (EMS43) (We2-13)  2024年10月  電子材料シンポジウム運営委員会

SiC添加SiO<SUB>x</SUB>薄膜の酸素含有量と酸素不純物による可視発光の相関

岩崎 颯太,勝俣 裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会（20p-P02-5）  2024年9月 

Cu, N共添加ZnO薄膜の電気特性の熱処理温度依存性

田中雅樹、勝俣裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会（20a-A22-7）  2024年9月 

Mg<SUB>2</SUB>Si薄膜の膜中酸素量に及ぼすスパッタリングおよびアニール条件の影響

淺野圭祐,勝俣裕

第85回応用物理学会秋季学術講演会（16p-P06-2）  2024年9月  応用物理学会

SiO<SUB>x</SUB>薄膜中のSi量子ドットのバンドギャップ縮小に関する研究

近藤 利哉,勝俣 裕

第21回シリサイト゛系半導体・夏の学校（P-25）  2024年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Mg<SUB>2</SUB>Siターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタリング法によるMg<SUB>2</SUB>Si薄膜の形成と物性評価

外山 涼雅,勝俣 裕

第21回シリサイト゛系半導体・夏の学校（P-11）  2024年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

RFマグネトロンスパッタリング法により作製したSiC添加SiO<SUB>x</SUB>薄膜の光学的特性のRFパワー依存性

岩崎 颯太,勝俣 裕

第21回シリサイト゛系半導体・夏の学校（P-26）  2024年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

RFマグネトロンスパッタリング法によるMg<SUB>2</SUB>Si薄膜の形成とポストアニールが電気伝導特性に与える影響

淺野 圭祐,勝俣 裕

第21回シリサイト゛系半導体・夏の学校（P-１２）  2024年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Cu, N共添加によるp型ZnO薄膜の形成と半導体固体電池への応用

田中雅樹,勝俣裕

第21回シリサイト゛系半導体・夏の学校（P-27）  2024年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

The Influence of Ar-N<SUB>2</SUB>/O<SUB>2</SUB> Flow Ratio on the Types of Electrical Conductivity in Cu and N co-doped ZnO Films formed by RF Magnetron Co-Sputtering 国際会議

Masaki Tanaka, Hiroshi Katsumata

TACT2023 International Thin Films Conference (C-P-134)  2023年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Evaluation of the Effects of Structural Parameters on External Quantum Efficiency of Si/Mg<SUB>2</SUB>Si Heterojunction Photodiodes Using Device Simulation 国際会議

Keisuke Asano, Hiroshi Katsumata

TACT2023 International Thin Films Conference (C-P-164)  2023年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Impact of Interfacial SiO<SUB>2</SUB> Layers on the Photovoltaic Characteristics of n-type Nanocrystalline β‐FeSi<SUB>2</SUB> Embedded in Polycrystalline Si Formed on p-type Si Substrates 国際会議

Kenta Yoshimura, Takumi Kidokoro, Hiroshi Katsumata

TACT2023 International Thin Films Conference (B-P-80)  2023年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Optical and Electrical Properties of SiC Added SiO<SUB>x</SUB> Films for Light Emitting and Sensing Devices 国際会議

Sota Iwasaki, Takamasa Nakamura, Hiroshi Katsumata

TACT2023 International Thin Films Conference (B-P-161)  2023年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

n-ナノ結晶 β-FeSi<SUB>2</SUB>含有Si薄膜/p-Siヘテロ接合素子の光起電力特性改善

吉村 賢太,城所 拓海,勝俣 裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会（23p-B205-5）  2023年9月  応用物理学会

デバイスシミュレーションによるSi/Mg<SUB>2</SUB>Siヘテロ接合フォトダイオードの構造パラメータの最適化

淺野 圭祐,勝俣 裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会（22a-B202-6）  2023年9月  応用物理学会

p型Mg2Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>薄膜を用いたフォトダイオードの作製と 特性評価

肥田 雄斗,勝俣 裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会（22a-B202-7）  2023年9月  応用物理学会

