Organization
Undergraduate School School of Science and Technology Associate Professor
Title
Associate Professor
External link
Degree
-
博士(工学) ( 1992.3 明治大学 )
Research Areas
-
Manufacturing technology (mechanical,electrical/electronic, chemical engineering) / Electronic devices and equipment / 電子デバイス・機器工学(Electron Devices and Apparatus Engineering)
-
Nanotechnology/Materials / Applied materials / 応用物性・結晶工学(Applied Physics of Property and Crystallography)
Education
-
Meiji University Graduate School, Division of Engineering
1987.4 - 1992.3
Country/Region： Japan
Papers
-
エレクトロルミネッセンス用蛍光体 －動作機構との関連性ー Invited Reviewed
三浦登
セラミックス 55 ( 12 ) 855 - 858 2020.12
-
Electroluminescence from impact excitation and carrier injection process in single device Reviewed
Takatoshi Nishiguchi, Yuchi Onishi, Kunitoshi Yanagihara and Noboru MIura
Japanese Journal of Applied Physics 58 SFBB02-1 - SFBB02-5 2019
-
Effects of amorphous Si on DC electroluminescenct devices Reviewed
Kunitoshi Yanagihara, Syoyo Unji, Takatoshi Nishiguchi and Noboru Miura
Japanese Journal of Applied Physics 58 SFBB03-1 - SFBB03-5 2019
-
Advantage of LED as Lighting Source for Plant Factory Reviewed
Japanese Journal of Optics 46 ( 12 ) 9 - 13 2017.1
-
Vertically Curved Si Waveguide Coupler with Low Loss and Flat Wavelength Window Reviewed
Tomoya Yoshida, Emiko Omoda, Yuki Atsumi, Takashi Nishi, Syougo Tajima, Noboru Miura, Masahiko Mori, Youichi Sakakibara
JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY 34 ( 7 ) 1567 - 1571 2016.4
-
Vertical silicon waveguide coupler bent by ion implatation Reviewed
Tomoya Yoshida, Syougo Tajima, Ryohei Takei, Masahiko Mori, Noboru Miura, and Youichi Sakakibara
OPTICAL EXPRESS 23 ( 23 ) 29449 2015.10
-
Nonlinear Electrical Properties of Thin Films of a Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr-0.002(Ca0.6Sr0.4)(0.997)TiO3 Reviewed
Keiichi Ikegami, Ming Lu, Ryuzoh Ohon, Kimihiro Yonekawa, Noboru Miura, Hiroshi Takashima
IUMRS INTERNATIONAL CONFERENCE IN ASIA 2011 36 388 - 395 2012
-
Highly transparent and flexible field emission devices based on single-walled carbon nanotube films
Debasish Ghosh, Pradip Ghosh, Masaki Tanemura, Akari Haysahi, Yasuhiko Hayashi, Kawasaki Shinji, Noboru Miura, Mohd Zamri Yusop, Toru Asaka
CHEMICAL COMMUNICATIONS 47 ( 17 ) 4980 - 4982 2011
-
Effects of Fluoride Dopants in the Starting Materials for BaAl2S4:Eu Thin-Film Phosphors
Runhong Guo, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, Ryotaro Nakano
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 1 ) 012401-1 - 012401-5 2010
-
Perceptibility of environmental sounds by earphone wearers listening to pop and rock music
Kazuhiro Hara, Saburo Nakano, Kaori Sato, Kaoru Ashihara, Shogo Kiryu, Noboru Miura
Acoustical Science and Technology 31 ( 6 ) 387 - 393 2010
-
Low-Driving-Voltage Electroluminescence in Perovskite Films
Hiroshi Takashima, Kohei Shimada, Noboru Miura, Tetsuhiro Katsumata, Yoshiyuki Inaguma, Kazushige Ueda, Mitsuru Itoh
ADVANCED MATERIALS 21 ( 36 ) 3699 - + 2009.9
-
Inorganic Electroluminescent Display
Expected Materials for the Future 9 ( 7 ) 36-41 2009.7
-
Preparation and evaluation of w03-bi2o3 composite thin films
Koichi Nakagawa, Noboru Miura, Setsuko Matsumoto, Ryotaro Nakano, Hironaga Matsumoto
Journal of the Vacuum Society of Japan 52 ( 3 ) 159 - 162 2009
-
Effect of electrical properties of platinum palladium oxide thin films on the optical properties
Yuki Iwai, Koichi Nakagawa, Noboru Miura, Setsuko Matsumoto, Ryotaro Nakano, Hironaga Matsumoto
Journal of the Vacuum Society of Japan 52 ( 3 ) 163 - 166 2009
-
Electrochromism and electronic structures of nitrogen doped tungsten oxide thin films prepared by RF reactive sputtering
Koichi Nakagawa, Noboru Miura, Setsuko Matsumoto, Ryotaro Nakano, Hironaga Matsumoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 9 ) 7230 - 7235 2008.9
-
無機ＥＬディスプレイの最新技術動向
電子材料5月号別冊 電子ディスプレイ技術2008・工業調査会 43-48 2008.4
-
Preparation and evaluation of nitrogen doped tungsten oxide thin films
Koichi Nakagawa, Noboru Miura, Setsuko Matsumoto, Ryotaro Nakano, Hironaga Matsumoto
Journal of the Vacuum Society of Japan 51 ( 3 ) 185 - 187 2008
-
Flux Effects on BaAl2S4:Eu,F Blue Phosphors
Runhong Guo, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, and Ryotaro Nakano
Society for Information Display・SID 2007 International Symposium Digest of Technical Papers XXXVIII 523-525 - 525 2007.5
-
Optical Properties and Electronic Structure of Platinium Oxide Thin Films
Hironaga Matsumoto, Yuki Iwai, Koichi Nakagawa, Toshiyuki Tsuda, Noboru Miura, Ryotaro Nakano, Setsuko Matsumoto
Memoirs of The Institute of Science and Technology, Meiji University 45 ( 3 ) 27-32 2007.3
-
Luminescence Properties of Multinary-compound Phosphors for Inorganic Electroluminescence
Noboru MIURA
OYO Buturi 76 ( 3 ) 252-257 2007.3
-
Present Status and Prospects of Inorganic EL Materials
Noboru MIURA
Materials integration 20 ( 3 ) 7-12 - 12 2007.3
-
Optical Properties of Blue-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-Films for Inorganic EL Display
Guo Runhong, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, and Ryotaro Nakano
Jornal of Rare Earths 24 119-121 - 121 2006.12
-
Brightness Technology Clarifies Future Inorganic EL Displays
Noboru MIURA
Dempa Publication 53 ( 6 ) 23-26 2006.6
-
無機ＥＬディスプレイの最新技術動向
三浦登
工業調査会・「電子材料」5月号別冊 電子ディスプレイ技術2006 36-42 2006.4
-
Optical properties of Palladium Oxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering
Research Reports School of Science and Technology, Meiji University ( 90(34) ) 13-17 - 17 2006.3
-
Optical Properties of Tungsten Oxide Thin Films Doped with Nitrogen
Hironaga Matsumoto, Koichi Nakagawa, Noboru Miura, Ryotaro Nakano, Setsuko Matsumoto
Memories of The Institute of Science and Technology, Meiji University 44 ( 2 ) 9-15 - 15 2006.1
-
Effects of vacancies on the dielectric and piezoelectric properties of (Na0.5K0.5)NbO3-SrTiO3 solid solution
Ruiping Wang, Norio Tachibana, Noboru Miura, Kotaro Hanada, Konio Matsusaki, Hiroshi Bando, Mitsuru Itoh
FERROELECTRICS 331 135 - 139 2006
-
Capacitance temperature sensor using ferroelectric (Sr0.95Ca0.05)TiO3 perovskite
K Shimada, H Takashima, RP Wang, B Prijamboedi, N Miura, M Itoh
FERROELECTRICS 331 141 - 145 2006
-
高輝度無機EL素子の開発動向
三浦登
株式会社 テクノタイムズ・月刊ディスプレイ 11 ( 9 ) 50-55 2005.9
-
究極のFPD －無機ELディスプレイー
三浦登
SEAJ Jopurnal ( 98 ) 38-42 2005.9
-
Inorganic Electroluminescent Display
Noboru Miura
The Journal of The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 88 ( 8 ) 653-658 2005.8
-
Ternary compound phosphor thin films for electroluminescent displays
Noboru MIURA, Hironaga MATSUMOTO, Ryotaro NAKANO
74 ( 5 ) 617-621 - 621 2005.5
-
無機ELディスプレイの最新技術動向
三浦登
工業調査会・「電子材料」5月号別冊 電子ディスプレイ技術2005 41-46 2005.4
-
Preparation and optical properties of zirconium-titanium-oxide thin films by reactive sputtering
H Matsumoto, M Sekine, N Miura, R Nakano, S Matsumoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44 ( 2 ) 1013 - 1018 2005.2
-
フラットパネルディスプレイの新展開
三浦登
日本真空工業会・真空ジャーナル ( 98 ) 15-17 2005.1
-
会議速報 「第12回ELワークショップ報告」
電子材料(工業調査会 発行) 2004年12月号 43巻12号 pp90-91.
