研究者詳細 - 小椋　厚志

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オグラ　アツシ

小椋　厚志

OGURA ATUSI

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論文数: 507 Citation: 4685 h-index: 28

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学部理工学部専任教授

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研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学

論文

X-ray characterization of multilayered SiGe nanodots depending on the Si spacer growth temperature

Rieko Suenaga, Yuta Ito, Wei-Chen Wen, Yuji Yamamoto, Naomi Sawamoto, Kazuhiko Omote, Atsushi Ogura

Materials Science in Semiconductor Processing 2026年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mssp.2026.110553

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Off-cut angle and direction dependence of surface structures and Raman stress in SiGe epitaxial growth on Si(110) substrates

K. Inami, K. Usuda, N. Kumagai, T. Irisawa, A. Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae51d8

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Epitaxial growth and crystal structure transitions of Nb-doped (GaxIn1-x)2O3 thin films on SrTiO3(111) substrates

Masaharu Watanabe, Masaaki Kobata, Tatsuo Fukuda, Kenta Ogawa, Hao Cheng, Toyohiro CHIKYOW, Atsushi Ogura, Takahiro NAGATA

Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae5bc4

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Effects of interface formation process on tunneling current components of n-type Ti0.3Zn0.7O1.3/p-type Si stack structure

Kenta Ogawa, Toyohiro Chikyow, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae4fcf

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Evaluation of lateral distribution of Si strain around Cu through Si via by micro-Raman spectroscopy

Ryota Fujimori, Yuta Ito, Atsushi Ogura, Koichiro Saga

Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ae4be3

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Contact engineering of metallic Ni-integrated niobium sulfide via H2S treatment for enhanced MoS2 transistor performance and CMOS compatibility

Koki Hori, Wen Hsin Chang, Toshifumi Irisawa, Atsushi Ogura, Naoya Okada

Scientific Reports 2026年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/s41598-026-41610-3

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Evaluation of temperature dependent stress around electrodes in crystalline silicon solar cells by Raman spectroscopy

Koki Hasebe, Ryo Yokogawa, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Noboru Yamada, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/add942

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Change in reduction products during long term operation of electrochemical CO2 reduction with Cu electrode and the effect of anodize

Kazuki Koike, Takeharu Murakami, Kentaro Inoue, Takayo Ogawa, Katsushi Fujii, Satoshi Wada, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/adda52

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Spatial correlation model for Si-rich SiGe alloys based on Raman spectra

Ryo Yokogawa, Yuiha Maeda, Yuta Ito, Ichiro Yonenaga, Yasutomo Arai, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/addc22

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Understanding the CO2 reduction reaction anolyte flooding problem in polymer electrolyte type reactor through the cation and water transport properties of ion exchange membranes

Takeharu Murakami, Kei Morishita, Kazuki Koike, Kentaro Inoue, Takeshi Matsumoto, Takayo Ogawa, Katsushi Fujii, Atsushi Ogura, Satoshi Wada

Japanese Journal of Applied Physics 2025年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/addd2a

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Evaluation of Ag-coated Cu paste as Ag-saving electrode paste for silicon heterojunction solar cells

Takuya Minowa, Tappei Nishihara, Hyunju Lee, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Kazuo Muramatsu, Ryo Yokogawa, Kazuki Koike, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/adcc3d

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Evaluation of water transportation in anion exchange membranes used for electrochemical CO2 reduction

Kentaro Inoue, Kazuki Koike, Takeharu Murakami, Kei Morishita, Takayo Ogawa, Katsushi Fujii, Satoshi Wada, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/adc26b

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Evaluation of bias-dependent band structure changes in metal–oxide–semiconductor structures with varying doping concentrations using laboratory hard x-ray photoelectron spectroscopy

Takuya Minowa, Koji Usuda, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura

Applied Physics Letters 2025年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0245254

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Membrane and IrO2 Catalyst Conditioning of Proton Exchange Membrane Water Electrolysis by Applying Voltage

Itsuka AKITA, Miyuki NARA, Kazuki KOIKE, Takeharu MURAKAMI, Katsushi FUJII, Takayo OGAWA, Satoshi WADA, Atsushi OGURA

Electrochemistry 2025年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.5796/electrochemistry.24-00132

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Temperature and Ge fraction dependence of broad peaks observed in Ge-rich SiGe Raman spectra by oil-immersion Raman spectroscopy

Yuiha Maeda, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2024年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ad9a80

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Layered NbS2 contacts formed via H2S reaction with Nb for high-performance WSe2-channel p-type transistors

Koki Hori, Wen Hsin Chang, Toshifumi Irisawa, Atsushi Ogura, Naoya Okada

Japanese Journal of Applied Physics 2024年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ad974d

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Optical Properties of Multilayered Staggered SiGe Nanodots Depending on Si Spacer Growth Temperature

Yuta Ito, Ryo Yokogawa, Wei-Chen Wen, Yuji Yamamoto, Atsushi Ogura

ECS Transactions 114 ( 2 ) 207 - 214 2024年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

The optical properties of the multilayered staggered SiGe nanodots (NDs) embedded in the Si spacers fabricated at varying Si growth temperatures are clarified in conjunction with the effect of strain by Photoluminescence (PL) and Raman spectroscopy. We found that compressive strain is induced in the SiGe NDs, with higher growth temperatures of the Si spacer resulting in stronger compressive strain. PL spectra indicate that the higher growth temperature leads to a wider bandgap. This transition energy behavior is caused by not only the strain in the SiGe NDs but also the Ge segregation. Furthermore, luminescence from the SiGe NDs was observed along with luminescence originated at the Si/SiGe interface in the SiGe NDs with a small dot size. This phenomenon was caused by the small energy difference of the conduction-band minima between the SiGe NDs and the tensile-strained Si spacers and the small volume of the tensile-strained Si spacers.

DOI： 10.1149/11402.0207ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/11402.0207ecst/pdf
Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-Rich SiSn thin Film

Hioki Ishizaki, Ryo Yokogawa, Yuta Ito, Takuya Minowa, Masashi Kurosawa, Atsushi Ogura

ECS Transactions 114 ( 2 ) 225 - 232 2024年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

We evaluated the bandgap energy and optical properties of single-crystalline silicon-tin (Si1-x Sn x ) thin films utilizing Photoluminescence (PL), spectroscopic ellipsometry (SE), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The PL and SE results showed that the indirect and direct bandgap energy decrease with increasing Sn fraction. Furthermore, the change in the direct bandgap energy is larger than the indirect bandgap energy. This shows that Si1-x Sn x approaches the direct transition type. Then, the Sn fraction from the indirect-to-direct bandgap is estimated to be 47.2%. In addition, XPS results showed that the difference in valence band maximum between Si1-x Sn x and pure Si increased depending on Sn fraction. This is responsible for the decrease in the indirect and direct bandgap energy.

DOI： 10.1149/11402.0225ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/11402.0225ecst/pdf
Evaluation of the effect of texture size and rounding process on three-dimensional flexibility of c-Si wafer

Koki Ide, Tappei Nishihara, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Noboru Yamada, Phuong Trang Pham, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2024年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ad665a

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Determination of Ge-fraction-shift coefficients for Raman spectroscopy in all vibration modes investigated by single-crystalline bulk SiGe and its application to strain evaluation in SiGe film grown on substrate

Ryo Yokogawa, Sho Sugawa, Ichiro Yonenaga, Yasutomo Arai, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 3 ) 035503 - 035503 2024年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

We reported the strain-free Raman shift (ω0) for all vibration modes (Ge–Ge, Si–Ge, and Si–Si) over the entire Ge fraction range using silicon–germanium (SiGe) single-crystals which were strain-free without boundaries and buffer/substrate layers. The determined Ge-fraction-shift coefficients varied with the Ge fraction as linear for the Si–Si and Ge–Ge vibration modes and as nonlinear for the Si–Ge mode, respectively. The Raman shifts for all vibration mode over the entire Ge fraction range were shifted to the higher wavenumber side than previous studies, implying that the strain effect reported in previous studies can be completely excluded in the present study. We applied the derived ω0 to biaxial strain and composition evaluation in a SiGe film grown on buffer/substrate layer.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad29db

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad29db/pdf
Strain and optical characteristics analyses of three-dimentional self-ordered multilayered SiGe nanodots by photoluminescence and Raman spectroscopy

Yuta Ito, Ryo Yokogawa, Wei-Chen Wen, Yuji Yamamoto, Takuya Minowa, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 3 ) 03SP31 - 03SP31 2024年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

The strain state, optical properties, and band structure of the self-ordered multilayered silicon-germanium (SiGe) nanodots, which are staggered and dot-on-dot alignment and embedded by Si spacer, were evaluated by Raman spectroscopy and low-temperature photoluminescence (PL). These results suggest that the compressive strain applied to the staggered nanodots is smaller than that of the dot-on-dot nanodots, which contributes to the shrinking of the bandgap of the staggered nanodots. Strong PL intensity was observed from the nanodots compared to the single crystalline bulk SiGe due to the carrier confinement and high crystal quality of the nanodots. The stack-controlled nanodots showed a redshift of the PL peaks compared to the bulk SiGe and the effect of strain induced in SiGe nanodots might not be enough to explain this phenomenon. The cause of the redshift was clarified by considering the hetero band structure of the nanodots and the tensile strained spacer.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad231e

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Local thermal conductivity properties of a SiGe nanowire observed by laser power sweep Raman spectroscopy

S. Sugawa, R. Yokogawa, A. Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 63 ( 2 ) 02SP68 - 02SP68 2024年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

Using laser power sweep Raman spectroscopy, this research reports that the thermal transport changes with the wire width of silicon-germanium (SiGe) nanowires (NWs). The temperature in SiGe NWs was calculated using the relationship between Raman shift ω and temperature T (dω/dT) to evaluate the correlation between the thermal transport mechanism and SiGe NWs structure. We clarified that the thermal conductivity of the SiGe NWs decreases as the wire width becomes narrower. Also, a positional dependence of the thermal conductivity properties of the SiGe NWs was observed by laser power sweep Raman spectroscopy.