SiC添加SiO<SUB>x</SUB>薄膜の光吸収および発光特性の膜厚・熱処 理温度依存性

岩崎 颯太,中村 昂雅, 勝俣 裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会（22a-C401-7）  2023年9月  応用物理学会

Cu, N添加ZnO薄膜の電気伝導に及ぼす酸素流量比の影響

田中 雅樹,勝俣 裕

第84回応用物理学会秋季学術講演会（21p-P09-21）  2023年9月  応用物理学

SiC添加SiO<SUB>x</SUB>薄膜からの可視発光増強とSiC量子ドットの物性予測

勝俣 裕

原子スケールシミュレーション活用セミナー2023  2023年7月  株式会社アスムス

ナノ結晶β-FeSi<SUB>2</SUB>/Si 複合薄膜の形成と光電変換素子への応用

吉村賢太,城所拓海,勝俣裕

第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-7)  2023年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

SiC添加SiO<SUB>x</SUB>薄膜の光物性評価と光デバイスへの応用

岩崎 颯太,中村 昂雅,小野 恒義,勝俣 裕

第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-9)  2023年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

SiN<SUB>x</SUB>膜の光学的特性の成膜および熱処理条件依存性

田中雅樹,松田朋大,勝俣裕

第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-10)  2023年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

デバイスシミュレーションによるSi/Mg<SUB>2</SUB>Si ヘテロ接合デバイスの光電変換特性の評価

淺野 圭祐,勝俣 裕

第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-8)  2023年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Mg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB> 薄膜の形成と赤外受光素子への応用

肥田雄斗,勝俣 裕

第20回シリサイド系半導体・夏の学校（P-6)  2023年7月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Correlation between Plasma Color and Properties of Mg<SUB>2</SUB>Si Thin Films formed by RF Magnetron Sputtering 国際会議

Yuto Hida, Syunta Owari, Kenta Uefuji and Hiroshi Katsumata

6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDE 2022) (P-II-12, pp.151-15)  2022年7月 

第一原理計算によるナノ結晶SiCの結晶構造および物性予測

小野恒義,中村昂雅, 勝俣裕

第69回応用物理（24p－F408-3）  2022年3月  応用物理学会

RFマグネトロン共スパッタリング法によるSiC添加SiO<SUB>x</SUB>系薄膜の作製と光吸収および発光スペクトルの評価

中村 昂雅,小野 恒義,勝俣 裕

第69回応用物理学会春季学術講演会（24p－F408-4）  2022年3月  応用物理学会

ナノ結晶β-FeSi<SUB>2</SUB>/Si複合薄膜のキャリア密度制御

城所拓海,松田朋大,勝俣裕

第69回応用物理学会春季学術講演（23a-F308-10））  2022年3月  応用物理学会

SiN<SUB>x</SUB>膜の膜質に及ぼすスパッタガス圧力，Ar/N<SUB>2</SUB>比及びSi添加の影響

松田 朋大,城所 拓海,勝俣 裕

第69回応用物理学会春季学術講演会（26a－E103-6）  2022年3月  応用物理学会

Band Offsets and Charge-Discharge Characteristics of Semiconductor-Based Solid-State Rechargeable Battery with pin Structure 国際会議

Hiroshi Katsumata, Akito Sasaki, Hideaki Hirabayashi and Hidehiko Yabuhara

Material Research Meeting 2021 (MRM2021) (D2-PV22-08)  2021年12月  一般社団法人 日本MRS

First principles calculations and experimental studies of the bandgap of nanocrystalline SiC 国際会議

Tsuneyoshi Ono, Takamasa Nakamura and Hiroshi Katsumata

TACT2021 International Thin Films Conference (G-P-077)  2021年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Control of hole carrier density of Si/nanocrystalline β-FeSi<SUB>2</SUB> composite films by co-sputtering 国際会議

Takumi Kidokoro, Tomohiro Matsuda, Hiroshi Katsumata

TACT2021 International Thin Films Conference (A-P-106)  2021年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Deposition of Mg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB> films by co-sputtering using two different targets and a comparison of the effect of subsequent thermal annealing process on film properties 国際会議