2004.12
-
Noboru Miura
The Society of Inorganic Materials, Japan 11 ( 313 ) 433 - 438 2004.11
-
Annealing Study for Color EL Devices
Noboru MIURA
Conference Proceedings of 12th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence & 2004 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting 77-79 2004.9
-
Color Phosphors for Inorganic Electroluminescent Devices
Noboru Miura
Society for Information Display 2004 International Symposium Digest of Technical Papers XXXV 1142-1145 2004.5
-
Electrical properties of β-FeSi2/Si Hetero-Diode Improved by Pulsed Laser Annealing
Keiichi Tsuchiya, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, Ryotaro Nakano, and Shin-ichiro Uekusa
Material Research Society・Symposium Proceedings 799 133-138 - 138 2004
-
New red-emitting CaY2S4 : Eu thin-film electroluminescent devices
M Kawanishi, N Miura, H Matsumoto, R Nakano
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42 ( 1A-B ) L42 - L43 2003.1
-
Composition of β-FeSi2 Thin-films Grown by a Pulsed Laser Deposition Method
Shin-ichiro Uekusa, Masahiro Yamamoto, Keiichi Tsuchiya and Noboru Miura
Material Research Society・Symposium Proceedings 744 309-312 - 314 2003
-
無機EL赤色蛍光体
化学工業日報 2002年12月6日
2002.12
-
New II-Y2-S4 Phosphors for Electroluminescent Devices
Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Society for Information Display (SID)・Proceedings of The Ninth International Display Workshops (IDW'02) 1407-1408 2002.12
-
高輝度青色発光素子の開発動向
三浦登
技術情報協会・マテリアルステージ 2 ( 7 ) 23-29 2002.10
-
Possibility of RGB Emission by Eu2+ ion doped IIa-IIIb2-S4 phosphors for Full Color Inorganic Electroluminescent Displays
Mitsuhiro Kawanishi, Yoshiaki Ono, Ryo Nakagawa, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Proceedings of 11th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescece & 2002 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting 2002.9
-
Mn2+ and Eu2+ Doped Barium Zinc Sulfide Phosphors
Ryo Nakagawa, Yuichi Kinoshita, Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Proceedings of 11th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescece & 2002 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lighting 2002.9
-
Improved luminous efficiency of blue-emitting BaAl2S4:Eu electroluminescent devices
Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, Ryotaro Nakano
The Institute of Image Information and Television Engineers・The Journal of the Institute of Image Information and Television Engineers 56 ( 8 ) 1273-1278 - 1278 2002.8
-
Recent R&D Trends and Future EL DIsplay challenges
Noboru Miura
44 ( 9 ) 17-20 2002.7
-
Crystallographic and Iuminescent charcterization of blue-emitting BaAl2S4:Eu electroluminescent thin films
Isao Tanaka, Youji Inoue, Katsu Tanaka, Yoshitaka Izumi, Shinji Okamoto, Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Elsevier ・ Journal of Luminescence 96 ( 1 ) 69-74 - 74 2002.1
-
Evaluation of hafnium-titanium-oxide thin films prepared by reactive sputtering
Hironaga Matsumoto, Kimio Ando, Noboru Miura, Ryotaro Nakano
Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 45 ( 1 ) 18 - 25 2002
-
Preparation of Efficient Blue Emitting BaAl2S4:Eu Thin Films without High Temperature Annealing
Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Society for Information Display (SID)・Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshop(ASIA DISPLAY / IDW'01) 1075-1078 2001.10
-
無機ELディスプレイの最新技術と将来展望
三浦登
工業調査会・国際技術情報誌『M&E』 28 ( 11 ) 152-156 2001.10
-
BaAl2S4:Eu Phosphor for Full-Color EL Display
Noboru Miura
Society for Information Display (SID)・Proceedings of The 21st International Display Research Conference in conjunction with The 8th International Display Workshop (ASIA DISPLAY / IDW'01) 1059-1062 2001.10
-
Hironaga Matsumoto, Masato Sekine, Noboru Miura and Ryotaro Nakano
25(81) ( 25 ) 1-9 - 9 2001.9
-
悲願の青色発光－BaAl2S4:Eu青色蛍光体薄膜からの高輝度EL－
三浦登
テクノタイムズ・月刊ディスプレイ 7 ( 9 ) 53-58 2001.9
-
Present Status and Prospects of Inorganic EL Devices
Noboru Miura
Materials Integration Electronic Ceramics 14 ( 9 ) 41-45 2001.9
-
Atomic Composition and Structural Properties of Blue Emitting BaAl2S4:Eu Electroluminescent Thin Films
Youji Inoue, Isao Tanaka, Katsu Tanaka, Yoshitaka Izumi, Mitsuhiro Kawanishi, Daisuke Barada, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, Ryotaro Nakano
応用物理学欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 40 ( 4A ) 2451-2455 - 2455 2001.4
-
Crystallization of thin-film phosphors by new annealing technique
Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Proceedings of the 10th international workshop on inorganic and organic electroluminescence (EL'00) 121-124 2000.12
-
Blue-emitting BaAl2S4:Eu2+ thin film EL devices
Noboru Miura
Proceedings of the 10th international workshop on inorganic and organic electroluminescence (EL'00) 465-470 2000.12
-
Composition and luminescent properties of blue-emitting BaAl2S4:Eu electroluminescent thin films
Isao Tanaka, Youji Inoue, Shinji Okamoto, Katsu Tanaka, Yoshitaka Izumi, Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Proceedings of the 10th international workshop on inorganic and organic electroluminescence (EL'00) 125-128 2000.12
-
Blue-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-Film Electroluminescent Devices Prepared by Two Targets Pulse Electron Beam Evaporation
Noboru Miura, Mitsuhiro Kawanishi, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers ・ IEICE Transactions on Electronics E83-C ( 10 ) 1618-1621 - 1621 2000.10
-
無機EL素子の挑戦－高輝度青色発光素子－
三浦登
テクノタイムズ・月刊ディスプレイ 6 ( 9 ) 53-58 2000.9
-
β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser ablation method
Shin-ichiro Uekusa, Yasuharu Watanabe, Noboru Miura and Yasuhiro Aida
Proceeding of Japan-UK joint workshop on ecologically friendly semiconductors 77-79 2000.8
-
Optical Properties of the Hafnium doped vanadium oxide thin-films prepared by RF reactive sputtering
Hironaga Matsumoto, Yusuke Ato, Noboru Miura, Ryotaro Nakano
Memoirs of the institute of science and technology, Meiji University 39 ( 8 ) 61-68 - 68 2000.3
-
Eu 2+-doped barium thioaluminate EL devices prepared by two-target pulsed-electron-beam evaporation
Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matumoto, Ryotaro Nakano
Journal of the Society for Information Display 8 ( 3 ) 247 - 251 2000
-
β-FeSi2 thin-films-grown by a pulsed laser deposition method
Shin-ichiro Uekusa, Yasuharu Watanabe, Noboru Miura, Ysuhiro Aida
Material Research Society・Symposium Proceedings ??? ??-?? 2000
-
Blue Emitting BaAl2S4:Eu TFEL Devices Prepared by Two Targets Pulse Electron Beam Evaporaton
Mitsuhiro Kawanishi, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Society for Information Display (SID)・Proceedings of the sixth international display workshops(IDW'99) 821-824 1999.12
-
High-Luminance Blut-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-film Electroluminescent Devices
Noboru Miura, Mitsuhiro Kawanishi, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
応用物理学欧文誌刊行会・Jpnease Journal of Applied Physics 38 ( 11B ) L1291-L1292 - L1292 1999.11
-
Eu concentration dependence of excitation and emission spectra in BaF2:Eu single crystals
Hironaga Matsumoto, Toshifumi Suda, Noboru MIura and Ryotaro Nakano
16(72) ( 16 ) 23-30 - 30 1997.3
-
Electroluminescence Spectra for Tb3+ doped ZnrxCdxS thin-films
Noboru Miura, Teruhiko Namiki, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Elsevier ・ Journal of Luminescence 72-74 999-1001 - 1001 1997
-
Electroluminescenct devices of electron-beam evaporated II-III2VI4 hosts
Noboru Miura, Akira Ogura, Katsuhiro Ohashi, Teruhiko Namiki, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Science Press・Proceedings of 1994 International Workshop on Electroluminescence 1994
-
Electroluminescent Spectra of rare-earth-doped ZnS1-x Sex thin films