DOI： 10.35848/1347-4065/ad1bc0

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Strain distributions in carbon-doped silicon nanowires along [110] and [100] investigated by X-ray diffraction 査読

Ichiro Hirosawa, Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Takeshi Watanabe, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2024年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/acf4a4

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Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin Body (100) Silicon-Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Yuiha Maeda, Ryo Yokogawa, Sho Sugawa, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Atsushi Ogura

ECS Transactions 112 ( 1 ) 37 - 43 2023年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

We evaluated the anisotropic biaxial strain in the channel region of extremely-thin body silicon-germanium-on-insulator p-MOSFETs by oil-immersion Raman spectroscopy. Oil-immersion Raman spectroscopy can measure the transverse optical (TO) phonon mode which cannot be detected by conventional Raman spectroscopy under the backscattering configuration for (001) substrate. Therefore, we can calculate the anisotropic biaxial stress in the SiGe channel region and investigate the channel width dependence of stress. From the Raman spectra obtained in the polarization configurations of longitudinal optical (LO)-active and TO-active, we confirmed that compressive stress is induced in the SiGe channel region. In addition, we observed that the strain state of the SiGe channel region becomes quasi-uniaxial strain by narrowing the channel width.

DOI： 10.1149/11201.0037ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/11201.0037ecst/pdf
Identification of Proteins Adsorbed on Hydroxyapatite Ceramics with a Preferred Orientation to a-Plane

Erika Onuma, Takayuki Honda, Hideyuki Yoshimura, Tappei Nishihara, Atsushi Ogura, Nobuyuki Kanzawa, Mamoru Aizawa

Crystals 13 ( 9 ) 1318 - 1318 2023年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：MDPI AG

Protein adsorption is essential for determining material biocompatibility and promoting adherent cell growth. In this study, we focused on the a-plane structure of hydroxyapatite (HAp). This a-plane structure closely resembles the crystal plane where apatite is exposed in long bones. We conducted protein adsorption experiments using HAp ceramics with a preferred orientation to a-planes (aHAp), employing bovine serum albumin (BSA), lysozyme, and fetal bovine serum (FBS) as protein models to mimic the in vivo environment. Higher zeta potential and contact angle values were found in aHAp than in HAp ceramics fabricated from commercial HAp powder (iHAp). Bradford-quantified protein adsorption revealed BSA adsorption of 212 ng·mm−2 in aHAp and 28.4 ng mm−2 in iHAp. Furthermore, the Bradford-quantified protein adsorption values for FBS were 2.07 μg mm−2 in aHAp and 1.28 µg mm−2 in iHAp. Two-dimensional electrophoresis (2D-PAGE) showed a higher number of protein-derived major spots in aHAp (37 spots) than in iHAp (12 spots). Mass spectrometry analysis of the resulting 2D-PAGE gels revealed proteins adsorbed on aHAp, including secreted frizzled-related protein 3 and vitamin K epoxide reductase complex 1, which are involved in cellular bone differentiation. Overall, these proteins are expected to promote bone differentiation, representing a characteristic property of aHAp.

DOI： 10.3390/cryst13091318

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Temperature Dependence of Raman Peak Shift in Single-Crystalline Silicon-Germanium 査読

Sho Sugawa, Ryo Yokogawa, Kazutoshi Yoshioka, Yasutomo Arai, Ichiro Yonenaga, Atsushi Ogura

ECS Journal of Solid State Science and Technology 12 ( 6 ) 064004 - 064004 2023年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

We demonstrate the relationship between Raman shift ω and temperature T (dω/dT) of silicon-germanium (SiGe) for Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge vibration modes which should be useful in local temperature evaluation of SiGe devices at submicron levels. We investigated the dω/dT of single-crystalline SiGe for Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge vibration modes and its dependence on the Ge fraction using variable-temperature Raman spectroscopy. We clarified that the (dω/dT)s for Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge are fairly constant for all single-crystalline SiGe samples. Therefore, the anharmonic vibration of Si–Si, Si–Ge, and Ge–Ge modes has no Ge-fraction dependence in SiGe. The peak shifts help define the temperature on the submicron-scale surface.

DOI： 10.1149/2162-8777/acdffa

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/2162-8777/acdffa/pdf
Analysis of InGaAs/InP p-I-n Photodiode Failed by Electrostatic Discharge

Yuta Ito, Ryo Yokogawa, Osamu Ueda, Naomi Sawamoto, Koki Ide, Longxiang Men, Atsushi Ogura

Journal of Electronic Materials 52 ( 8 ) 5150 - 5158 2023年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

DOI： 10.1007/s11664-023-10502-x

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10502-x/fulltext.html
Evaluation of Strain-Relaxation of Carbon-Doped Silicon Nanowires and Its Crystal Orientation Dependence Using X-Ray Diffraction Reciprocal Space Mapping

Kazutoshi Yoshioka, Ichiro Hirosawa, Takeshi Watanabe, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura

Journal of Electronic Materials 52 ( 8 ) 5140 - 5149 2023年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

DOI： 10.1007/s11664-023-10497-5

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10497-5/fulltext.html
Inelastic X-ray Scattering Measurement on Single-Crystalline GeSn Thin Film

M. Chino, R. Yokogawa, A. Ogura, H. Uchiyama, H. Tatsuoka, Y. Shimura

Journal of Electronic Materials 52 ( 8 ) 5128 - 5133 2023年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer Science and Business Media LLC

DOI： 10.1007/s11664-023-10421-x

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その他リンク： https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10421-x/fulltext.html
Conformal deposition of WS2 layered film by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition 査読

K. Cho, N. Sawamoto, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh, H. Wakabayashi, R. Yokogawa, A. Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 62 ( SG ) SG1048 - SG1048 2023年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

Abstract

Large area multi-layer WS2 film has high potential as a channel material for MOSFETs in next-generation LSIs. State-of-the-art LSIs have complex three-dimensional (3D) structures such as vertical channels and multi-layer stacked channels surrounded by gate electrodes. To develop such structures, it is desirable to fabricate channel layers by CVD, which is suitable for conformal deposition along a substrate with a complicated 3D structure. In this study, we report on WS2 films deposited by Metal-Organic CVD using low-toxicity n-BuNC-W(CO)5 as a liquid tungsten precursor and (t-C4H9)2S2 for sulfur precursor. The deposited films have a roughly stoichiometric composition and are stable even after 60 d of shelf time in air atmosphere. A layered film along the 3D fin substrate parallel to the surface was fabricated on the entire structure.

DOI： 10.35848/1347-4065/accb62

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/accb62/pdf
Effect of sawing damage on flexibility of crystalline silicon wafers for thin flexible silicon solar cells

Yutaka Hara, Koki Ide, Tappei Nishihara, Ryo Yokogawa, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Yuma Aoki, Hayato Kobayashi, Noboru Yamada, Yukio Miyashita, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 62 ( 1 ) 2023年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/aca307

Scopus

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Non-seed chemical bath deposition of ZnO films in a rotating continuous flow reactor with various carboxylic acids and their application to transparent conductive films

Hajime Wagata, Naoya Shioiri, Yuya Tanaka, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura

CRYSTENGCOMM 24 ( 47 ) 8294 - 8302 2022年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1039/d2ce01136k

Web of Science

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Investigation of Band Structure in Strained Single Crystalline Si1-X Sn X 

Keita Sahara, Ryo Yokogawa, Yuki Shibayama, Yusuke Hibino, Masashi Kurosawa, Atsushi Ogura

ECS Transactions 109 ( 4 ) 359 - 366 2022年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

We evaluated the optical properties and the band structure of strained single crystalline Si1-xSnx using spectroscopic ellipsometry. The results suggest a reduction of the band gap at the Γ point and the formation of an optical transition by Van-Hove singularity with higher Sn fraction. In addition, since the reduction of the band gap with increasing Sn fraction at the Γ point is larger than at other points, it is expected the indirect transition type Si1-xSnx used in this study may eventually change to the direct transition type. Although higher Sn fraction are required to achieve direct transition type Si1-xSnx, the band structure of strained single crystal Si1-xSnx was experimentally clarified.

DOI： 10.1149/10904.0359ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/10904.0359ecst/pdf
Distribution Evaluation of Optical Properties in Silicon Germanium Films Grown on Silicon Substrates with Graded Silicon Germanium Buffer Layers

Yuki Shibayama, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura

ECS Transactions 109 ( 4 ) 367 - 374 2022年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

We report on the distribution of the optical properties in strain-relaxed SiGe films. We confirmed that the SiGe film (Ge fraction: 50%) has a larger variation of the extinction coefficient than the SiGe film (Ge fraction: 20%) in the near-infrared region. This result suggests that the distribution of the optical properties of the SiGe film (Ge fraction: 50%) may have a significant effect on process yields while the SiGe film (Ge fraction: 20%) should have a smaller effect on process yields. In addition, we investigate the distribution of Ge fraction, strain and cross-hatch pattern, and consider their relationship to optical properties.

DOI： 10.1149/10904.0367ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/10904.0367ecst/pdf
Evaluation of Strained Group IV Semiconductor Devices by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Ryo Yokogawa, Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi, Atsushi Ogura

ECS Transactions 109 ( 4 ) 351 - 357 2022年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/10904.0351ecst

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Study on phonon lifetime in bulk silicon–germanium through observation of acoustic phonon spectra broadening by inelastic x-ray scattering

Ryo Yokogawa, Yasutomo Arai, Ichiro Yonenaga, Motohiro Tomita, Sylvia Yuk Yee Chung, Hiroshi Uchiyama, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura

Applied Physics Letters 121 ( 8 ) 082105 - 082105 2022年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

We report on the behavior of an acoustic phonon spectral linewidth of bulk single-crystalline Si1− xGe x alloy with the x of 0.16, 0.32, and 0.45 in the phonon dispersion relation along the Γ–X ([00 q]) direction. Broadening of both transverse acoustic (TA) and longitudinal acoustic (LA) modes of the bulk Si1− xGe x alloy was directly observed using inelastic x-ray scattering (IXS) with increasing momentum (from Γ to X points in the Brillouin zone), which cannot be observed in pure Si or pure Ge. The IXS spectral linewidth of the TA mode indicated Ge dependence, which suggests the overlapping of a low-energy local vibration mode (LVM) caused by Ge clusters surrounded by Si atoms around the X point. Although the behavior of the IXS spectral linewidth of the LA mode showed almost no dependence on Ge fraction, the IXS spectra of the LA mode indicated broadening after crossing with a low-energy LVM with increasing momentum. The results obtained by molecular dynamics showed almost the same behavior of the acoustic phonon spectral linewidth. These results suggest that a change in the acoustic phonon spectral linewidth between the Γ and X points indicates a reduction in the acoustic phonon lifetime caused by the appearance of a localized mode originated from a random atom position in the alloy structure, leading to suppression of the thermal transport in the SiGe alloy.