Kenta Uefuji, Hiroshi Katsumata

TACT2021 International Thin Films Conference (C-P-146)  2021年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Effect of annealing temperature on the light absorption and visible photoluminescence spectra of nanocrystalline SiC embedded in SiO<SUB>x</SUB> films prepared by co-sputtering 国際会議

Takamasa Nakamura, Tsuneyoshi Ono and Hiroshi Katsumata

TACT2021 International Thin Films Conference (B-P-093)  2021年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Film properties of silicon nitride thin films embedded with nanocrystalline Si 国際会議

Tomohiro Matsuda, Takumi Kidokoro, Hiroshi Katsumata

TACT2021 International Thin Films Conference (A-P-166)  2021年11月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

2元同時スパッタリング法によるMg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>薄膜の形成

上藤 健太,勝俣 裕

第82回応用物理学会秋季学術講演会(11a-N304-6)  2021年9月  公益社団法人 応用物理学会

第一原理計算によるナノ結晶SiCの結晶構造予測

小野 恒義,中村 昂雅,勝俣 裕

第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-34, p. 63)  2021年8月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Mg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>薄膜の構造と電気特性に及ぼす熱処理方法の影響

上藤 健太,勝俣 裕

第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-32, p. 61)  2021年8月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Mn 添加a-Si/β-FeSi<SUB>2</SUB>複合薄膜の正孔密度のアニール温度依存性

城所 拓海,松田 朋大,勝俣 裕

第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-33, p. 62)  2021年8月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

共スパッタリング法により作製したSiC 添加SiO<SUB>x</SUB>薄膜における 可視発光および光吸収スペクトルの熱処理温度依存性

中村 昂雅,小野 恒義,勝俣 裕

第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-34, p. 63)  2021年8月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

窒化シリコン膜の膜質に及ぼすSi添加および熱処理雰囲気の影響

松田 朋大,城所 拓海,勝俣 裕

第１９回シリサイド系半導体・夏の学校（P-31, p. 60)  2021年8月  応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会

Evaluation of Insulating Magnetic Materials Composed of Epoxy Resin and Pure Iron Powder for Motor and Reactor Core Applications 国際会議

Katsuya Hirata, Gaku Obara and Hiroshi Katsumata

The 23rd International Conference on Electrical Machines and Systems (ICEMS2020-Hamamatsu)  2020年11月  The IEEJ Industry Applications Society (IEEJ-IAS)

同時スパッタリング法によるMg<SUB>2</SUB>SiSn系薄膜の形成と電気伝導特性

勝俣裕,布施翔太郎

NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2019  2019年12月  国立研究開発法人 物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

Si/β-FeSi<SUB>2</SUB>複合薄膜の熱処理温度が交流伝導率の周波数特性に及ぼす影響

齊藤 佑太,勝俣 裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会（21a-PA3-2）  2019年9月  応用物理学会

Mg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>薄膜の結晶構造及び電気特性の熱処理条件依存性

布施 翔太郎, 勝俣 裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会（21a-PA3-3）  2019年9月  応用物理学会

Si，Eu共添加AlN薄膜の励起発光スペクトル

粕谷 駿人,森本 一総,岩出 和也,勝俣 裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会（19a-PB3-7）  2019年9月  応用物理学会

純鉄粉含有エポキシ樹脂の絶縁性と透磁率の評価

平田 雄也, 小原 学, 勝俣 裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会（18p-PB2-3）  2019年9月  応用物理学会

非晶質・ナノ結晶SiC含有シリコン酸化膜の光学特性のSi，C添加量及び熱処理温度依存性

成松 伶,勝俣 裕

第80回応用物理学会秋季学術講演会（19a-PB3-9）  2019年9月  応用物理学会

Photoluminescence and photoluminescence excitation spectra of Eu and Si co-doped AlN films for visible light emitting devices 国際会議