Noboru Miura, Kiyoshi Ogawa, Shuko Kobayashi, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Elsevier ・ Journal of Crystal Growth 138 ( 1-4 ) 1046-1050 - 1050 1994
-
Blue-emitting EL Materials : Several Host Materials
Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Display and Imaging 3 195-201 1994
-
Blue Emitting CaF2:Eu Thin Film Electroluminescent Device
Toshiyuki Oka, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Research Reports, School of Science and Technology, Meiji University 8(64) ( 8 ) 1-7 - 7 1993.3
-
Takashi Sasaki, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Research Reports, School of Science and Technology, Meiji University 8(64) ( 8 ) 9-13 - 13 1993.3
-
Electroluminescence for CdF2 and ZnF2 Thin-Film Doped with Rare Earth Ions
Takashi Sasaki, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Research Reports, School of Science and Technology 8(64) ( 8 ) 15-22 - 22 1993.3
-
Excitation process for AC thin film electroluminescent devices doped with localized emission center
Noboru Miura
7(63) 31-62 1993.1
-
Effects of UV light irradiation on ZnS:TbFx thin film electroluminescent devices
Yoichiro Yamamoto, Noboru Miura, Takashi Sasaki, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
5(61) ( 5 ) 49-62 - 62 1992.3
-
Blue emitting electroluminescence in ZnS:Tm3+ thin films
Hiroshi Ohata, Noboru Miura, Tetsuo Ishikawa, Toshiyuki Oka, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
5(61) ( 5 ) 29-35 - 35 1992.3
-
Electroluminescence from Y2O2S:Eu thin films
Hiroshi Ohata, Noboru Miura, Tetsuo Ishikawa, Toshiyuki Oka, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
5(61) ( 5 ) 37-41 - 41 1992.3
-
Transient Behavior in ZnS:TbFx Thin-Film Electroluminescent Devices Excited by Very Short Pulse
Noboru Miura, Hiranaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 31 ( 2A ) 288-294 - 294 1992.2
-
Band-Gap Energy Dependence of Emission Spectra in Rare Earth-Doped Zn(1-x)CdxS Thin-Film Electroluminescent Devices
Noboru Miura, Takashi Sasaki, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 31 ( 2A ) 295-300 - 300 1992.2
-
Several Blue-Emitting Thin-Film Electroluminescent Devices
Noboru Miura, Tetsuo Ishikawa, Takashi Sasaki, Toshiyuki Oka, Hiroshi Ohata, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
応用物理学欧文誌刊行会・Japanese Journal of Applied Physics 31 ( 1A/B ) L46-L48 - L48 1992.1
-
Electroluminescence of ZnF_2 Thin-Films Doped with Rare-Earth Ions
Noboru Miura, Takashi Sasaki, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
応用物理学欧文誌刊行会・Japanese Journal of Applied Physics 31 ( 1 ) 51-59 - 59 1992.1
-
Band-Gap Energy Dependence of Host Materials for Electroluminescent Spectra
Noboru Miura, Kiyoshi Ogawa, Takashi Sasaki, Tetsuo Ishikawa, Toshiyuki Oka, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
CINKO PUNTOS PRESS・Electroluminescence 404-409 - 409 1992
-
Strong Ultraviolet-Emitting ZnF2:Gd Thin Film Electroluminescent Device
Noboru Miura, Takashi Sasaki, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 30 ( 10B ) L1815-L1816 - L1816 1991.10
-
ZnS:CeClx薄膜エレクトロルミネッセンス素子における発光の過渡的振舞
山本陽一郎*(大学院生), 三浦登*(大学院生), 松永浩永(助手), 中野鐐太郎(教授)
明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 3(59) ( 3 ) 31-36 - 36 1991.3
-
Transient Characteristics of Emission in ZnS : Mn Thin-Film Electroluminescent Devices
Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Society for Information Display (SID)・Proceedings of the Society for Information Display 32 ( 3 ) 219-222 1991
-
Transient behavior in ZnS:TbFx thin film electroluminescent devices
Noboru Miura, Yoichiro Yamamoto, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
2(58) 25-32 1990.4
-
三浦登*(大学院生), 大畑浩*(大学院生), 松永浩永(助手), 中野鐐太郎(教授)
明治大学理工学部・明治大学理工学部研究報告 1(57) ( 1 ) 39-44 - 44 1990.3
-
Transient Behavior of Photoluminescence and Electroluminescence in ZnS Thin Film Deped with Tb3+ion
Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Finnish Academy of TechnologyActa Polytechnica Scandinavica 170 ( 170 ) 241-244 - 244 1990
-
Transient characteristics of emission in ZnS:Mn thin film electroluminescent devices
Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Society for Information Display (SID)・Proceedings of the 9th international display research conference (JAPAN Display '89) 70-73 1989.10
-
ZnS薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光過渡特性における発光層の熱処理温度依存
三浦登*(大学院生), 松永浩永(助手), 中野鐐太郎(教授)
明治大学科学技術研究所・明治大学科学技術研究所紀要 27 ( 9 ) 69-78 1989.3
-
Emission Properties in Thin Film ZnS Electroluminescent Devices
Jun Shimada, Tadao Endo, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
56 ( 56 ) 33-38 - 38 1989.1
-
Fabrication of the alternating pulse generator for excitation of electroluminescent devices
Norio Sakagami, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
56 ( 56 ) 27-32 - 32 1989.1
-
Time Resolved Emission Spectra in ZnS Thin Film Electroluminescent Devices
Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
Springer-Verlag・Springer Proceedings in Physics 38 Electroluminescence 44-47 1989
-
Broad Band Emission Behaviors in ZnS Thin Film Electroluminescent Devices
Ryotaro Nakano, Hironaga Matsumoto, Tadao Endo, Jun Shimada, Norio Sakagami and Noboru Miura
応用物理欧文誌刊行会・Japanease Journal of Applied Physics 27 ( 11 ) L2103-L2104 - L2104 1988.11
Books
-
植物工場生産システムと流通技術の最前線
（ Role： Joint author植物工場用新規光源の開発）
株式会社エヌ・ティー・エス 2013.4 （ ISBN:9784864690614 ）
-
レアメタル便覧
足立吟也 他（ Role： Joint author）
丸善 2011.1
-
FPDの比較と製造プロセス
三浦登他（ Role： Joint author）
株式会社 情報機構 2008.5
-
FPDの比較と製造プロセス
（ Role： Joint author）
株式会社 情報機構 2008.5
-
希土類の材料技術ハンドブック
足立吟也, 國本崇, 中西洋一郎, 坂野晋, 三浦登, 他122人（ Role： Joint author）
株式会社エヌ・ティー・エス 2008.5
-
発光と受光の物理と応用
日本学術振興会 光電相互変換第125委員会編 小林洋志 監修 中西洋一郎・波多腰玄一 編著 小林洋志・國本崇・斉藤博・川上養一・大観光徳・小林正和・三村秀典・三浦登・他30名（ Role： Joint author）
培風館 2008.3
-
ラボレベル・研究開発初期で必要となる発光素子、発光デバイス開発のための基礎技術・装置・測定・評価法
戸田健司・藤原忍・山田浩志・河本康太郎・三浦登・他19人（ Role： Joint author）
情報機構 2008.3
-
薄膜ハンドブック（第２版）
吉田貞史他（ Role： Joint author）
株式会社オーム社 2008.3
-
FPD･DSSC･光メモリーと機能性色素の最新技術と材料開発
（ Role： Joint author）
技術教育出版社 2008.1
-
無機ＥＬ開発動向
三浦登・岡本信治・南内嗣・矢澤哲夫・植田和茂・山中明生・峯元高志・田中滋・石川由加里・柴田典義・森茂龍一・佐藤利文・大観光徳・平川洋平・上村明・大西秀臣・田口信義・片山雅之・和迩浩一（ Role： Joint author）
情報機構 2007.3
-
PHOSPHOR HANDBOOK Second Edition
（ Role： Joint author）
CRC Press (Taylor & Francis Group) 2007.1
-
図解電子ディスプレイのすべて
株式会社 工業調査会 2006.10
-
ナノマテリアル工学大系 第1巻ニューセラミックス･ガラス
株式会社 フジ・テクノシステム 2005.10
-
高効率希土類蛍光体とその応用
安藤昌儀 他27名
株式会社 ティー・アイ・シィー 2005.1
-
有機ＥＬディスプレイの最新技術動向
三浦登
株式会社 情報機構 2003.4
Presentations
-
Nb:SrTiO<SUB>3</SUB>を用いたキャリヤ密度傾斜薄膜における熱応答および光応答の評価
秋谷昌吾, 三浦登
2023年 日本セラミックス協会年会 2023.3 日本セラミックス協会
-
ZnO:Al を用いたキャリヤ密度傾斜薄膜における熱応答および光応答の評価
山田 佳周・三浦 登
2021年 日本セラミックス協会年会 2021.3 日本セラミックス協会
-
エレクトロルミネッセンス素子の進展と課題 Invited
第385回蛍光体同学会講演会 2021.11 蛍光体同学会
-
Ｐ型半導体を用いた直接衝突励起型直流ＥＬ素子の試作
三浦登 柳原邦俊
第379回蛍光体同学会講演会 2020.2 蛍光体同学会
-
Thermoelectric and photoelectric characteristics of graded films using Nb-doped SrTiO<SUB>3</SUB> International conference
Tatsuhiko Inomoto and Noboru Miura
The Pacific Rim Conference of Ceramic Societies 13 2019.10 The American Ceramic Society, The Ceramic Society of Japan, The Chinese Ceramic Society, The Korean Ceramic Society and The Australian Ceramic Society
-
Effects of anode-side-CeO<SUB>2</SUB> layer on characteristics of DC-EL device
2019.9
-
亜酸化銅を用いた直流 EL 素子からの低電圧発光
柳原邦俊 三浦登
第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019.9 応用物理学会
-
電機がつくる農業 Invited
三浦登
応用科学会 講演会 2019.2 応用科学会
-
PLD法により作製されたCa0.6Sr0.4TiO3:Prを発光層とするEL素子の電気的特性
青木光子, 池上敬一, 米川公博, 三浦登, 高島浩
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014.3 応用物理学会
-
Vertical Light Coupling Between Silicon Vertically-Curved Waveguide and Optical Fiber
2014.3
-
Silicon wire waveguide based optical switching device employing IPS liquid crystal
2014.3
-
簡易なプロセスにより酸化物蛍光体を発光層に用いたセラミックスEL素子の検討
本多勇輝, 三浦登, 松本皓永
日本セラミックス協会2014年年会 2014.3 日本セラミックス協会