DOI： 10.1063/5.0095774

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Systematic variation of photoluminescence spectra with donor and acceptor concentrations ranging from 1 × 1010 to 1 × 1020 cm−3 in Si

Michio Tajima, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2022年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ac7491

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Effect of reactive gas condition on nonpolar AlN film growth on MnS/Si (100) by reactive DC sputtering

Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Shigenori Ueda, Jun Chen, Kota Tatejima, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Japanese Journal of Applied Physics 61 ( SC ) 2022年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ac4ad7

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Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study of buried interface chemistry of Au/InO1.16C0.04/Al2O3/p<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" id="d1e385" altimg="si20.svg"><mml:msup><mml:mrow /><mml:mrow><mml:mo>+</mml:mo></mml:mrow></mml:msup></mml:math>-Si stacks

Ibrahima Gueye, Riku Kobayashi, Shigenori Ueda, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Applied Surface Science 153272 - 153272 2022年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.apsusc.2022.153272

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Modification and Characterization of Interfacial Bonding for Thermal Management of Ruthenium Interconnects in Next-Generation Very-Large-Scale Integration Circuits

Tianzhuo Zhan, Keita Sahara, Haruki Takeuchi, Ryo Yokogawa, Kaito Oda, Zhicheng Jin, Shikang Deng, Motohiro Tomita, Yen Ju Wu, Yibin Xu, Takeo Matsuki, Haidong Wang, Mengjie Song, Sujun Guan, Atsushi Ogura, Takanobu Watanabe

ACS Applied Materials and Interfaces 14 ( 5 ) 7392 - 7404 2022年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsami.1c20366

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Atomic mass dependency of a localized phonon mode in SiGe alloys

Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura, Takanobu Watanabe

AIP Advances 11 ( 11 ) 115225 - 115225 2021年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0071699

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Evaluation of correlation between fill factor and high mobility transparent conductive oxide film deposition temperature in the silicon heterojunction solar cells

Tappei Nishihara, Hiroki Kanai, Yoshio Ohshita, Kyotaro Nakamura, Takefumi Kamioka, Tomohiko Hara, Seira Yamaguchi, Masato Koharada, Atsushi Ogura

Materials Science in Semiconductor Processing 132 2021年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier Ltd

DOI： 10.1016/j.mssp.2021.105887

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Dependency of a localized phonon mode intensity on compositional cluster size in SiGe alloys

Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Junya Takizawa, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura, Haidong Wang, Takanobu Watanabe

AIP Advances 11 ( 7 ) 075017 - 075017 2021年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0055307

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Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SC ) 2021年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abe685

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Effects of Zn x Mn1−x S buffer layer on nonpolar AlN growth on Si (100) substrate

Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SC ) 2021年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abf07a

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Thermal conductivity and inelastic X-ray scattering measurements on SiGeSn polycrystalline alloy

Yosuke Shimura, Kako Iwamoto, Ryo Yokogawa, Motohiro Tomita, Hirokazu Tatsuoka, Hiroshi Uchiyama, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( SB ) SBBF11 - SBBF11 2021年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abdb83

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abdb83/pdf
Phonon properties of group IV materials for thermoelectric applications

Atsushi Ogura, Ryo Yokogawa

2021 5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2021 2021年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/EDTM50988.2021.9420883

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Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 3 ) 030903 - 030903 2021年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abde54

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abde54/pdf
Oxygen Precipitation Behavior in n-Type Cz-Si Related to Carbon Concentration and Crystal Growth Conditions

Tappei Nishihara, Kohei Onishi, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

Journal of Electronic Materials 50 ( 3 ) 1474 - 1481 2021年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Springer

DOI： 10.1007/s11664-020-08702-w

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Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1-x</inf>O<inf>2</inf>thin films using synchrotron x-ray analysis

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura

APL Materials 9 ( 3 ) 2021年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0035848

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Simulation study on lateral minority carrier transport in the surface inversion layer of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell

Takefumi Kamioka, Yutaka Hayashi, Kazuhiro Gotoh, Tomohiko Hara, Ryo Ozaki, Motoo Morimura, Ayako Shimizu, Kyotaro Nakamura, Noritaka Usami, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Japanese Journal of Applied Physics 60 ( 2 ) 026503 - 026503 2021年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abdd02

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Improvement in the passivation quality of titanium oxide thin films by doping with tantalum 査読

Seira Yamaguchi, Hyunju Lee, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Thin Solid Films 720 138509 2021年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2020.138509

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Free-to-bound emission from interstitial carbon and oxygen defects (CiOi) in electron-irradiated Si

Michio Tajima, Shota Asahara, Yuta Satake, Atsushi Ogura

Applied Physics Express 14 ( 1 ) 011006 - 011006 2021年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1882-0786/abd4c6

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Investigation of the chemical reaction between silver electrodes and transparent conductive oxide films for the improvement of fill factor of silicon heterojunction solar cells

Tappei Nishihara, Kazuo Muramatsu, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Satoshi Yasuno, Hiroki Kanai, Yutaka Hara, Yusuke Hibino, Haruki Kojima, Atsushi Ogura

ECS Journal of Solid State Science and Technology 10 ( 5 ) 2021年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2162-8777/abffae

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Effect of Growth Parameters on MoS2Film Quality Deposited by Low-Temperature MOCVD Using I-Pr2DADmo(CO)3and (t-C4H9)2S2

C. H.O. Kirito, Kota Yamazaki, Yusuke Hibino, Yusuke Hashimoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura

ECS Transactions 104 ( 3 ) 3 - 15 2021年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP Publishing Ltd

DOI： 10.1149/10403.0003ecst

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Evaluation of Mo(1-x)W xs Alloy Fabricated by Combinatorial Film Deposition

Shusei Hanafusa, Yusuke Hashimoto, Keiji Ishibashi, Yusuke Hibino, Kota Yamazaki, Ryo Yokogawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

ECS Transactions 104 ( 3 ) 21 - 28 2021年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP Publishing Ltd

DOI： 10.1149/10403.0021ecst

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Fabrication of tantalum-doped titanium-oxide electron-selective contacts with high passivation quality

Seira Yamaguchi, Hyunju Lee, Atsushi Ogura, Atsushi Masuda, Yoshio Ohshita

ECS Journal of Solid State Science and Technology 10 ( 4 ) 2021年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing Ltd

DOI： 10.1149/2162-8777/abf759

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3.3 kV back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) using manufacturable double-side process technology

T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, K. Satoh, T. Matsudai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, W. Saito, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2020-December 5.3.1 - 5.3.4 2020年12月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IEDM13553.2020.9371909

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Detection limit of carbon concentration measurement in Si for photoluminescence method after electron irradiation

Yuta Satake, Michio Tajima, Shota Asahara, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 12 ) 126501 - 126501 2020年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abc5d1

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Strain evaluation in Ge and Sn implanted Si layers with laser and rapid thermal annealing 査読

Shota Komago, Ryo Yokogawa, Kazutoshi Yoshioka, John O. Borland, Takashi Kuroi, Yoji Kawasaki, Atsushi Ogura

Materials Science in Semiconductor Processing 120 105282 - 105282 2020年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Elsevier BV

DOI： 10.1016/j.mssp.2020.105282

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Genomic and Transcriptomic Analyses of Bioluminescence Genes in the Enope Squid Watasenia scintillans. 国際誌

Masa-Aki Yoshida, Junichi Imoto, Yuri Kawai, Satomi Funahashi, Ryuhei Minei, Yuki Akizuki, Atsushi Ogura, Kazuhiko Nakabayashi, Kei Yura, Kazuho Ikeo

Marine biotechnology (New York, N.Y.) 22 ( 6 ) 760 - 771 2020年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Watasenia scintillans, a sparkling enope squid, has bioluminescence organs to illuminate its body with its own luciferase activity. To clarify the molecular mechanism underlying its scintillation, we analysed high-throughput sequencing data acquired previously and obtained draft genome sequences accomplished with comparative genomic data among the cephalopods. The genome mapped by transcriptome data showed that (1) RNA editing contributed to transcriptome variation of lineage specific genes, such as W. scintillans luciferase, and (2) two types of luciferase enzymes were characterized with reasonable 3D models docked to a luciferin molecule. We report two different types of luciferase in one organism and possibly related to variety of colour types in the W. scintillans fluorescent organs.

DOI： 10.1007/s10126-020-10001-8

PubMed

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Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1-xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 117 ( 23 ) 2020年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/5.0029709

Web of Science

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Observation of an Unidentified Phonon Peak in SiGe Alloys and Superlattices Using Molecular Dynamics Simulation

Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura, Takanobu Watanabe

ECS Meeting Abstracts {MA}2020-02 ( 24 ) 3606 - 3606 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/MA2020-02243606mtgabs

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Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor

Ryo Yokogawa, Hiroto Kobayashi, Yohichiroh Numasawa, Atsushi Ogura, Shin-ichi Nishizawa, Takuya Saraya, Kazuo Ito, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Munetoshi Fukui, Kiyoshi Takeuchi, Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 11 ) 115503 - 115503 2020年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abc1d0

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abc1d0
Anomalous excitation-power dependence of band-edge emission in Si involving radiation-induced defects

Shota Asahara, Michio Tajima, Yuta Satake, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2020年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/abb4aa

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The Electronic and Physical Structure Evaluation of MoS2(1−x)Te2x Alloy Fabricated with Co-Sputtering and Post-Deposition Annealing in Chalcogen Ambient

Yusuke Hibino, Kota Yamazaki, Yusuke Hashimoto, Yosuke Otsuka, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

ECS Journal of Solid State Science and Technology 9 ( 9 ) 093018 - 093018 2020年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/2162-8777/abcb6a

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Evaluation of Temperature and Germanium Concentration Dependence of EXAFS Oscillations in Si-Rich Silicon Germanium Thin Films

Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Masato Koharada, Haruki Takeuchi, Gai Ogasawara, Ichiro Hirosawa, Takeshi Watanabe, Atsushi Ogura

ECS Transactions 98 ( 5 ) 473 - 479 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09805.0473ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09805.0473ecst/pdf
Evaluation of Thermal Conductivity Characteristics in Polycrystalline Silicon - The Effect of Nanostructure in the Grains

Haruki Takeuchi, Ryo Yokogawa, Kazuya Takahashi, Katsuhiko Komori, Tamotsu Morimoto, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura

ECS Transactions 98 ( 5 ) 437 - 446 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09805.0437ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09805.0437ecst/pdf
Evaluation of Silicon Nitride Film Formed by Atomic Layer Deposition on the Silicon Substrate with Trench Structure Using Angle-Resolved Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

Tapei Nishihara, Ryo Yokogawa, Yuji Otsuki, Munehito Kagaya, Atsushi Ogura

ECS Transactions 98 ( 3 ) 113 - 120 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09803.0113ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09803.0113ecst/pdf
Evaluation of Thermal Expansion Coefficient in Ge1-x Sn x Nanowire Using Reciprocal Space Mapping