Hiroshi Katsumata, Hayato Kasuya, Kazusa Morimoto and Kazuya Iwade

8th International Workshop on Photoluminescence in Rare Earths: Photonic Materials and Devices (PRE19) (P30)  2019年9月 

Formation of Mg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB> Thin Films by Co-sputtering and Their p-Type Electrical Conduction 国際会議

Syotaro Fuse and Hiroshi Katsumata

5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDE 2019) (Tue-a-O29)  2019年7月 

Optical Properties of Amorphous and Nanocrystalline SiC Embedded in Silicon Oxide Films Prepared by Co-sputtering 国際会議

R. Narimatsu, K. Morimoto, and H. Katsumata

5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDE 2019) (P25)  2019年7月 

Structural, Optical and AC Conductivity Studies on Amorphous-Si/β-FeSi<SUB>2</SUB> Composite Thin Films 国際会議

Y. Saito and H. Katsumata

5th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides (APAC SILICIDES 2019) (P10)  2019年7月 

シリコン酸化膜中の非晶質・ナノ結晶SiCの形成と光物性評価

成松 伶,川村 寿栄,森本 一総,勝俣 裕

第66回応用物理学会春季学術講演会（11p-S223-15）  2019年3月  応用物理学会

アモルファスSi/β-FeSi<SUB>2</SUB>複合薄膜の電気伝導機構

齊藤 佑太,勝俣 裕

第66回応用物理学会春季学術講演会（11p-W834-16）  2019年3月  応用物理学会

Enhancement and stabilization of blue photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering 国際会議

Kazusa Morimoto, Hiroshi Katsumata

International Workshop on Nitride Semiconductors, 2018  2018年11月 

スパッタリング法によるEu,Si共添加AlN薄膜の形成における共添加材料の検討

森本 一総, 勝俣 裕

第79回応用物理学会秋季学術講演会（20p-235-10）  2018年9月  応用物理学会

共スパッタリング法により形成したMgSiSn薄膜の電気特性

施 翔太郎, 和田 英之, 勝俣 裕

第79回応用物理学会秋季学術講演会（19a-436-6）  2018年9月  応用物理学会

薄膜の物性評価の基礎と最近のトピックス

勝俣裕

第18回シリサイド系半導体夏の学校  2018年7月  公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

共スパッタリング法によるMgSiSn薄膜の形成と物性評価

布施 翔太郎, 和田 英之, 勝俣 裕

第18回シリサイド系半導体夏の学校  2018年7月  公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

a-Si/β-FeSi<SUB>2</SUB>複合薄膜の形成と半導体全固体二次電池への応用

齊藤佑太, 勝俣裕

第18回シリサイド系半導体夏の学校  2018年7月  公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

Si系ナノ結晶の形成における熱処理条件およびカーボン添加が光学特性に及ぼす影響

成松 伶, 川村 寿栄, 森本 一総, 勝俣 裕

第18回シリサイド系半導体夏の学校  2018年7月  公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

Blue and red photoluminescence from Eu and Si codoped AlN films formed by reactive co-sputtering 国際会議

Kazusa Morimoto, Kazuya Iwade, Hiroshi Katsumata

TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0171)  2017年10月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Prediction of nanocrystalline-Si size in SiO2 matrix based on LSW theory 国際会議

T. Kawamura, H. Katsumata

TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0147)  2017年10月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

Prediction of nanocrystalline-Si size in SiO<SUB>2</SUB> matrix based on LSW theory 国際会議

T. Kawamura and H. Katsumata

TACT2017 International Thin Films Conference (C-P-0147)  2017年10月  Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology

共スパッタリング法によるMg<SUB>2</SUB>Si<SUB>1-x</SUB>Sn<SUB>x</SUB>薄膜の形成

和田 英之, 勝俣 裕, 山本 栄也, 片岡 朋治, 広納 慎介, 石切山 守

第78回応用物理学会秋季学術講演会（7p-PB4-7）  2017年9月  応用物理学会

Crystal Growth of Mg<SUB>2</SUB>Si for Thermoelectric Applications by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method 招待 国際会議