-
Study of Carrier injection light-emitting devices using D-A Pair phosphor
2014.1
-
Electroluminescence from DC Biased ZnS:TbF3 Phosphor Layers Having Oxide Semiconductor
K. Yanagihara, N. Miura, H. Matsumoto
The 20th International Display Workshops (IDW'13) 2013.12 Society for Information Display
-
ペロブスカイト型酸化物蛍光体ナノ粒子を用いた粉末型EL素子
中川裕希, 三浦登, 伯田幸也, 青木光子, 高島浩
第26回日本セラミックス協会秋季シンポジウム 2013.9
-
Vertically-Curved Silicon Waveguide Fabricated by Ion-Induced Bending Method for Vertical Light Coupling
T. Yoshida, T. Nishi, S. Tajima, R. Takei, M. Suzuki, E. Omoda, M. Nagao, N. Miura, M. Mori, and Y. Sakakibara1, 2
The 10th International Conference on Group IV Photonics 2013.8 IEEE Photonics Society
-
The Present Status and Future Prospects of Display Research
2013.7
-
酸化物半導体薄膜を用いた直流無機薄膜 EL 素子のアニール温度依存性
岡本正伸,三浦登
第60回応用物理学会春季学術講演会 2013.3 応用物理学会
-
量子効率測定による無機EL素子における発光特性の検討
岩田祐磨,堀口朋希,三浦登,松本皓永
第60回応用物理学会春季学術講演会 2013.3 応用物理学会
-
市販200V級GaN-HEMTとSi-SJMOSFETのスイッチング損失分析
南智也,長南紘志,井手利英,清水三聡,三浦登
第60回応用物理学会春季学術講演会 2013.3 応用物理学会
-
Epitaxial growth of ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs films on Ge(001) substrate
Yuki Sato, Aurélie Spiesser,Hidekazu Saito, Sinji Yuasa, K. Ando, Noboru Miura
The 60th JSAP Spring Meeting, 2013 2013.3 応用物理学会
-
無機EL素子の内部量子効率に与えるホットエレクトロンの振舞い
堀口朋希, 岩田祐磨, 三浦登, 松本皓永
2013年 日本セラミックス協会年会 2013.3 日本セラミックス協会
-
Thin film perovskite electroluminescence with ferroelectric BaTiO3 films as insulating layers
Hiroshi Takashima and Noboru Miura
The 19th International Display Workshops (IDW2012) 2012.12 Society of Information Display
-
Switching Loss Analysis of Commercial 200V class GaN-HEMT and Si-Superjunction MOSFET
21st Meeting on SiC and Related Wide Bandgap Semiconductors 2012.11
-
Luminescence Properties of Perovskite Oxide Thin-Film Phosphors
Kimihiko Yonekawa, Yuuki Nakagawa, Noboru Miura, Hiroshi Takashima
International Symposium on Rare Earth in 2012 2012.11 The Rare Earth Society of Japan
-
Electroluminescence of BaSO4:Eu Thin-Film Phosphors
Ryo Morita and Noboru Miura
International Symposium on Rare Earths in 2012 2012.11 The Rare Earth Society of Japan
-
Ceramic EL device using Submicron Sized Oxide Phosphors
2012.9
-
局在型発光中心を用いたＥＬ素子用微粒子蛍光体
中村真澄, 三浦登, 松本皓永
日本セラミックス協会 2012年年会 2012.3 日本セラミックス協会
-
キュリー温度シフトによる無機ＥＬ用チタン酸バリウム高誘電率厚膜の作製
椿尚之, 三浦登, 松本皓永
日本セラミックス協会 2012年年会 2012.3 日本セラミックス協会
-
等価回路モデルを用いたGaN-HEMTのスイッチング特性比較
南智也,井手利英,清水三聡,三浦登
第59回応用物理学関係連合講演会 2012.3 応用物理学会
-
カーボンナノチューブ含有ポリイミド非線形光導波路とBCB導波路の異種接続ハイブリッド化作製技術の開発
正影淳行,片浦弘道,三浦登,榊原陽一
第59回応用物理学関係連合講演会 2012.3 応用物理学会
-
Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3ペロブスカイト蛍光体薄膜の非線形導電現象
池上 敬一,陸 明,大野 龍蔵,米川 公博,三浦登,高島浩
第59回応用物理学関係連合講演会 2012.3
-
Nonlinear Electrical Current Observed for Thin Films based on a Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3 Directly Sandwiched by Electrodes
Keiichi Ikegami, Lu Ming, Ryuzoh Ohno1, Kimihiro Yonekawa, Noboru Miura, Hiroshi Takashima
The 21st MRS-Japan ACademic Symposium 2011.12 The Material Research of Japan
-
Nonlinear Electrical Properties of Thin Films of a Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3
Keiichi IKEGAMI1, LU Ming1, Ryuzoh OHNO2, Kimihiro YONEKAWA, Noboru MIURA and Hiroshi TAKASHIMA
International Union of Materials Research Societies (IUMRS) International Conference Asia 2011.9
-
Nonlinear Electrical Properties of Thin Films ofa Light-Emitting Perovskite-Type Oxide Pr0.002(Ca0.6Sr0.4)0.997TiO3
Keiichi IKEGAMI, LU Ming, Ryuzoh OHNO, Kimihiro YONEKAWA, Noboru MIURA, Hiroshi TAKASHIMA
International Union of Materials Research Societies (IUMRS) International Conference Asia 2011.9
-
ＣａＳｒＴｉＯ３：Ｐr単層膜ＥＬ素子の発光特性
米川公博, 大野龍蔵, 三浦登, 高島浩, 池上敬一
日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム 2011.9 日本セラミックス協会
-
チタン酸バリウム厚膜誘電体を用いた分散型無機ＥＬ素子の検討
椿尚之, 三浦登, 松本皓永, 中村真澄, 岩田祐麿
日本セラミックス協会 第24回秋季シンポジウム 2011.9 日本セラミックス協会
-
Theoretical study of GaN and SiC schottky barrier diode
T. Minami, T. Ide, H. Chonan, M. Shimizu, N. Miura
2011.3
-
Fabrication of Single-Mode Nonlinear Optical Waveguide Including Carbon Nanotube Using Channel-Pouring Method
T. Masakage, R. Kaji, E. Itoga, K. Nakanishi1, H. Kataura, M. Mori1, N. Miura, Y. Sakakibara
2011.3
-
AC EL from ZnS:Mn Powder
2011.2
-
High luminance inorganic EL sheets basd on "peel-off" process
Naoyuki Tsubaki
15th International workshop on inorganic and organic electroluminescence 2010.9 St-petersburg State Institute of Technology
-
Electroluminescence from SrTiO3: Pr, Al epitaxial thin films
2010.9
-
セラミックシートを用いた高輝度EL素子
三浦登, 椿尚之
光電相互変換 第125委員会 第209回研究会 2010.8 日本学術振興会
-
BaAlF5:Eu Electroluminescent Devices Prepared by Two-targets Pulsed-Electron-Beam Evaporation
2010.3
-
Si doped AlN:Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Sputtering Methoed
2010.1
-
BaAL2S4:Eu EL Devices Prepared by DC-Reactive-Sputtering
2010.1
-
Continual Challenge in The Development of Inorganic Phosphor based EL Devices
International Workshop on Field Emitter and Semiconductor Materials and Devices 2010.1 Research Institute of Electronics, Shizuoka University
-
BaTiO3誘電体シート上の薄膜ＥＬ素子
井手大輔, 石間孝郎, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
第48回セラミックス基礎科学討論会 2010.1 日本セラミックス協会基礎科学部
-
Low-Electric-Field-Driving Electroluminescence in ((Ca0.6Sr0.4)0.997Pr0.002)Ti3 and SrTiO3 perovskite Films
H. Takashima, N. Miura, Y. Inaguma, K. Ueda, and M. Itoh
The 16th International Display Workshops (IDW' 09) 2009.12 ITE, SID
-
物理計測のための面発光素子
第5回学際領域における分子イメージングフォーラム 2009.11 宇宙航空研究開発機構（JAXA)
-
Continual Challenge in The Development of Electroluminescent Devices
International Symposium for Phosphor Materials 2009 in Niigata (The Phosphor Safari) 2009.11
-
Improvement of the Phosphor Performance for BaAl2S4:Eu Blue-emitting Thin-films with Fluoride Compounds
RunHong Guo*, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
The 11th Asian Symposium on Information Display (ASID’09) 2009.10 Sun Yat-sen University Hong Kong University of Science and Technology Ministry of Science and Technology of China Department of Information Industry of Guangdong Province
-
Electroluminescence in perovskite oxide (Ca0.6Sr0.4)TiO3:Pr thin films with BeTiO3 insulatino layers
2009.9
-
Preparation of thick-film dielectric sheets for EL devices
2009.9
-
BaAl2S4:Eu electroluminescence devices prepared by DC reactive sputtering
2009.9
-
Photoluminescence properties of β-FeSi2 thin-film orepared by pulsed laser deposition
2009.9
-
Study of BaAl2S4:Eu EL devices Using Thick-Dielectric Film
2009.9
-
Perceptibility of environmental sounds by earphone wearers listening to pop and rock music
Kazuhiro Hara, Kaoru Ashihara
2009.6
-
Electroluminescence in perovskite oxide (Ca0.6Sr0.4)TiO3:Pr thin films
2009.3
-
Study of BaAl2S4:Eu EL Devices Using Thick Dielectric Film
2009.1
-
Inorganic Electroluminescence from ZnS Based Phosphors
2008.12
-
High-Luminance from Localized Emission Center Phosphor in Powder-Type EL Device
T.Higuchi, Y.Matsuura, and T.Muramatsu・
The 15th International Display Workshops 2008.12
-
ELディスプレイ・EL照明の可能性
日本電子材料技術協会 第45回秋季講演大会 2008.11
-
白金パラジウム酸化物薄膜の電気特性と光学特性の評価
岩井裕貴, 中川晃一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永
第49回真空に関する連合講演会 2008.10 日本真空協会
-
WO3-Bi2O3混合薄膜の作製と評価
中川晃一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永
第49回真空に関する連合講演会 2008.10 日本真空協会
-
無機EL素子材料と発光デバイスの特性改善
日本セラミックス協会 第21回秋季シンポジウム 2008.9
-
Ti系ペロブスカイト型酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜の作製と透明性
高島浩, 手塚裕之, 蛯名武雄, 植田和茂, 稲熊宣之, 島田康平, 三浦登, 伊藤満
日本セラミックス協会 第21回秋季シンポジウム 2008.9 日本セラミックス協会
-
New Trial of Inorganic EL Devices
14th International Workshop on Inorganic and Organic Electrolumienescence & 2008 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lightings 2008.9
-
Fluorine Effects on BaAl2S4:Eu Blue-Emitting Phosphors
Noboru Miura, Guo Runhong, Nobutoshi Kishi, Hironaga Matsumoto and Ryotaro Nakano