Gai Ogasawara, Ryo Yokogawa, Ichiro Hirosawa, Kazutoshi Yoshioka, Yuki Takahashi, Kohei Suda, Atsushi Ogura

ECS Transactions 98 ( 5 ) 481 - 490 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09805.0481ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09805.0481ecst/pdf
Observation of an Unidentified Phonon Peak in SiGe Alloys and Superlattices Using Molecular Dynamics Simulation

Sylvia Yuk Yee Chung, Motohiro Tomita, Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura, Takanobu Watanabe

ECS Transactions 98 ( 5 ) 533 - 546 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09805.0533ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09805.0533ecst/pdf
Evaluation of Strain-Shift Coefficients for SiSn by Raman Spectroscopy

Ryo Yokogawa, Masashi Kurosawa, Atsushi Ogura

ECS Transactions 98 ( 5 ) 291 - 300 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09805.0291ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09805.0291ecst/pdf
Evaluation of Phonon Dispersion Relation for Bulk Silicon Germanium by Inelastic X-ray Scattering

Ryo Yokogawa, Haruki Takeuchi, Yasutomo Arai, Ichiro Yonenaga, Hiroshi Uchiyama, Atsushi Ogura

ECS Transactions 98 ( 5 ) 465 - 472 2020年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09805.0465ecst

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.1149/09805.0465ecst/pdf
Normally-off sputtered-MoS(2)nMISFETs with TiN top-gate electrode all defined by optical lithography for chip-level integration

Kentaro Matsuura, Masaya Hamada, Takuya Hamada, Haruki Tanigawa, Takuro Sakamoto, Atsushi Hori, Iriya Muneta, Takamasa Kawanago, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 ( 8 ) 2020年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/aba9a3

Web of Science

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Thermal conductivity characteristics in polycrystalline silicon with different average sizes of grain and nanostructures in the grains by UV Raman spectroscopy 査読

Haruki Takeuchi, Ryo Yokogawa, Kazuya Takahashi, Katsuhiko Komori, Tamotsu Morimoto, Yuichiro Yamashita, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2020年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab9624

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ab9624/pdf
Superior subthreshold characteristics of gate-all-around p-type junctionless poly-Si nanowire transistor with ideal subthreshold slope

Min-Ju Ahn, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, Toshiro Hiramoto

Japanese Journal of Applied Physics 2020年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab9e7d

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Evaluation of plasma induced defects on silicon substrate by solar cell fabrication process

Kohei Onishi, Yutaka Hara, Tappei Nishihara, Hiroki Kanai, Takefumi Kamioka, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 7 ) 071003 - 071003 2020年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab984d

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Quantification of Ge fraction using local vibrational modes in Raman spectra of silicon germanium by oil-immersion Raman spectroscopy 査読

Ryo Yokogawa, Haruki Takeuchi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 7 ) 075502 - 075502 2020年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：IOP Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab9589

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その他リンク： https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ab9589
Anomalous low energy phonon dispersion in bulk silicon-germanium observed by inelastic x-ray scattering 査読

R. Yokogawa, H. Takeuchi, Y. Arai, I. Yonenaga, M. Tomita, H. Uchiyama, T. Watanabe, A. Ogura

Applied Physics Letters 116 ( 24 ) 242104 - 242104 2020年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：AIP Publishing

DOI： 10.1063/5.0010506

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Evaluation of Sawing Damage for Thin Flexible Silicon Solar Cells

Yutaka Hara, Kohei Onishi, Ryo Yokogawa, Tappei Nishihara, Takefumi Kamioka, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Noboru Yamada, Yukio Miyashita, Atsushi Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2020-June 0875 - 0880 2020年6月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC45281.2020.9300405

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Enlargement of grain size for MoS2 film fabricated by RF magnetron sputtering with additional DC bias by optimization of deposition parameters and its evaluation with Raman spectroscopy

Y. Oyanagi, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Wakabayashi, A. Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 2020年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab9384

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Bipolar Transistor Test Structures for Extracting Minority Carrier Lifetime in IGBTs 査読

Kiyoshi Takeuchi, Munetoshi Fukui, Takuya Saraya, Kazuo Itou, Toshihiko Takakura, Shinichi Suzuki, Yohichiroh Numasawa, Naoyuki Shigyo, Kuniyuki Kakushima, Takuya Hoshii, Kazuyoshi Furukawa, Masahiro Watanabe, Hitoshi Wakabayashi, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Wataru Saito, Shin-Ichi Nishizawa, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Hiromichi Ohashi, Toshiro Hiramoto

IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 33 ( 2 ) 159 - 165 2020年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

DOI： 10.1109/tsm.2020.2972369

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Synthesis of MoS2(1-xTe2x by Sputtering and the Change in the Physical Properties and Structure Depending on the Chalcogen Composition

Yusuke Hibino, Yusuke Hashimoto, Kota Yamazaki, Yuya Oyanagi, Naomi Sawamoto, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

4th Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2020 - Proceedings 2020年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/EDTM47692.2020.9118006

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低Ge濃度SiGe薄膜におけるEXAFS振動の温度とGe濃度依存性の評価

吉岡和俊, 横川凌, 高橋祐樹, 小原田賢聖, 竹内悠希, 小笠原凱, 広沢一郎, 渡辺剛, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.1 3142 - 3142 2020年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_3142

CiNii Research

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Temperature and polarity dependence of electrical properties of ZnO film on pyroelectric LiNbO<inf>3</inf> single crystal

Yasuhara, Y., Kurishima, K., Chikyow, T., Ogura, A., Nagata, T.

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab83df

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Phonon dispersion of bulk Ge-rich SiGe: Inelastic X-ray scattering studies 査読

Usuda, K., Oyanagi, Y., Yokogawa, R., Uchiyama, H., Tsutsui, S., Yonenaga, I., Ogura, A.

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 6 ) 061003 - 061003 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：{IOP} Publishing

DOI： 10.35848/1347-4065/ab8e07

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Metagenome sequences from the environment of diseased otter clams, Lutraria rhynchaena, from a farm in Vietnam 査読

Yuki Kagaya, Ryuhei Minei, Ha T.T. Duong, Binh T.N. Le, Lua T. Dang, Trang T.H. Tran, Hoa T. Nguyen, Kengo Kinoshita, Kei Yura, Atsushi Ogura, Oanh T.P. Kim

Microbiology Resource Announcements 9 ( 2 ) 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1128/MRA.01068-19

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Width dependence of drain current and carrier mobility in gate-all-around multi-channel polycrystalline silicon nanowire transistors with 10 nm width scale 査読

Jang, K.-H., Saraya, T., Kobayashi, M., Sawamoto, N., Ogura, A., Hiramoto, T.

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( 2 ) 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab6f2c

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Surface inversion layer effective minority carrier mobility as one of the measures of surface quality of the p-aSi:H/i-aSi:H/cSi heterojunction solar cell 査読

Kamioka, T., Hayashi, Y., Gotoh, K., Ozaki, R., Nakamura, K., Morimura, M., Naitou, S., Usami, N., Ogura, A., Ohshita, Y.

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SG ) 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab70a0

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Band alignment at non-polar AlN/MnS interface investigated by hard X-ray photoelectron spectroscopy 査読

Kurishima, K., Tatejima, K., Yamashita, Y., Ueda, S., Ishibashi, K., Takahashi, K., Suzuki, S., Ogura, A., Chikyow, T., Nagata, T.

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab769c

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Stress evaluation induced by wiggling silicon nitride fine pattern using Raman spectroscopy 査読

Koharada, M., Yokogawa, R., Sawamoto, N., Yoshioka, K., Ogura, A.

Japanese Journal of Applied Physics 59 ( SI ) 2020年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.35848/1347-4065/ab7e14

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Anisotropic biaxial stress evaluation in metal-organic chemical vapor deposition grown Ge<inf>1-</inf><inf>x</inf>Sn<inf>x</inf> mesa structure by oil-immersion Raman spectroscopy 査読

Yoshioka, K., Yokogawa, R., Ogura, A.

Thin Solid Films 697 2020年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2020.137797

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The Physical and Chemical Properties of MoS2(1-x)Te2xAlloy Synthesized by Co-sputtering and Chalcogenization and Their Dependence on Fabrication Conditions

Yusuke Hibino, Kota Yamazaki, Yusuke Hashimoto, Yuya Oyanagi, Naomi Sawamoto, Hideaki MacHida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudo, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

MRS Advances 5 ( 31-32 ) 1635 - 1642 2020年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/adv.2020.170

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Evaluation of MoS2Films Fabricated by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using a Novel Mo Precursor i-Pr2DADMo(CO)3under Various Deposition Conditions

K. Yamazaki, Y. Hibino, Y. Oyanagi, Y. Hashimoto, N. Sawamoto, H. MacHida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 5 ( 31-32 ) 1643 - 1652 2020年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/adv.2020.187

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Improvement of ferroelectricity and fatigue property of thicker HfxZr1−xO2/ZrO2 bi-layer

T. Onaya, T. Nabatame, M. Inoue, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, N. Sawamoto, T. Nagata, J. Kim, A. Ogura

ECS Transactions 98 ( 3 ) 63 - 70 2020年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/09803.0063ecst

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Effects of damages induced by indium-tin-oxide reactive plasma deposition on minority carrier lifetime in silicon crystal 査読

Takefumi Kamioka, Yuki Isogai, Yutaka Hayashi, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

AIP Advances 9 ( 10 ) 2019年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5124903

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Switching of 3300v scaled igbt by 5v gate drive 招待査読国際誌

T. Hiramoto, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, T. Sarava, H. Iwai, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohash, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa

13th IEEE International Conference on ASIC, ASICON 2019 2019年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ASICON47005.2019.8983633

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ラマン分光法を用いたWigglingシリコン窒化膜パターンによる応力評価

小原田賢聖, 横川凌, 澤本直美, 吉岡和俊, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3064 - 3064 2019年9月

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記述言語：日本語出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

DOI： 10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_3064

CiNii Research

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Temperature Measurement for Si Nanowire Thermoelectric Generators By Operand Raman Spectroscopy

Ryo Yokogawa, Tianzhuo Zhan, Hiroki Takezawa, Kohei Mesaki, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura

ECS Meeting Abstracts {MA}2019-02 ( 26 ) 1211 - 1211 2019年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/MA2019-02/26/1211