H. Katsumata, H. Wada, M. Iwamoto, H. Yamamoto, T. Kataoka, S. Hirono, M. Ishikiriyama

EMN 3CG & Metallic Glasses Meeting (pp.35-36)  2017年8月  OAHOST

共スパッタ法によるアモルファスSi/β-FeSi<SUB>2</SUB>複合薄膜の形成および物性評価

齊藤 佑太, 澤田 真志, 勝俣 裕

第17回シリサイド系半導体夏の学校（p.45）  2017年7月  公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

VGF法によるMg<SUB>2</SUB>Si結晶成長における原料形態および液体封止材の充填量の影響

布施翔太郎, 和田大輝, 勝俣裕, 櫻木史郎

第17回シリサイド系半導体夏の学校（p.53）  2017年7月  公益社団法人応用物理学会 シリサイド系半導体と関連物質研究会

LSW理論に基づくSiO<SUB>2</SUB>薄膜中のナノ結晶Siの粒径予測

川村 寿栄, 勝俣 裕

第64回応用物理学会春季学術講演会（15a-411-5）  2017年3月 

Mg<SUB>2</SUB>Si薄膜の固相成長におけるAg添加の影響と二段階熱処理の効果

和田 英之, 鈴木 健浩, 安田 剛, 勝俣 裕, 片岡 朋治, 山本 栄也, 広納 慎介, 石切山 守

第77回応用物理学会秋季学術講演会(15a-B3-9)  2016年9月  応用物理学会

Bulk Single Crystal Growth of Mg<SUB>2</SUB>Si by the Liquid Encapsulated Vertical Gradient Freezing Method 国際会議

H. Katsumata, R. Nakagawa, H. Wada, S. Hashimoto, S. Sakuragi

Energy, Materials and Nanotechnology, the Collaborative Conference on Crystal Growth (EMN-3CG)  2016年9月 

Vertical Gradient Freeze Growth of Mg<SUB>2</SUB>Si crystals using Liquid Encapsulated Liquinert Process 国際会議

H. Wada, H. Syono, H. Katsumata, S. Sakuragi

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (TuP-G06-35)  2016年8月  OAHOST

Formation of Eu,Si codoped AlN thin films on Si substrate by reactive co-sputtering for heterojunction visible light emitting diode 国際会議

K. Iwade, H. Katsumata

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (TuP-T09-8)  2016年8月 

Si-based visible luminescent material grown on Si substrates by chemical reaction with Si powder 国際会議

T. Yamaguchi, H. Katsumata

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18) (Tu1-G03-7)  2016年8月 

VGF法によるMg<SUB>2</SUB>Si結晶成長における原料の形状・純度と封止剤のハロゲン処理の影響

和田大輝, 庄野大貴, 勝俣裕, 櫻木史郎

第63回応用物理学会春季学術講演会（21p-S223-15）  2016年3月  応用物理学会

RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製における Ga添加とその後の窒化処理の影響

荒木拓海, 岩田純一, 勝俣裕

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月  応用物理学会

複合ターゲットを用いて 反応性スパッタ法により作製した AlN:Eu,Si薄膜の発光、構造的特性の評価

鍵政亮介, 梶原舜, 吉村啓佑, 勝俣裕

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月  応用物理学会

Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>を添加したTiO<SUB>2</SUB>微粉末の 光学バンドギャップ

吉村 啓佑, 橋本 哲弥, 勝俣 裕

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会  2012年9月  応用物理学会

Optical and structural characterizations of β-FeSi<SUB>2</SUB> synthesized by Fe ion implantation

勝俣裕,牟田高信,沈鴻烈,小林直人,長谷川雅考,柴田肇,山田昭政,牧田雄之助,轡田昇,植草新一郎,羽田野毅

第13回法政大学イオンビーム工学シンポジウム，東京  1994年12月 

シリコン系半導体を用いた半導体固体電池の開発に関する研究

2019年4月 - 2020年3月