14th International Workshop on Inorganic and Organic Electrolumienescence & 2008 International Conference on the Science and Technology of Emissive Displays and Lightings 2008.9
-
Pr添加Ti系ペロブスカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の赤色蛍光特性（II)
高島浩, 植田和茂, 稲熊宣之, 三浦登, 伊藤満
第69回応用物理学会学術講演会 2008.9 応用物理学会
-
フッ素添加による青色蛍光体BaAl2S4:Euの特性変化
郭潤洪, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
第69回応用物理学会学術講演会 2008.9 応用物理学会
-
有機/無機ハイブリッド構造を有するZnS:Cu,Cl直流キャリヤ注入EL素子
蘇傑, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
第69回応用物理学会学術講演会 2008.9 応用物理学会
-
BaAl2S4:Eu成膜時のZnS添加効果
磯村亮輔, 岸伸年, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
第69回応用物理学会学術講演会 2008.9 応用物理学会
-
無機ELの新しい試み
光電相互変換第１２５委員会「本委員会201回・EL分科会第33回」 2008.7 日本学術振興会
-
BaAl2S4:Eu 青色蛍光体膜におけるフッ素化合物の添加効果
光電相互変換第１２５委員会「本委員会201回・EL分科会第33回」 2008.7 日本学術振興会
-
無機ＥＬディスプレイの最新動向と展望
有機デバイス研究会 第72回研究会 2008.4
-
スパッタリング法による Si 添加 AlN:Eu薄膜の作製
福士貴宣, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎・第55回応用物理学関係連合講演会 29p-ZJ-4
2008.3
-
反応性同時スパッタリングにより作製した白金パラジウム混合酸化物薄膜の光学特性
岩井祐貴, 中川晃一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永・第55回応用物理学関係連合講演会 28a-M-11
2008.3
-
ペロブスカイトSrTiO3:Pr,Alエピタキシャル薄膜の作製と蛍光特性
島田康平, 高島浩, 稲熊宜之, 三浦登・第55回応用物理学関係連合講演会 28p-ZD-3
2008.3
-
レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2薄膜の表面構造および結晶性評価
三村智博, モハマド・ザキル・ホセイン, 福田朋宏, 三浦登, 植草新一郎・第55回応用物理学関係連合講演会 29p-C-12
2008.3
-
ZnS D-Aペア蛍光体にIII-V族化合物を添加した無機ＥＬ素子の作製(4)
渋沢壮一, 竹安祐二, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎・第55回応用物理学関係連合講演会 28a-ZD-11
2008.3
-
Local Structure around Ba2+ and Eu2+ Ions in Blue Luminescent BaAl2S4:Eu Thin Films
2008.1
-
Luminescence GdF3 co-doped BaAl2S4:Eu blue-emitting phosphors
2008.1
-
B添加によるBaAl2S4:Eu青色蛍光体の特性改善
郭潤洪, 顔将帥, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎 ・ 静岡大学
2008.1
-
Local Structure around Ba2+ and Eu2+ Ions in Blue Luminescent baAl2S4:Eu Thin-Films
Shinji Okamoto, T.Honma, Katsu Tanaka, Runhong Guo, and Noboru Miura, The 14th International Display Workshop (IDW'07), Sapporo Convention Center
2007.12
-
無機発光材料の現状と課題
第84回金属材料研究会(日本電子材料技術協会)
2007.11
-
Nドープ酸化タングステン薄膜の作製と評価
中川晃一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永・第48回真空に関する連合講演会(学習院大学)
2007.11
-
Inorganic EL phosphors based on ZnS doped with some elements
2007.11
-
Characterization of β-FeSi2/Si hetero-junction diodes prepared with laser-ablated Fe films.
2007.9
-
Effects on GdF3 co-doping for BaAl2S4:Eu blue-emitting phosphors
2007.9
-
（Sr, Ca, Ba）TiO３: Pr, Alの組成比における蛍光特性の変化
(明治大学・産業技術総合研究所)○島田康平, (産業技術総合研究所)高島浩, 王瑞平, (明治大学)三浦登, (東京工業大学)伊藤満・日本セラミックス協会 第20回秋季シンポジウム(2007年)
2007.9
-
Local structure of Ba and doped Eu in Inorganic Electroluminescent Thin Film BaAl2S4:Eu studied by XAFS
2007.9
-
Discussion on high-luminance ZnS Phosphor for electroluminescent devices
2007.9
-
Preparation of Platinum and Palladium Composite Oxide Thin Films Deposited by Reactive Sputtering
2007.9
-
Optical Properties of Au-doped V2O5 Thin Films Prepared by Reactive Sputtering
2007.9
-
Optical Properties of Molybdenum Oxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering
2007.9
-
Substrate Temperature Dependence of Bi2O3-TiO2 Thin Films Prepared by RF Sputtering Method
2007.9
-
Electroluminescence from ZnS D-A Pair Type Phosphors Doped with Ⅲ-Ｖ Compounds (3)
2007.9
-
Effects on AlF3-doping during the deposition of BaAl2S4:Eu thin-film phosphors
2007.9
-
無機ELデバイスの新展開・ディスプレイと照明応用 〜蛍光体技術・構造・作製技術〜
総評会館4階 サイエンス&テクノロジー株式会社主催
2007.8
-
High Luminance Phosphors for Electroluminescent Devices
26th Electronic Materials Symposium (EMS-26) Laforet Biwako, Shiga July 5th (Thu)
2007.7
-
Flux Effects on BaAl2S3:Eu,F Blue-Phosphors
Runhong Guo, Noboru Miura, Hironaga Matsumoto, and Ryotaro Nakano・Society for Information Display 2007 International Symposium
2007.5
-
RT CNT Single Electron Transistor Formed by RF Plasma
2007.3
-
Ternary Compound Phosphors for Electroluminescent Displays
Asia Diaplay 2007, Shanghai, Mar.15
2007.3
-
Electroluminescence from ZnS D-A Pair Type Phosphors Doped with III-V Compounds (2)
2007.3
-
Present Status of Distributed and Thin-Film Inorganicc EL
2007.2
-
Luminescent Properties of ZnS Doped with Ⅲ-Ⅴ Semiconductors
2007.1
-
Optical Properties of Electron-Beam-Evaporated BaAl2S4:Eu Thin-films
2007.1
-
ＦＰＤ(フラットパネルディスプレイ）最新技術と材料開発 無機ＥＬディスプレイ
神奈川科学技術アカデミー(KAST)
2007.1
-
無機ＥＬの動向と今後の展望
乳業会館C会議室 (ISS産業科学システムズ)
2006.12
-
Effects of V2O5 interlayer on ZnS:Mn-ACTFEL Devices
13th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence joint with 2006 International Conference on the Science and Technology of Emissive Display and Lighting, September 21, 2006, JEJU, Korea Jong Hyuk Kang, Dong Chin Lee, Noboru Miura, Sum Jin Yun, and Duk Young Jeon
2006.9
-
Phosphor Studies for Color EL Devices
13th International Workshop on Inorganic and Organic Electroluminescence joint with 2006 International Conference on the Science and Technology of Emissive Display and Lighting, September 21, 2006, JEJU, Korea
2006.9
-
無機ELの動向と今後の展開
トリケップス・セミナー
2006.9
-
Electroluminescence from ZnS D-A Pair Type Phosphors Doped with III-V Compounds
2006.8
-
Red-Emitting CuAl2S4:Mn Thin-Films for Electroluminescent Devices
2006.8
-
無機ELの開発および材料・素子のトレンドと製造技術
情報機構(大田区産業プラザ)
2006.7
-
Capacitance Temperature Sensor Made of Ferroelectric (Sr1-xCax)TiO3 for Cryogenic Temperatures
2006.5
-
無機ＥＬの新展開 〜動向と今後の展望
ISS産業科学システムズ 5月25日
2006.5
-
無機ＥＬ素子の作製方法と最新動向
4月6日 ULVAC
2006.4
-
無機ＥＬの今後の開発の動向
照明学会 世代高品位ディスプレイ研究調査委員会 研究会 3月17日
2006.3
-
Thermal-Diffusion of The Atoms in Laser-Abrated B-FeSi2 Thin-Films
2006.3
-
反応性スパッタリング法によるV添加Ag酸化物薄膜の光学的特性
○張 善齢,中川晃一,三浦 登,松本節子,中野鐐太郎,松本皓永・ 第53回応用物理学学術連合講演会(武蔵工業大)
2006.3
-
反応性スパッタリング法による白金酸化物薄膜の光学的特性
○岩井祐貴,中川晃一,津田俊幸,三浦 登,松本節子,中野遼太郎,松本皓永 第53回応用物理学会関係連合講演会(2006春 武蔵工業大)
2006.3
-
無機ＥＬの原理・作製と開発動向
3月22日 星和電機
2006.3
-
無機ＥＬの最新動向
3月8日 大日本印刷
2006.3
-
多元同時反応性スパッタリング法による不純物添加W酸化物薄膜のフォトクロミック特性
○中川晃一,三浦 登,中野鐐太郎,松本節子,松本皓永・ 第53回応用物理学学術連合講演会(武蔵工業大)
2006.3
-
無機ＥＬ素子の現状と開発動向
2月13日 半導体エネルギー研究所
2006.2
-
無機ＥＬの新展開〜動向と今後の展望
産業科学システムズ 主催
2006.2
-
Chalcopyrite型蛍光体薄膜の発光特性
大藤潤二郎, 川崎大也, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎 電子情報通信学会 -発光型・非発光型ディスプレイ研究会ー 1月27日
2006.1
-
無機ＥＬ用蛍光体の開発現状・課題と発光制御
サイエンス&テクノロジー株式会社 主催
2005.12
-
Full Color Inorganic Electroluminescent Devices
2005.11
-
無機ELの魅力と展望
三菱化学株式会社
2005.10
-
紫外発光ZnF2:Gd薄膜EL素子におけるバッファ層の効果
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 富田晋平, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
2005.9
-
青色発光BaAl2S4:Eu蛍光体のX線解析
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 郭潤洪, 南雲健介, 川崎大地, 三浦登, 松本皓永, 中野鐐太郎
2005.9
-
反応性スパッタリング法によるPd酸化物薄膜の光学的特性（２）
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 岩井祐貴, 小林弘典, 中川晃一, 岩井祐貴三浦登, 松本皓永, 松本節子, 中野鐐太郎
2005.9
-
反応性スパッタリング法によるTa添加Y酸化物薄膜の光学的特性
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 岩井智也, 三浦登, 松本皓永, 松本節子, 中野鐐太郎
2005.9
-
レーザアブレーション法により作製したβ-FeSi2薄膜の長時間アニーリング効果
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 青木邦年, モハマド ザキルホセイン, 福田朋宏, 植草新一郎, 三浦登
2005.9
-
反応性スパッタリング法により作製した窒素添加W酸化物薄膜の光学的特性と電子状態解析（２）
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 中川晃一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永
2005.9
-
Bi2O3-TiO2スパッタリング薄膜における熱処理効果
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 白石佑一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永
2005.9
-
エレクトロルミネッセンス実用化に向けての三元硫化物蛍光体
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 多元系機能材料研究会企画シンポジウム
2005.9
-
反応性スパッタリング法による酸化銀薄膜の光学的特性
第66会応用物理学会学術講演会 徳島大学 張善齢, 中川晃一, 三浦登, 松本節子, 中野鐐太郎, 松本皓永
2005.9
-
無機ＥＬデバイスの開発動向
セミナー「無機ELデバイスの基礎と応用」 日 時: 平成17年8月31日(水) 13:00〜17:15 株式会社クラレ つくば研究所
2005.8
-
無機ELにおける応用製品の開発動向と今後の展望
2005.6.9
2005.6
-
Optical Properties and Annalysis of Electronic Structure of W Oxide Thin Films Doped with Nitrogen Deposited by Reactive Sputtering
2005.3
-
Optical and Electrical Properties of Bi2O3-TiO2 Thin Films Deposited by Sputtering.