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Lateral Nodal Features on Restaging Magnetic Resonance Imaging Associated with Lateral Local Recurrence in Low Rectal Cancer after Neoadjuvant Chemoradiotherapy or Radiotherapy 査読

Atsushi Ogura, Tsuyoshi Konishi, Geerard L. Beets, Chris Cunningham, Julio Garcia-Aguilar, Henrik Iversen, Shigeo Toda, In Kyu Lee, Hong Xiang Lee, Keisuke Uehara, Peter Lee, Hein Putter, Cornelis J.H. Van De Velde, Harm J.T. Rutten, Jurriaan B. Tuynman, Miranda Kusters

JAMA Surgery 154 ( 9 ) 2019年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1001/jamasurg.2019.2172

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Ferroelectricity of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1−x</inf>O<inf>2</inf> thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition 査読

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura

Microelectronic Engineering 215 2019年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2019.111013

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Anisotropic Biaxial Strain Evaluation in Carbon-Doped Silicon Using Water-Immersion Raman Spectroscopy 査読

Kazutoshi Yoshioka, Ryo Yokogawa, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura

ECS Transactions 92 ( 4 ) 33 - 39 2019年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Electrochemical Society

DOI： 10.1149/09204.0033ecst

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Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3 査読

Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura

ECS Transactions 92 ( 3 ) 3 - 13 2019年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/09203.0003ecst

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Improvement in ferroelectricity of Hf<inf>x</inf>Zr<inf>1-x</inf>O<inf>2</inf> thin films using top- and bottom-ZrO<inf>2</inf> nucleation layers 査読

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura

APL Materials 7 ( 6 ) 2019年6月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5096626

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Evaluation of thermal conductivity characteristics in Si nanowire covered with oxide by UV Raman spectroscopy 査読

Ryo Yokogawa, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 ( SD ) 2019年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab0889

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Normally-off sputtered-MoS<inf>2</inf> nMISFETs with MoSi<inf>2</inf> contact by sulfur powder annealing and ALD Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> gate dielectric for chip level integration 査読

K. Matsuura, M. Hamada, T. Hamada, H. Tanigawa, T. Sakamoto, W. Cao, K. Parto, A. Hori, I. Muneta, T. Kawanago, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, K. Banerjee, H. Wakabayashi

19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019 2019年6月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.23919/IWJT.2019.8802622

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Ultra-Thin Lightweight Bendable Crystalline Si Solar Cells for Solar Vehicles 査読

Yoshio Ohshita, Kohei Onishi, Ryo Yokogawa, Tappei Nishihara, Takefumi Kamioka, Kyotaro Nakamura, Tomoyuki Kawatsu, Toshiki Nagai, Noboru Yamada, Yukio Miyashita, Atsushi Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1131 - 1134 2019年6月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.8981291

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Evaluation of ITO/a-Si Interface Fabricated by RPD Technique 査読

Tappei Nishihara, Takefumi Kamioka, Hiroki Kanai, Yoshio Ohshita, Hideki Matsumura, Satoshi Yasuno, Ichiro Hirosawa, Atsushi Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2702 - 2704 2019年6月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC40753.2019.8980657

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Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress 査読

K.Kurishima, T.Nabatame, T.Onaya, K.Tsukagoshi, A.Ohi, N.Ikeda, T.Nagata, A.Ogura

2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 74 - 76 2019年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/edtm.2019.8731167

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Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss

T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, M. Tsukuda, Y. Numasawa, K. Satoh, T. Matsudai, W. Saito, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Furukawa, M. Watanabe, N. Shigyo, K. Tsutsui, H. Iwai, A. Ogura, S. Nishizawa, I. Omura, H. Ohashi, T. Hiramoto

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2018-December 2019年1月

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DOI： 10.1109/IEDM.2018.8614491

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Neoadjuvant (chemo)radiotherapy with total mesorectal excision only is not sufficient to prevent lateral local recurrence in enlarged nodes: Results of the multicenter lateral node study of patients with low ct3/4 rectal cancer 査読

Atsushi Ogura, Tsuyoshi Konishi, Chris Cunningham, Julio Garcia-Aguilar, Henrik Iversen, Shigeo Toda, In Kyu Lee, Hong Xiang Lee, Keisuke Uehara, Peter Lee, Hein Putter, Cornelis J.H. Van De Velde, Geerard L. Beets, Harm J.T. Rutten, Miranda Kusters

Journal of Clinical Oncology 37 ( 1 ) 33 - 43 2019年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1200/JCO.18.00032

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Clinical value of enzyme immunoassay that detects rubella-specific immunoglobulin M immediately after disease onset 査読国際誌

Kurata Takako, Uchino Kiyoko, Hotta Chiemi, Ogura Atsushi, Miyoshi Tatsuya, Ogawa Tomoko, Kanbayashi Daiki, Tanaka Tomoyuki, Yumisashi Takahiro, Komano Jun

MICROBIOLOGY AND IMMUNOLOGY 63 ( 1 ) 32 - 35 2019年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1111/1348-0421.12664

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Crystal growth of a MnS buffer layer for non-polar AlN on Si (100) deposited by radio frequency magnetron sputtering 査読

Tatejima, K., Nagata, T., Ishibashi, K., Takahashi, K., Suzuki, S., Ogura, A., Chikyow, T.

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SB ) 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aafd8e

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Evaluations of minority carrier lifetime in floating zone Si affected by Si insulated gate bipolar transistor processes 査読

Kobayashi, H., Yokogawa, R., Kinoshita, K., Numasawa, Y., Ogura, A., Nishizawa, S.-I., Saraya, T., Ito, K., Takakura, T., Suzuki, S.-I., Fukui, M., Takeuchi, K., Hiramoto, T.

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 59 ) 2019年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aafd90

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Effect of oxygen precipitation through annealing process on lifetime degradation by Czochralski-Si crystal growth conditions 査読

Kinoshita, K., Kojima, T., Onishi, K., Ohshita, Y., Ogura, A.

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SB ) 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/aaf87b

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Lifetime degradation by oxygen precipitation combined with metal contamination in Czochralski silicon for solar cells 査読

Onishi, K., Kinoshita, K., Kojima, T., Ohshita, Y., Ogura, A.

ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 ( 4 ) Q72 - Q75 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0111904jss

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Evaluation of Sn-doped indium oxide film and interface properties on a-Si formed by reactive plasma deposition 査読

Nishihara, T., Kamioka, T., Kanai, H., Ohshita, Y., Yasuno, S., Hirosawa, I., Ogura, A.

ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 ( 6 ) 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0181906jss

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Effect of additives in electrode paste of p-type crystalline Si solar cells on potential-induced degradation 査読

Jonai, S., Tanaka, A., Muramatsu, K., Saito, G., Nakamura, K., Ogura, A., Ohshita, Y., Masuda, A.

Solar Energy 188 1292 - 1297 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.solener.2019.07.012

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Effect of post-deposition annealing on electrical properties and structures of aluminum oxide passivation film on a crystalline silicon substrate 査読

Arafune, K., Kitano, S., Yoshida, H., Ogura, A., Hotta, Y.

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 12 ) 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab50ec

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Effects of substrate self-bias and nitrogen flow rate on non-polar AlN film growth by reactive sputtering 査読

Tatejima, K., Nagata, T., Ishibashi, K., Takahashi, K., Suzuki, S., Ogura, A., Chikyow, T.

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( SD ) 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab088f

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Effects of surface recombination and excitation power on quantitative analysis of carbon in Si using room-temperature photoluminescence after electron irradiation 査読

Ishikawa, Y., Tajima, M., Ogura, A.

Japanese Journal of Applied Physics 58 ( 7 ) 2019年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/1347-4065/ab0732

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Prognostic implications of MRI-detected lateral nodal disease and extramural vascular invasion in rectal cancer 査読

D. P. Schaap, A. Ogura, J. Nederend, M. Maas, J. S. Cnossen, G. J. Creemers, I. van Lijnschoten, G. A.P. Nieuwenhuijzen, H. J.T. Rutten, M. Kusters

British Journal of Surgery 105 ( 13 ) 1844 - 1852 2018年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/bjs.10949

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Evaluation of ITO/a-Si interface properties by hard X-ray photoemission spectroscopy 査読

Tappei Nishihara, Takuto Kojima, Takuya Hiyama, Hideki Matsumura, Takefumi Kamioka, Yoshio Ohshita, Satoshi Yasuno, Ichiro Hirosawa, Atsushi Ogura

2018 IEEE 7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC 2018 - A Joint Conference of 45th IEEE PVSC, 28th PVSEC and 34th EU PVSEC 2170 - 2172 2018年11月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2018.8548139

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New Methodology for Evaluating Minority Carrier Lifetime for Process Assessment

K. Kakushima, T. Hoshii, M. Watanabe, N. Shizyo, K. Furukawa, T. Saraya, T. Takakura, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, I. Muneta, H. Wakabayashi, Y. Numasawa, A. Ogura, S. Nishizawa, K. Tsutsui, T. Hiramoto, H. Ohashi, H. Iwai

IEEE Symposium on VLSI Circuits, Digest of Technical Papers 2018-June 105 - 106 2018年10月

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DOI： 10.1109/VLSIC.2018.8502399

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Comparative genome and transcriptome analysis of diatom, Skeletonema costatum, reveals evolution of genes for harmful algal bloom 査読

Atsushi Ogura, Yuki Akizuki, Hiroaki Imoda, Katsuhiko Mineta, Takashi Gojobori, Satoshi Nagai

BMC Genomics 19 ( 1 ) 2018年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1186/s12864-018-5144-5

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Determination of phonon deformation potentials and strain-shift coefficients in Ge-rich Si1-xGex using bulk Ge-rich Si1-xGex crystals and oil-immersion Raman spectroscopy 査読

Ryo Yokogawa, Kazuma Takeuchi, Tatsumi Murakami, Koji Usuda, Ichiro Yonenaga, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 ( 10 ) 2018年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.106601

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De novo assembly of middle-sized genome using MinION and Illumina sequencers 06 Biological Sciences 0604 Genetics 査読

Ryuhei Minei, Ryo Hoshina, Atsushi Ogura

BMC Genomics 19 ( 1 ) 2018年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1186/s12864-018-5067-1

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Pretreatment Serum Carbohydrate Antigen 19-9 Concentration Is a Predictor of Survival of Patients Who Have Undergone Curative Resection of Stage IV Rectal Cancer 査読

Hisanori Miki, Takashi Akiyoshi, Atsushi Ogura, Toshiya Nagasaki, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Satoshi Nagayama, Hisashi Noma, Akio Saiura, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