2005.3
-
Optical and Electrical Properties of Y Oxide Thin Films deposited by Reactive Sputtering
2005.3
-
BaAl2S4:Eu Thin Films Prepared by Sputtering
2005.3
-
White emitting TFEL devices using hypercomplex sulfide phosphors
2005.1
-
BaAl2S4:Eu thin-films prepared by rf Sputtering
2005.1
-
Thin-Film Electroluminescent Devices Prepared by Laser Annealing Method
2005.1
-
無機EL素子における熱処理技術の新展開
独立行政法人 日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 第186回研究会(12月13日月曜日, 明治大学駿河台キャンパス)
2004.12
-
ELデバイスの技術課題と展望
2004 NTT-AT 技術セミナ
2004.9
-
Optical properties of impurity-doped Pd oxide thin-films deposited by reactive sputtering
2004.9
-
Optical properties and electronic structures analysis of impurity-doped oxide thin films
2004.9
-
Annealing Study for Color EL devices
International conference of Organic and Inorganic Electroluminescence
2004.9
-
薄膜･真空技術が支えるフラットパネルディスプレイ事情
JEOL 第5回 高機能膜ユーザーズミーティング
2004.8
-
SID'04 報告会 －Emissive Display<Inorganic EL, Phosphors>ー
電子情報通信学会技術研究報告 Vol.104, No.172, p15-17. (EID2004-5)
2004.7
-
Color Phosphors for Inorganic Electroluminescent Devices
Society for Information Display 2004 International Symposium
2004.5
-
最新動向をふまえた＜無機・有機＞ＥＬディスプレイの特性比較と将来予測 〜特性評価・生産性・寿命予測・各種用途への可能性等〜
情報機構セミナー
2004.4
-
ZnGa2S4:Mn thin-film electroluminescent devices fabricated by magnetron sputtering
2004.3
-
Electrical Properties of β-FeSi2/Si Hetero-Diode Improved by Pulsed Laser Annealing
◎土屋圭一*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(教授), 中野鐐太(教授), 植草新一郎(教授)
2003.12
-
無機ELディスプレイ
平田機工
2003.10
-
Photoluminescence from β-FeSi2 Thin Film Grown by a Pulsed Laser Deposition Method.
Shin-ichiro Uekusa, Kentaro Momma, Masahiro Yamamoto, Keiichi Tsuchiya and Noboru Miura
2003.10
-
エキシマレーザを用いたプラスチックフィルム上への無機薄膜EL素子の作製
◎森本和紀*(大学院生), 二宮俊英*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(教授), 中野鐐太郎(教授)
2003.9
-
Red emitting inorganic electroluminescent devices including color-changing-mediums technique
2003.9
-
Laser annealed barium titanate thin films prepared by sol-gel processing
2003.9
-
Red emitting ZnGa2S4:Mn thin-film EL devices
2003.9
-
Optical and electric properties of Cr oxide thin films doped with Zr deposited by reactive sputtering
2003.8
-
optical properties and electronic structures analysis of impurity-doped W oxide thin films
2003.8
-
Optical properties of Pd oxide thin films deposited by reactive sputtering
2003.8
-
Optical properties of Zr-Mn oxide thin films
2003.8
-
無機エレクトロルミネッセンスとその研究動向
富士写真フィルム
2003.4
-
ＥＬの最新動向
サンリッツ
2003.4
-
Fabrication of superconducting tunnel junction X-ray detectors by full dry process
2003.3
-
Energy dependence of spatial distribution in STJ X-ray detector
2003.3
-
無機エレクトロルミネッセンスとその研究動向
旭硝子中央研究所
2003.3
-
無機ＥＬの最新動向
双葉電子工業
2003.3
-
Optical properties of W oxide thin films doped with V deposited by reactive sputtering
2003.3
-
無機ELディスプレイの開発動向・無機EL材料の開発動向
産業科学システムズ
2003.3
-
Improvement of crystalinity and electrical characteristics for excimer-laser annealed β-phase iron disilicide
2003.3
-
A pulsed laser ablation method grown β-FeSi2 thin-films using buffer layer
2003.3
-
High color purity green electroluminescent devices using CaAl2S4:Eu
2003.3
-
無機ＥＬディスプレイの技術開発動向
情報機構
2003.1
-
High color purity green electroluminescent devices used Eu2+ doped CaAl2S4
2003.1
-
次世代平面 ディスプレイ の展望 －無機EL－
社団法人 映像メディア学会
2003.1
-
Characteristics of A-(Mg,Zn)-S (A=Ca,Sr,Ba) for EL phosphor
2003.1
-
Mn2+ doped (Zn,Mg)Al2S4 electroluminescent phosphor
2003.1
-
Composition of β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser deposition method
植草新一郎(教授), ◎山本真弘*(大学院生), 土屋圭一*(大学院生), 三浦登(専任講師)
2002.12
-
New II-Y2-S4 phosphors for electroluminescent devices
◎川西光宏*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(教授), 中野鐐太郎(教授)
2002.12
-
無機EL ディスプレイの開発動向
静岡大学電子研究所
2002.12
-
11th international workshop on electroluminescence and 2002 international conference on the science and technology of emission displays and lightings -Inorganic Electroluminescence-
2002.12
-
有機EL vs 無機ELディスプレイ
情報機構
2002.10
-
Mn2+ and Eu2+ doped barium zinc sulfide phosphors
◎中川亮*(大学院生), 木下雄一*(大学院生), 川西光宏*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(教授), 中野鐐太郎(教授)
2002.9
-
Water quantitative analysis of blue-emitting BaAl2S4:Eu thin-films
2002.9
-
Optical properties of W-Nb oxide thin films deposited by reactive sputtering
2002.9
-
Improvement of β-FeSi2 crystalline preparing a pulsed laser abration method by using the long-time and high temperature annealing
2002.9
-
Electrical structures analysis of impurity-doped Mo oxide thin films
2002.9
-
Optical properties of nickel-titanium oxide thin films deposited by sputtering
2002.9
-
Fabrication of superconducting tunnel junctions with lift-off technique
2002.9
-
Phosphor Technology for Electroluminescent Display
Philips
2002.9
-
Possibiity of RGB emission by Eu2+ ion doped IIa-IIIb2S4 phosphors for full color inorganic electroluminescent displays
◎川西光宏*(大学院生), 小野義明*(大学院生), 中川亮*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(教授), 中野鐐太郎(教授)
2002.9
-
Mn2+ and Eu2; doped barium zinc sulfide phosphors
2002.7
-
Possibility of fuRGB Emission by Eu2+ ion doped IIa-IIIb2-S4 phosphors for full color electroluminescent displays
2002.7
-
Recent status and prospects of inorganic EL phosphors
2002.6
-
無機ELディスプレイの開発動向と他方式ディスプレイとの比較・検討
産業科学システムズ
2002.5
-
無機ELディスプレイの動作原理と材料・素子の開発、評価
技術情報協会
2002.4
-
Green emitting CaAl2S4:Eu thin-film EL devices
2002.3
-
Surface segregation of β-FeSi2/Si prepared by a pulsed laser ablation method
2002.3
-
BaAl2S4:Eu thin films deposited by laser ablation
2002.3
-
Electronic structure of Molybdenum oxide films calculated by DV-Xα method
2002.3
-
Distribution properties of refractive index of zirconium oxide thin films deposited by sputtering
2002.3
-
Zn-doping effect on CaIn2S4:Eu phosphors
2002.3
-
無機ELディスプレイの開発動向
総合技術センター
2002.3
-
Study of blue-emitting BaAl2S4:Eu Thin-Film by thermal desorption spectroscopy
2002.3
-
BaAl2S4:Eu thin-films prepared by laser ablation technique
2002.1
-
BaMgAl10O17:Eu thin-films prepared by laser ablation
2002.1
-
Annealig process of blue-emitting BaAl2S4:Eu thin-films
2002.1
-
Ternary & multinary sulfide phosphors for electroluminescence
2001.12
-
無機ELディスプレイの開発動向と今後の課題
産業科学システムズ
2001.12
-
Polymer one-dimentional photonic crystal by physical vapor deposition
2001.11
-
BaAl2S4:Eu Phosphors for Full-Color EL Display
Miura, Noboru
2001.11
-
Preparation of Efficient Blue Emitting BaAl2S4:Eu Thin Films without High Temperature Annealing
◎川西光宏*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
2001.11
-
Blue-emitting BaAl2S4:Eu thin-films prepared by anealingless process
2001.9
-
Electrical characteristics of AlN TFEL devices
2001.9
-
Optical and electrical properties of V oxide thin films doped with Zr deposited by reactive sputtering
2001.9
-
Analysis on annealing process of blue-emitting BaAl2S4:Eu thin-film by thermal desorption spectroscopy
2001.9
-
Electrical and optical properties of nickel oxide thin-films deposited by reactive sputtering
2001.9
-
Optical properties of Mo oxide films doped with V deposited by reactive sputtering
2001.9
-
BaMgA110017:Eu thin-films prepared by PLD method
2001.9
-
Laser-ablated β-FeSi2/Si hetero diode
2001.9
-
Electrical properties of β-FeSi2/Si hetero diode prepared by a pulsed laser ablation method
2001.3
-
Effects of Ti in ZrO2, Nb2O5 Thin Films Deposited by Reactive Sputtering
2001.3
-
Optical Properties of Hf Doped V Oxide Thin Films Deposited by Reactive Sputtering(Ⅱ)
2001.3
-
Optical Properties of Mo Oxide Films Deposited by Reactive Sputtering
2001.3
-
Photoluminescence Properties of BaAl2S4: Eu Crystals
2001.3
-
Optical Properties for Sputtered Ti Doped Hf Oxide Thin-Films(Ⅲ)
2001.3
-
Electrical Characteristics of BaAl2S4: Eu EL Devices
2001.1
-
White Emitting undoped Organic Electroluminescent Devices used Super-Thin-Film Layer
2001.1
-
BaAl2S4: Eu Thin Film Electroluminescent Devices Prepared by Conventional Beam Euaporation Method
2001.1
-
Composition and Luminescene Properties of Blue-Emitting BaAl2S4:Eu Thin-Films
◎田中功*(NHK技研・研究員), 井上陽司*(NHK技研・研究員), 岡本信治*(NHK技研・研究員), 田中克*(NHK技研・研究員), 和泉佳孝*(NHK技研・研究員), 川西光宏*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
2000.12
-
Crystallization of Thin-Film Phosphors by New Annealing Technique
川西光宏*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
2000.12
-
Blue-Emitting BaAl2S4: Eu2+ Thin-Film EL Devices
◎Miura, Noboru
2000.12
-
β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser Deposition method
植草新一郎(教授), ◎渡辺靖治*(大学院生), 三浦登(専任講師), 會田康弘*(大学院生)
2000.11
-
BaAl2S4:Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Pulsed Laser Ablation Technique
◎木下雄一*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
2000.11
-
Deposition of BaAl2S4:Eu Phosphor Thin Films by Conventional EB Evaporation
2000.9
-
New High-Luminance blue-emitting TFEL devices(Ⅲ)
2000.9
-
Theoritical calculation of Refractive indices for hybrid oxide thin films
2000.9
-
Optical Properties of Hf Doped V Oxide Thin Films Deposited by Reactive Sputtering
2000.9
-
Effects of Ti in Zro2 Thin Films Deposited by Reactive Sputtering
2000.9
-
Growth mechanism of β-FeSi2 thin-films prepared by pulse-laser-ablation method
2000.9
-
BaAl2S4: Eu Thin-Film EL Devices Prepared by Pulsed Laser Ablation Technique
2000.9
-
Composition Dependence of Bandgap energy in β-FeSi2 thin-films prepared by laser-ablation method
2000.9
-
Optical Properties for Sputtered Ti Doped Hf Oxide Thin-Films(II)
2000.9
-
β-FeSi2 thin-films grown by a pulsed laser ablation method
植草新一郎(教授), ◎渡辺靖治*(大学院生), 三浦登(専任講師), 會田康弘*(大学院生)
2000.8
-
Composition and Optical Properties of Blue-Emitting BaAl2S4:Eu2+ Electroluminescent Thin Films
2000.5
-
AlN thin-film EL devices with SrTiO3 insulator
2000.3
-
An XPS study of BaAl2S4:Eu thin films prepared by switching electron-beam evaporation with two targets
2000.3
-
Effects of Ti in Nb25 films deposited by reactive sputtering
2000.3
-
New high luminance blue-emitting TFEL devices (II)
2000.3
-
Optical properties for sputterd Ti doped Hf oxide thin-films
2000.3
-
Effects of buffer layer doped with impurities on electroluminescence II
2000.3
-
β-FeSi2 thin-films grown by laser ablation method
2000.3
-
PrxSr1 -xTiO3 thin-film EL devices
2000.3
-
Optical properties of BaAl2S4:Eu thin-films prepared by switching electrom-beam evaporation with two targets
2000.3
-
Report on 5th international display phosphor conference -Inorganic-
2000.2
-
Effects of buffer layer for TFEL devices
2000.1
-
Eu2+ doped BaAl2S4 blue emitting thin-film EL devices
2000.1
-
Blue-emitting BaAl2S4:Eu2+ thin-film electroluminescent devices
1999.12
-
Blue Emitting BaAl2S4:Eu TFEL Devices Prepared by Two Targets Pulse Electron Beam Evaporation
◎川西光宏*(大学院生), 三浦登(専任講師), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
1999.12
-
CaIII2S4:Ce Electroluminescent Devices Prepared by Pulse Deposition Technique
◎三浦登(専任講師), 川西光宏*(大学院生), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
1999.11
-
Electroluminescence of BaAl2S4:Eu phosphor thin-films
1999.11
-
New high brightness blue-emitting TFEL devices
1999.9
-
Optical properties for reactive sputtered Ta25:Ti films
1999.9
-
PrxSr1 -xTiO3 thin film EL devices deposited by RF magnetron sputtering
1999.9
-
SrF2 thin film electroluminescence devices
1999.9
-
AlN thin film EL devices doped with rare-earth
1999.9
-
Effects of buffer layer doped with impurities on electroluminescence
1999.9
-
Efficient blue-emitting CaGa2S4:Ce thin-film electroluminescent devices prepared by two targets pulse electron beam evaporation method
1999.1
-
CaAl2S4:Ce thin-film EL devices prepared by two targets pulse electron-beam evaporation
1999.1
-
CaF2:Eu 薄膜EL素子
1998.9
-
Thin-film EL devices of PrxSr1-xTiO3
1998.9
-
CaAl2xGa2(1-x)S4:Ce thin-film EL devices prepared by two point EB evaporation method
1998.9
-
Electroluminescence of Al1-xGaxN thin-films doped with rare-earth ions
1998.3
-
Optical properties of Ta2O5:Ti films deposited by sputtering (II)
1998.3
-
CaAl2S4S4:Ce thin-film EL devices prepared by two point EB evaporation method
1998.3
-
Optical properties of Hf1+xTi1-xO4 films prepared by He gas mixed RF magnetron sputtering (II)
1998.3
-
CaGa2S4:Ce Electroluminescent Devices Prepared by The Two Target Electron-Beam Evaporation
◎三浦豊(助手), 横山高士*(大学院生), 松本皓永(助教授), 中野鐐太郎(教授)
1997.11
-
Optical properties of Hf1+xTi1-xO4 films prepared by He gas mixed RF magnetron sputtering
1997.10
-
Thin-film EL devices of ITO:Ln
1997.10
-
Irradiation He-Cd laser on Zn1-xMgxS thin-film EL devices
1997.10
-
Electroluminescence of AlN thin-films doped with rare-earth ions
1997.10
-
Optical properties of Nb25:Ti films deposited by sputtering
1997.10
-
CaGa2S4:Ce thin-film EL devices prepared by two point EB evaporation method
1997.10
-
Effects of He gas during sputtering for Hf1+xTi1-xO4 thin-films.