Digestive Surgery 35 ( 5 ) 389 - 396 2018年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1159/000480247

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Analysis of candidate idarubicin drug resistance genes in MOLT-3 cells using exome nuclear DNA 査読

Tomoyoshi Komiyama, Atsushi Ogura, Takehito Kajiwara, Yoshinori Okada, Hiroyuki Kobayashi

Genes 9 ( 8 ) 2018年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/genes9080390

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Study on chemical bonding states at electrode-silicon interface fabricated with fire-through control paste 査読

Hiyama Takuya, Kojima Takuto, Kinoshita Kosuke, Nishihara Tappei, Onishi Kohei, Muramatsu Kazuo, Tanaka Aki, Ohshita Yoshio, Ogura Atsushi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 ( 8 ) 2018年8月

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DOI： 10.7567/JJAP.57.08RB23

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Evaluation of oxygen precipitation behavior in n-type Czochralski-Si for photovoltaic by infrared tomography: Effects of carbon concentration and annealing process conditions 査読

Kinoshita Kosuke, Kojima Takuto, Kobayashi Hiroto, Ohshita Yoshio, Ogura Atsushi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57 ( 8 ) 2018年8月

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DOI： 10.7567/JJAP.57.08RB01

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Endoscopic criteria to evaluate tumor response of rectal cancer to neoadjuvant chemoradiotherapy using magnifying chromoendoscopy 査読

Akiko Chino, Tsuyoshi Konishi, Atsushi Ogura, Hiroshi Kawachi, Hiroki Osumi, Toshiyuki Yoshio, Teruhito Kishihara, Daisuke Ide, Shoichi Saito, Masahiro Igarashi, Takashi Akiyoshi, Masashi Ueno, Junko Fujisaki

European Journal of Surgical Oncology 44 ( 8 ) 1247 - 1253 2018年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.ejso.2018.04.013

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Chip-Level-Integrated nMISFETs with Sputter-Deposited-MoS<inf>2</inf> Thin Channel Passivated by Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Film and TiN Top Gate

Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings 104 - 106 2018年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/EDTM.2018.8421491

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Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization 査読

Kentaro Matsuura, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

Journal of Electronic Materials 47 ( 7 ) 3497 - 3501 2018年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-018-6191-z

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Improved leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory capacitors 査読

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

Thin Solid Films 655 48 - 53 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2018.02.010

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Investigation on Mo1-xWxS2 fabricated by co-sputtering and post-deposition sulfurization with (t-C4H9)2S2 査読

Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 6 ) 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/JJAP.57.06HB04

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Improving Performance and Variability of Gate-All-Around Polycrystalline Silicon Nanowire Transistors by High Temperature Annealing with Passivation Oxide , 査読

K. –H. Jang, T. Saraya, M. Kobayashi, N. Sawamoto, A. Ogura, T. Hiramoto

2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA 59 - 60 2018年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

2018/6/7

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Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress Induced Around Trench Gate of Si Power Transistor Using Water-Immersion Raman Spectroscopy 査読

Takahiro Suzuki, Ryo Yokogawa, Kohei Oasa, Tatsuya Nishiwaki, Takeshi Hamamoto, Atsushi Ogura

Journal of Electronic Materials 47 ( 9 ) 1 - 6 2018年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-018-6318-2

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Evaluation of saw damage using diamond-coated wire in crystalline silicon solar cells by photoluminescence imaging 査読

Kosuke Kinoshita, Takuto Kojima, Ryota Suzuki, Tomoyuki Kawatsu, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 5 ) 2018年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.055702

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Miniaturized planar Si-nanowire micro-thermoelectric generator using exuded thermal field for power generation 査読

Tianzhuo Zhan, Ryo Yamato, Shuichiro Hashimoto, Motohiro Tomita, Shunsuke Oba, Yuya Himeda, Kohei Mesaki, Hiroki Takezawa, Ryo Yokogawa, Yibin Xu, Takashi Matsukawa, Atsushi Ogura, Yoshinari Kamakura, Takanobu Watanabe

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 19 ( 1 ) 443 - 453 2018年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1080/14686996.2018.1460177

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Study of Sn and Mg doping effects on TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis 査読

Takahiro Nagata, Yoshihisa Suzuki, Yoshiyuki Yamashita, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 4 ) 2018年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/JJAP.57.04FJ04

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Origin of room-temperature photoluminescence around C-line in electron-irradiated Si and its applicability for quantification of carbon 査読

Michio Tajima, Yoichiro Ishikawa, Hirotatsu Kiuchi, Atsushi Ogura

Applied Physics Express 11 ( 4 ) 2018年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.11.041301

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Skeletal muscle loss is an independent negative prognostic factor in patients with advanced lower rectal cancer treated with neoadjuvant chemoradiotherapy 査読

Yasuhiro Takeda, Takashi Akiyoshi, Kiyoshi Matsueda, Hironori Fukuoka, Atsushi Ogura, Hisanori Miki, Yukiharu Hiyoshi, Toshiya Nagasaki, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

PLoS ONE 13 ( 4 ) 2018年4月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1371/journal.pone.0195406

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Pattern of programmed cell death-ligand 1 expression and CD8-positive T-cell infiltration before and after chemoradiotherapy in rectal cancer 査読

Atsushi Ogura, Takashi Akiyoshi, Noriko Yamamoto, Hiroshi Kawachi, Yuichi Ishikawa, Seiichi Mori, Koji Oba, Masato Nagino, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

European Journal of Cancer 91 11 - 20 2018年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.ejca.2017.12.005

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Low-Carrier-Density Sputter-MoS2 Film by Vapor-Phase Sulfurization

K. Matsuura, T. Ohashi, I. Muneta, S. Ishihara, K. Kakushima, K. Tsutsui, A. Ogura, H. Wakabayashi

Journal of Electrical Materials Vol. 47 ( No. 7 ) 2018年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-018-6191-z

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Chemical Synthesis of Multilayered Nanostructured Perovskite Thin Films with Dielectric Features for Electric Capacitors 査読

Mohamed Barakat Zakaria, Takahiro Nagata, Asahiko Matsuda, Yudai Yasuhara, Atsushi Ogura, Md. Shahriar A. Hossain, Motasim Billah, Yusuke Yamauchi, Toyohiro Chikyow

ACS APPLIED NANO MATERIALS 1 ( 2 ) 915 - 921 2018年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1021/acsanm.7b00310

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3D scaling for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with low Vce(sat)

K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

Proceedings of International Conference on ASIC 2017- 1137 - 1140 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE Computer Society

DOI： 10.1109/ASICON.2017.8252681

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Effects of particle size of aluminum powder in silver/aluminum paste on n-type solar cells

Takayuki Aoyama, Mari Aoki, Isao Sumita, Atsushi Ogura

AIMS Materials Science 5 614 - 623 2018年1月

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DOI： 10.3934/matersci.2018.4.614

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Determination of phonon deformation potentials in carbon-doped silicon

K. Yoshioka, R. Yokogawa, T. Murakami, S. Komago, N. Sawamoto, A. Ogura

ECS Transactions 86 419 - 425 2018年1月

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DOI： 10.1149/08607.0419ecst

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Strain evaluation of laser-annealed SiGe thin layers

S. Komago, T. Murakami, K. Yoshioka, R. Yokogawa, J. O. Borland, T. Kuroi, T. Tabata, K. Huet, N. Horiguchi, A. Ogura

ECS Transactions 86 59 - 65 2018年1月

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DOI： 10.1149/08607.0059ecst

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Evaluation of anisotropic three-dimensional strain relaxation in stripe-shaped Gei-iSni mesa structure

Y. Takahashi, R. Yokogawa, T. Murakami, I. Hirosawa, K. Suda, A. Ogura

ECS Transactions 86 ( 7 ) 329 - 336 2018年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/08607.0329ecst

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Evaluation of laterally graded silicon germanium wires for thermoelectric devices fabricated by rapid melting growth

R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, A. Ogura

ECS Transactions 86 87 - 93 2018年1月

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DOI： 10.1149/08607.0087ecst

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High-Sri concentration MOCVD-grown strained GeSn thin films evaluated using HAXPES and XRD base on synchrotron technique

K. Usuda, M. Yoshiki, K. Suda, A. Ogura, M. Tomita

ECS Transactions 86 411 - 418 2018年1月

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DOI： 10.1149/08607.0411ecst

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Reliability of Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/In-Si-O-C thin-film transistor with an Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> passivation layer under gate-bias stress 査読

Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura

ECS Transactions 86 ( 11 ) 135 - 145 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/08611.0135ecst

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Ferroelectricity of Hf <inf>x</inf> Zr <inf>1-x</inf> O <inf>2</inf> thin films fabricated using TiN stressor and ZrO <inf>2</inf> nucleation techniques

T. Onaya, T. Nabatame, N. Sawamoto, K. Kurishima, A. Ohi, N. Ikeda, T. Nagata, A. Ogura

ECS Transactions 86 ( 6 ) 31 - 38 2018年1月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/08606.0031ecst

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Sputter-deposited-MoS <inf>2</inf> n MISFETs with top-gate and Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> passivation under low thermal budget for large area integration

Kentaro Matsuura, Jun'Ichi Shimizu, Mayato Toyama, Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Seiya Ishihara, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

IEEE Journal of the Electron Devices Society 6 ( 1 ) 1251 - 1257 2018年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JEDS.2018.2883133

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MOCVD of Monolayer MoS2 using Novel Molybdenum Precursor i-Pr2DADMo(CO)3

S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, H. Machida, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 3 ( 6-7 ) 379 - 384 2018年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/adv.2018.237

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Control of dipole properties in high-k and SiO<inf>2</inf> stacks on Si substrates with tricolor superstructure 査読

Hotta, Y., Kawayama, I., Miyake, S., Saiki, I., Nishi, S., Yamahara, K., Arafune, K., Yoshida, H., Satoh, S.-I., Sawamoto, N., Ogura, A., Ito, A., Nakanishi, H., Tonouchi, M., Tabata, H.

Applied Physics Letters 113 ( 1 ) 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.5034494

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Determination of C concentration in P-doped n-type Czochralski-grown Si crystals by liquid N temperature photoluminescence after electron irradiation 査読

Ishikawa, Y., Tajima, M., Kiuchi, H., Ogura, A., Miyamura, Y., Harada, H., Kakimoto, K.

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 8 ) 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.08RB06

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Distribution of light-element impurities in Si crystals grown by seed-casting method 査読

Nakayama, R., Kojima, T., Ogura, A., Kutsukake, K.

Japanese Journal of Applied Physics 57 ( 8 ) 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.57.08RB19

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Determination of Low C Concentration in Czochralski-Grown Si for Solar Cell Applications by Liquid-N-Temperature Photoluminescence After Electron Irradiation 査読

Tajima, M., Kiuchi, H., Higuchi, F., Ishikawa, Y., Ogura, A.

Journal of Electronic Materials 47 ( 9 ) 5056 - 5060 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-018-6324-4

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Suppression of sulfur desorption of high-temperature sputtered MoS2film by applying DC bias

Y. Hibino, S. Ishihara, Y. Oyanagi, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Wakabayashi, A. Ogura

ECS Transactions 85 ( 13 ) 531 - 539 2018年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IOP Publishing Ltd

DOI： 10.1149/08513.0531ecst

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Evaluation of ITO/a-Si interface properties by hard X-ray photoemission spectroscopy 査読

Tappei Nishihara, Takuto Kojima, Takuya Hiyama, Hideki Matsumura, Takefumi Kamioka, Yoshio Ohshita, Satoshi Yasuno, Ichiro Hirosawa, Atsushi Ogura

2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 2170 - 2172 2018年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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A novel nuclear localization signal spans the linker of the two DNA-binding subdomains in the conserved paired domain of Pax6 査読

Hiromasa Tabata, Akihiro Koinui, Atsushi Ogura, Daisuke Nishihara, Hiroaki Yamamoto

Genes and Genetic Systems 93 ( 2 ) 75 - 81 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1266/ggs.17-00057

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Effect of carbon doping on threshold voltage and mobility of In-Si-O thin-film transistors 査読

Kurishima, K., Nabatame, T., Mitoma, N., Kizu, T., Aikawa, S., Tsukagoshi, K., Ohi, A., Chikyow, T., Ogura, A.

Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics 36 ( 6 ) 061206 2018年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.5039665

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Potential of Chemical Rounding for the Performance Enhancement of a Monolithic Perovskite/Bifacial N-PERT Si Tandem Cell 査読

2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 2039 - 2044 2018年

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Evaluation of lifetime degradation caused by oxygen precipitation combined with metal contamination in Cz-Si for solar cells 査読

2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 0360 - 0362 2018年

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Effect of ITO Capping Layer on Interface Workfunction of MoOx in ITO/MoOx/SiO2/Si Contacts 査読

2018 IEEE 7TH WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC ENERGY CONVERSION (WCPEC) (A JOINT CONFERENCE OF 45TH IEEE PVSC, 28TH PVSEC & 34TH EU PVSEC) 2024 - 2026 2018年

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Investigation of Novel Te precursor (i-C3H7)2Te for MoTe2 Fabrication

Y. Hibino, S. Ishihara, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 3 ( 6-7 ) 321 - 326 2018年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/adv.2018.126

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Characterictics variability of gate-all-around polycrystalline silicon nanowire transistors with width of 10nm scale

Ki-Hyun Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, Toshiro Hiramoto

2017 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2017 2017- 33 - 34 2017年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.23919/SNW.2017.8242283

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三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証査読

筒井一生, 角嶋邦之, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 若林整, 宗田伊理也, 佐藤克己, 末代知子, 齋藤渉, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 小林正治, 高倉俊彦, 平本俊郎, 小椋厚志, 沼沢陽一郎, 大村一郎, 大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会，鹿児島大学稲盛会館 EDD-17-074 - SPC-17-173 2017年11月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（研究会，シンポジウム資料等）

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Improvement of smooth surface of RuO2 bottom electrode on Al2O3 buffer layer and characteristics of RuO2/TiO2/Al2O3/TiO2/RuO2 capacitors 査読

Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Thang Duy Dao, Ippei Yamamoto, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Kazuyuki Kohama, Tomoji Ohishi, Atsushi Ogura, Tadaaki Nagao

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 35 ( 6 ) 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.4998425

Web of Science

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Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial film using SiGe stressor template grown on Ge substrate by selective ion implantation 査読

Kazuma Takeuchi, Ryo Yokogawa, Seiya Ishihara, Shotaro Yamamoto, Shiori Konoshima, Kentarou Sawano, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 11 ) 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.110313

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Probing spatial heterogeneity in silicon thin films by Raman spectroscopy 査読

Hideyuki Yamazaki, Mitsuo Koike, Masumi Saitoh, Mitsuhiro Tomita, Ryo Yokogawa, Naomi Sawamoto, Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura

SCIENTIFIC REPORTS 7 2017年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/s41598-017-16724-4

Web of Science

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Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder 査読

Shuichiro Hashimoto, Ryo Yokogawa, Shunsuke Oba, Shuhei Asada, Taiyu Xu, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara, Takanobu Watanabe

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122 ( 14 ) 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4999195

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The electrical losses induced by silver paste in n-type silicon solar cells 査読

Takayuki Aoyama, Mari Aoki, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 10 ) 2017年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.102302

Web of Science

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Characterization of Glass Frit in Conductive Paste for N-Type Crystalline Silicon Solar Cells 査読

Takayuki Aoyama, Mari Aoki, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Atsushi Ogura

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS 7 ( 5 ) 1313 - 1318 2017年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2017.2730866

Web of Science

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Band gap-tuned MoS2(1-x)Te2x thin films synthesized by a hybrid Co-sputtering and post-deposition tellurization annealing process 査読

Yusuke Hibino, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 32 ( 16 ) 3021 - 3028 2017年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/jmr.2017.306

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Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using ZrO2 seed layer 査読

Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 ( 8 ) 2017年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.10.081501

Web of Science

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Photoluminescence due to early stage of oxygen precipitation in multicrystalline Si for solar cells 査読

Fumito Higuchi, Michio Tajima, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 56 ( 7 ) 2017年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.070308

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The significance of extended lymphadenectomy for colorectal cancer with isolated synchronous extraregional lymph node metastasis 査読

Atsushi Ogura, Takashi Akiyoshi, Yukiko Takatsu, Jun Nagata, Toshiya Nagasaki, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Satoshi Nagayama, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

Asian Journal of Surgery 40 ( 4 ) 254 - 261 2017年7月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.asjsur.2015.10.003

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PubMed

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Determination of low carbon concentration in Czochralski-grown Si crystals for solar cells by luminescence activation using electron irradiation 査読

Hirotatsu Kiuchi, Michio Tajima, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura, Nobuhito Iida, Shoji Tachibana, Isao Masada, Eiichi Nishijima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 7 ) 2017年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.070305

Web of Science

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Role of H-2 supply for Sn incorporations in MOCVD Ge1-xSnx epitaxial growth 査読

Kohei Suda, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Yoshio Ohshita, Ichiro Hirosawa, Atsushi Ogura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468 605 - 609 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2016.12.085

Web of Science

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Effect of Y and Mn doping into rutile type TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis 査読

Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 6 ) 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.06GF11

Web of Science

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Evaluation of controlled strain in silicon nanowire by UV Raman spectroscopy 査読

Ryo Yokogawa, Shuichiro Hashimoto, Shuhei Asada, Motohiro Tomita, Takanobu Watanabe, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 6 ) 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.06GG10

Web of Science

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Investigation of the static electric field effect of strontium silicate layers on silicon substrates 査読

Shota Taniwaki, Keiji Imanishi, Mitsuhiro Umano, Haruhiko Yoshida, Koji Arafune, Atsushi Ogura, Shin-ichi Satoh, Yasushi Hotta

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 121 ( 22 ) 2017年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4985245

Web of Science

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Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epitaxially grown on a Si substrate with selective Ar+ ion implantation using oil-immersion Raman spectroscopy 査読

Shotaro Yamamoto, Daisuke Kosemura, Kazuma Takeuchi, Seiya Ishihara, Kentarou Sawano, Hiroshi Nohira, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 5 ) 2017年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.56.051301

Web of Science

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Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 properties and underlying-SiO2 surface roughness 査読

Takumi Ohashi, Iriya Muneta, Kentaro Matsuura, Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

Applied Physics Express 10 ( 4 ) 2017年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.10.041202

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Effects of thermal budget in n-type bifacial solar cell fabrication processes on effective lifetime of crystalline silicon 査読

Tomihisa Tachibana, Kyotaro Nakamura, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Takafumi Shimoda, Isao Masada, Eiichi Nishijima

AIP ADVANCES 7 ( 4 ) 2017年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4981138

Web of Science

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Quantification of C in Si by photoluminescence at liquid N temperature after electron irradiation 査読

Michio Tajima, Hirotatsu Kiuchi, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10 ( 4 ) 2017年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.10.046602

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Does the depth of mesorectal invasion have prognostic significance in patients with ypT3 lower rectal cancer treated with preoperative chemoradiotherapy? 査読

Atsushi Ogura, Takashi Akiyoshi, Noriko Yamamoto, Hiroshi Kawachi, Yuichi Ishikawa, Hisashi Noma, Masato Nagino, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

International Journal of Colorectal Disease 32 ( 3 ) 349 - 356 2017年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s00384-016-2716-1

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Feasibility of Laparoscopic Total Mesorectal Excision with Extended Lateral Pelvic Lymph Node Dissection for Advanced Lower Rectal Cancer after Preoperative Chemoradiotherapy 査読

Atsushi Ogura, Takashi Akiyoshi, Toshiya Nagasaki, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Satoshi Nagayama, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno, Hiroya Kuroyanagi

World Journal of Surgery 41 ( 3 ) 868 - 875 2017年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s00268-016-3762-0

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分子動力学法を用いた2元系IV-IV族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測

富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信

電子情報通信学会技術研究報告 116 ( 472 ) 61 - 66 2017年2月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT

K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, H. Iwai

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 10.6.1 - 10.6.4 2017年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/IEDM.2016.7838390

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DASE: Condition-specific differential alternative splicing variants estimation method without reference genome sequence, and its application to non-model organisms 査読

Kouki Yonezawa, Tsukasa Mori, Shuichi Shigeno, Atsushi Ogura

Proceedings - 2016 IEEE International Conference on Bioinformatics and Biomedicine, BIBM 2016 324 - 329 2017年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/BIBM.2016.7822540

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Analysis to estimate genetic variations in the idarubicin-resistant derivative MOLT-3 査読

Tomoyoshi Komiyama, Atsushi Ogura, Takatsugu Hirokawa, Miao Zhijing, Hiroshi Kamiguchi, Satomi Asai, Hayato Miyachi, Hiroyuki Kobayashi

International Journal of Molecular Sciences 18 ( 1 ) 2017年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3390/ijms18010012

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Investigation on MoS2(1-x)Te2x Mixture Alloy Fabricated by Co-sputtering Deposition