1997.3
-
Optical properties for Ta2O5:Ti sputterd thin-films
1997.3
-
Zn1-xMgxF2 thin-film EL devices
1997.3
-
Effects of He gas on deposition of sputtered ITO thin-films
1996.9
-
Infrared emission of ZnS thin films doped with rare-earth ions
1996.9
-
Optical properties of Hf1+xTi1-xO4 films by RF sputtering
1996.9
-
Electroluminescent Spectra for Tb3+ Doped Zn1-xCdxS Thin-Films
◎三浦豊(助手), 並木輝彦*(大学院生), 松本皓永(専任講師), 中野鐐太郎(教授)
1996.8
-
Relaxation for Tb3+ ion in Zn1-xCdxS:TbOF thin film EL devices
1996.3
-
ZnO-In2O3 thin-films prepared by magnetron sputtering
1996.3
-
Preparation of Zr1+xTi1-xO4 films by RF co-sputtering
1996.3
-
Several Trial for New Phosphors of Electroluminescent Devices
◎三浦豊(助手), 松本皓永(専任講師), 中野鐐太郎(教授)
1995.11
-
Zn1-xMgxS:Eu thin-film EL devices
1995.8
-
Temperature dependence of CdF2 thin-film electroluminescent devices (II)
1995.3
-
Thin-film electroluminescent devices having Ln2O2S host
1995.3
-
Applicattion of the IIb-III2-VI4 compounds for thin-film electroluminescent devices
1995.3
-
Photoluminescence for SrCa1-y-xBaxF2:Eu single crystals
1995.3
-
Electroluminiscent Devices of Electron-Beam-Evaporated II-III2-VI4 Hosts
◎三浦豊(助手), 小椋彰*(大学院生), 大橋克旬*(大学院生), 並木輝彦*(大学院生), 松本皓永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1994.10
-
Application of the IIb-IIIb2VI4 compounds for thin-film electroluminescent devices
1994.9
-
Eu concentration dependence of evcitation and emission spectra in BaF2:Eu single crystals
1994.3
-
5D3->5D4 relaxation for Tb3+ ion in ZnxCd(1-x)S:Tb3+ EL devices
1994.3
-
Thin-film electroluminescent devices doped with Tm3+ ion
1994.1
-
Blue-emitting CaGa2S4:Ce thin-film electroluminescent devices
1993.12
-
Temperature dependence of CdF2 thin-film electroluminescent devices
1993.9
-
Electroluminescent spectra for ZnS(1-x)Sex:Tm3+ thin-film EL devices
1993.9
-
Blue-emitting La2O2S:Tm thin-film electroluminescent devices
1993.9
-
Blue-emitting thin film electroluminescent devices of CaF2:Eu and CaGa2S4:Ce
1993.9
-
Electroluminescence spectra for rare-Doped ZnS1-xSex thin films
◎三浦豊(助手), 小川貴由*(大学院生), 小椋彰*(大学院生), 小林秀幸*(大学院生), 松本皓永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1993.8
-
Electroluminescence spectra for rare-Doped Zn1-xCdxS thin films
◎三浦豊(助手), 小川貴由*(大学院生), 大橋克旬*(大学院生), 松本皓永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1993.8
-
Rare Earth Doped Thin Film Electroluminescent Devices Using the Fluoride Emitting Layer
◎三浦豊(助手), 小川貴由*(大学院生), 須田敏史*(大学院生), 松本皓永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1993.5
-
Thin-film electroluminescent devices using the fluoride emitting layers
1993.1
-
Thin-film electroluminescence of several compounds doped with Tm3+ ion
1992.12
-
Thin-film electroluminescent devices having CdF2 host
1992.9
-
Time resolved emission spectra for ZnS:Tm3+ thin film EL devices
1992.9
-
Band-gap energy dependence of host materials for electroluminescent spectra
1992.9
-
Band-Gap Energy Dependence of Host Materials for Electroluminescent Spectra
◎三浦豊*(研究員), 小川貴由*(大学院生), 佐々木祟*(大学院生), 石川哲夫*(大学院生), 岡俊行*(大学院生), 松本皓永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1992.5
-
Band-gap energy dependence for the EL spectra in Tm ion doped thin-films
1992.1
-
ZnF2 thin-film electroluminescent devices doped with rare-earth ions
1991.11
-
Effects of UV light irradiation on ZnS:TbFx thin-film EL devices (II)
1991.10
-
Blue-emitting thin-film electroluminescence of several host materials doped with Tm3+ ion
1991.10
-
Blue-emitting CaF2:Eu thin-film electroluminescent devices
1991.10
-
ZnF2 thin-film electroluminescent devices doped with rare-earths
1991.10
-
Dependence of applied pulse width for emission intensity in ZnS:Er,YbFx thin-film EL devices
1991.10
-
Effect of UV light irradiation on ZnS thin-film electroluminescent films
1991.9
-
Effects of UV light irradiation on ZnS:TbFx thin-film EL devices
1991.3
-
Electroluminescence in ZnS:Tm3+ thin-films
1991.3
-
Electroluminescence in Y2O2S:Eu thin-films
1990.9
-
Transient behavior in ZnS:Mn and ZnS:Tb thin-films
1990.9
-
Transient Behavior of Photoluminescence and Electroluminescence in ZnS Thin Film Doped with Tb3+ Ion
◎三浦登*(大学院生), 山本陽一郎*(大学院生), 大畑浩*(大学院生), 松永浩永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1990.6
-
Photoluminescence of ZnS:TbFx Thin-films
1990.3
-
Time resolved emission spectra for SrS:Ce thin-film electroluminescent devices
1990.3
-
Transient Characteristics of Emission in ZnS:Mn Thin Film Electroluminescent Devices
◎三浦登*(大学院生), 松永浩永(助手), 中野鐐太郎(教授)
1989.10
-
Transient characteristics in ZnS:TbFx thin-film electroluminescent devices
1989.9
-
Time responses of ZnS:TbFx thin-film electroluminescent devices at different heattreatment temperature
1989.4
-
Red emitting electroluminescence in ZnS:EuFx thin-film coactivated by Li+1 ion
1988.10
-
Time Resolved Emission Spectra in ZnS thin-film Electroluminescent Devices
Ryotaro Nakano, Hironaga Matsumoto, *Noboru Miura, Norio Sakagami, Jun Shimada and Tadao Endo
1988.10
-
Heattreatment temperature dependence of emission layer in time-resolved emission spectra of ZnS:TbFx thin film electroluminescent devices
1988.10
-
Transient characteristics of emission in ZnS:TbF3 TFEL devices (III)
1988.3
-
Transient characteristics of emission in ZnS:TbF3 TFEL devices (II)
1987.10
Industrial property rights
-
酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜
-
蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにＥＬパネル
-
酸化物ペロブスカイト薄膜EL素子
-
蛍光体材料、蛍光体薄膜及びその製造方法、発光素子、並びに、EL素子
-
Phosphor thin-film, its fabrication process and EL panel
-
Phosphor and EL Panel
-
Treated Phosphor, making method, thin-film making apparatus, and EL device
-
アルミネート青色発光蛍光体材料とそれを用いて構成した青色発光薄膜エレクトロルミネッセンス素子
-
分散型無機ＥＬ素子の製造方法、分散型無機ＥＬ素子及びそれを備えた照明装置
-
Treated phosphor, making method, thin film making apparatus, and EL device
-
Phosphor and EL panel
-
Phosphor thin-film, manufacturing method of the same, and electroluminescent panel
-
Perovskite oxide thin-film EL element
Works
-
進化する無機ELディスプレイの要素技術ー赤色蛍光体の特性向上
電子技術, 月号, 日
2003.2
-
進化する無機ELディスプレイの要素技術 ー赤色蛍光体の特性向上
電子技術 2月号 (日刊工業新聞社)
2003.2
-
無機ELが有機ELを追い抜く!?青色材料改善で実用ステージへ
日刊工業新聞社・月刊Trriger 2001年0月号 p34-36
2001.10
Awards
-
Society For Information Display (SID) Special Recognition Award
2003
-
日本学術振興会 光電相互変換委員会 業績賞
2002
-
平成12年度 蛍光体賞
2000
-
The 6th International Display Workshops Outstanding Poster Paper Award
1999
Research Projects
-
無機ＥＬ用硫化物発光材料のメカニズム解明およびその製造方法に関する研究
Grant type：Competitive
-
映像情報表示デバイスのコンビナトリアル最適化法に関する研究
Grant type：Competitive
-
薄膜誘電体に関する研究
Grant type：Competitive
-
Stacked Multi-Color ディスプレイパネル
Grant type：Competitive
-
薄膜ＥＬ素子用赤色蛍光体の開発
Grant type：Competitive
-
新規フラットパネルディスプレイに関する研究
Grant type：Competitive
-
新規発光機構に基づく低電圧駆動無機ＥＬ素子
Grant type：Competitive
-
無機ＥＬ用硫化物発光材料のメカニズム解明およびその薄膜化に関する研究
Grant type：Competitive
-
バリウムチオアルミネート系蛍光体のＥＢ蒸着成膜プロセスの研究
Grant type：Competitive
-
酸化物・窒化物・硫化物またはそれらの化合物薄膜蛍光体に関する研究
Grant type：Competitive
-
Electrical Properties for Carbon Nano Tube
Grant type：Competitive
-
直流低電圧駆動電界発光素子の研究
Grant type：Competitive
-
高分子誘電体薄膜に関する研究
Grant type：Competitive
-
Functionable Thin Film
Grant type：Competitive
-
Thin Film Emissive Devices
Grant type：Competitive
-
無機ＥＬに関する研究
Grant type：Competitive
-
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する研究
Grant type：Competitive
-
Licence and Development of BaAl2S4:Eu Phosphor Tecnology
Grant type：Competitive
-
Organic Thin Film Devices
Grant type：Competitive
-
Cabon Nano Tube
Grant type：Competitive
-
Photonic Crystal
Grant type：Competitive
-
"Kankyo" Semiconductor
Grant type：Competitive
-
Thin Film Electroluminescent Display
Grant type：Competitive
-
Oxide Electronics
Grant type：Competitive
Social Activities
-
NEDO技術委員
2013.9 - 2015.7
-
NEDO技術員
2010.9 - 2011.3
-
経済産業省 平成15年度中小企業革新等対策補助金（創造技術研究開発事業）指導者
Role(s)： Advisor
2003.4 - 2004.4
-
全国中小企業団体中央会 平成14年度コーディネート活動支援事業 異業種交流会「シフト２１」研究指導
Role(s)： Advisor
2002.11 - 2004.3
Click to view the Scopus page. The data was downloaded from Scopus API in April 23, 2026, via http://api.elsevier.com and http://www.scopus.com .