Y. Hibino, S. Ishihara, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 2 ( 29 ) 1557 - 1562 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/adv.2017.125

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DASE2: Differential alternative splicing variants estimation method without reference genome, and comparison with mapping strategy 査読

Kouki Yonezawa, Keisuke Nakata, Ryuhei Minei, Atsushi Ogura

International Journal of Data Mining and Bioinformatics 18 ( 1 ) 56 - 73 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1504/IJDMB.2017.10007185

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Effects of Reaction Conditions on MoS2 Thin Film Formation Synthesized by Chemical Vapor Deposition using Organic Precursor

S. Ishihara, Y. Hibino, N. Sawamoto, T. Ohashi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, H. Wakabayashi, A. Ogura

MRS Advances 2 ( 29 ) 1533 - 1538 2017年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/adv.2016.666

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Correlation between chemical-bonding states and fixed-charge states of Sr-silicate film on Si(100) substrate 査読

Shota Taniwaki, Haruhiko Yoshida, Koji Arafune, Atsushi Ogura, Shin-ichi Satoh, Yasushi Hotta

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 34 ( 6 ) 2016年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.4966904

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Patient-centered outcomes to decide treatment strategy for patients with low rectal cancer 査読

Michitaka Honda, Takashi Akiyoshi, Hisashi Noma, Atsushi Ogura, Toshiya Nagasaki, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Satoshi Nagayama, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

Journal of Surgical Oncology 114 ( 5 ) 630 - 636 2016年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/jso.24376

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Room temperature formation of Hf-silicate layer by pulsed laser deposition with Hf-Si-O ternary reaction control 査読

Yasushi Hotta, Satoshi Ueoka, Haruhiko Yoshida, Koji Arafune, Atsushi Ogura, Shin-ichi Satoh

AIP ADVANCES 6 ( 10 ) 2016年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4964932

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Biaxial stress evaluation in GeSn film epitaxially grown on Ge substrate by oil-immersion Raman spectroscopy 査読

Kazuma Takeuchi, Kohei Suda, Ryo Yokogawa, Koji Usuda, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 9 ) 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.091301

Web of Science

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Electrically active light-element complexes in silicon crystals grown by cast method 査読

Kuniyuki Sato, Atsushi Ogura, Haruhiko Ono

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 9 ) 2016年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.095502

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Origin of additional broad peaks in Raman spectra from thin germanium-rich silicon-germanium films 査読

Kazuma Takeuchi, Daisuke Kosemura, Ryo Yokogawa, Koji Usuda, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9 ( 7 ) 2016年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.9.071301

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Thin-film growth of (110) rutile TiO2 on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition 査読

Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 6 ) 2016年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.06GG06

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Properties of single-layer MoS2 film fabricated by combination of sputtering deposition and post deposition sulfurization annealing using (t-C4H9)(2)S-2 査読

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kohei Suda, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 6 ) 2016年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.06GF01

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Photoluminescence characterization of Si crystals for microelectronic and photovoltaic devices 査読

Michio Tajima, Gen Kato, Kei Nakagawa, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura

15th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2015 34 - 39 2016年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/IWJT.2015.7467070

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Safety of Laparoscopic Pelvic Exenteration with Urinary Diversion for Colorectal Malignancies 査読

Atsushi Ogura, Takashi Akiyoshi, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Satoshi Nagayama, Yosuke Fukunaga, Masashi Ueno

World Journal of Surgery 40 ( 5 ) 1236 - 1243 2016年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s00268-015-3364-2

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Complete genome sequence of the mitochondrial DNA of the sparkling enope squid, Watasenia scintillans 査読

Keiko Hayashi, Yuri L. Kawai, Kei Yura, Masa Aki Yoshida, Atsushi Ogura, Kenichiro Hata, Kazuhiko Nakabayashi, Kohji Okamura

Mitochondrial DNA. Part A, DNA mapping, sequencing, and analysis 27 ( 3 ) 1842 - 1843 2016年5月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3109/19401736.2014.971251

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Oxygen precipitates distributed around random grain boundaries in a cast-grown multicrystalline silicon crystal 査読

Takumi Uno, Kuniyuki Sato, Atsushi Ogura, Haruhiko Ono

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 4 ) 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.041302

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Detection of short range order in SiO2 thin-films by grazing-incidence wide and small-angle X-ray scattering 査読

Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Ichiro Hirosawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Tadahiro Ohmi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119 ( 15 ) 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4947053

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Positive and negative dipole layer formation at high-k/SiO2 interfaces simulated by classical molecular dynamics 査読

Kosuke Shimura, Ryota Kunugi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Jiayang Fei, Koji Kita, Takanobu Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 4 ) 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EB03

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Improving crystalline quality of sputtering-deposited MoS2 thin film by postdeposition sulfurization annealing using (t-C4H9)(2)S-2 査読

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Kohei Suda, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 4 ) 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.04EJ07

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Investigation of new stacking surface passivation structures with interfacial tuning layers on p-type crystalline silicon 査読

Norihiro Ikeno, Taka-aki Katsumata, Haruhiko Yoshida, Koji Arafune, Shin-ichi Satoh, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 4 ) 2016年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.04ES03

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Recurrent colorectal cancer after endoscopic resection when additional surgery was recommended 査読

Yukiko Takatsu, Yosuke Fukunaga, Shunsuke Hamasaki, Atsushi Ogura, Jun Nagata, Toshiya Nagasaki, Takashi Akiyoshi, Tsuyoshi Konishi, Yoshiya Fujimoto, Satoshi Nagayama, Masashi Ueno

World Journal of Gastroenterology 22 ( 7 ) 2336 - 2341 2016年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3748/wjg.v22.i7.2336

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Experimental approach reveals the role of alx1 in the evolution of the echinoderm larval skeleton 査読

Hiroyuki Koga, Haruka Fujitani, Yoshiaki Morino, Norio Miyamoto, Jun Tsuchimoto, Tomoko F. Shibata, Masafumi Nozawa, Shuji Shigenobu, Atsushi Ogura, Kazunori Tachibana, Masato Kiyomoto, Shonan Amemiya, Hiroshi Wada

PLoS ONE 11 ( 2 ) 2016年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1371/journal.pone.0149067

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Examination of phonon deformation potentials for accurate strain measurements in silicon-germanium alloys with the whole composition range by Raman spectroscopy 査読

Daisuke Kosemura, Shotaro Yamamoto, Kazuma Takeuchi, Koji Usuda, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 ( 2 ) 2016年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.55.026602

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The complete mitochondrial genome of the pygmy squid, Idiosepius (Cephalopoda: Decapodiformes): The first representative from the family Idiosepiidae 査読

Nathan E. Hall, Jan Hanzak, A. Louise Allcock, Ira R. Cooke, Atsushi Ogura, Jan M. Strugnell

Mitochondrial DNA 27 ( 1 ) 5 - 6 2016年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.3109/19401736.2013.865180

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Role of high-k interlayer in ZrO2/high-k/ZrO2 insulating multilayer on electrical properties for DRAM capacitor

T. Onaya, T. Nabatame, T. Sawada, K. Kurishima, N. Sawamoto, A. Ohi, T. Chikyow, A. Ogura

ECS Transactions 75 ( 8 ) 667 - 674 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/07508.0667ecst

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Effects of Aluminum in Metallization Paste on the Electrical Losses in Bifacial N-type Crystalline Silicon Solar Cells 査読

Takayuki Aoyama, Mari Aoki, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Atsushi Ogura

PROCEEDINGS OF THE SIXTH WORKSHOP ON METALLIZATION AND INTERCONNECTION FOR CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS 98 106 - 114 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1016/j.egypro.2016.10.086

Web of Science

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Prospectively of carbon-doped indium-tungsten-oxide channel TFT for bias stress instability 査読

Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takio Kizu, Nobuhiko Mitoma, Kazuhito Tsukagoshi, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi, Ippei Yamamoto, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

THIN FILM TRANSISTORS 13 (TFT 13) 75 ( 10 ) 149 - 156 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/07510.0149ecst

Web of Science

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Crystallinity Evaluation of Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Using UV/Visible Raman Spectroscopy 査読

R. Yokogawa, K. Takahashi, K. Komori, Y. Hirota, N. Sawamoto, A. Ogura

SILICON COMPATIBLE MATERIALS, PROCESSES, AND TECHNOLOGIES FOR ADVANCED INTEGRATED CIRCUITS AND EMERGING APPLICATIONS 6 72 ( 4 ) 249 - 255 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/07204.0249ecst

Web of Science

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Crystallinity evaluation of low temperature polycrystalline silicon thin film using UV/visible Raman spectroscopy

R. Yokogawa, K. Takahashi, K. Komori, Y. Hirota, N. Sawamoto, A. Ogura

ECS Transactions 72 ( 4 ) 249 - 255 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/07204.0249ecst

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Anisotropie Strain Evaluation Indueed in Group IV Materials using Liquid-Immersion Raman Spectroseopy 査読

Atsushi Ogura, Kazuma Takeuchi

2016 16TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON JUNCTION TECHNOLOGY (IWJT) 81 - 86 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IWJT.2016.7486679

Web of Science

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Minority Carrier Recombination Properties of Crystalline Defect on Silicon Surface Induced by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 査読

Tomihisa Tachibana, Daisuke Takai, Takuto Kojima, Takefumi Kamioka, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 5 ( 9 ) Q253 - Q256 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0371609jss

Web of Science

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A Study on the Evaluation Method of Glass Frit Paste for Crystalline Silicon Solar Cells 査読

Mari Aoki, Takayuki Aoyama, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2850 - 2853 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2016.7750174

Web of Science

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Fabrication and Performance Analysis of a Mechanical Stack InGaP/GaAs//Si Solar Cell 査読

Kan-Hua Lee, Kyotaro Nakamura, Takefumi Kamioka, Nobuaki Kojima, Hyunju Lee, Li Wang, Kenji Araki, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, Masafumi Yamaguchi

2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 1957 - 1959 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2016.7749968

Web of Science

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Effect of Glass Frit in Metallization Paste on the Electrical Losses in Bifacial N-type Crystalline Silicon Solar Cells 査読

Takayuki Aoyama, Mari Aoki, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Atsushi Ogura

2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2854 - 2858 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2016.7750175

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Large Scale Uniformity of Sputtering Deposited Single- and Few-Layer MoS2 Investigated by XPS Multipoint Measurements and Histogram Analysis of Optical Contrast 査読

Seiya Ishihara, Yusuke Hibino, Naomi Sawamoto, Takumi Ohashi, Kentarou Matsuura, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 5 ( 11 ) Q3012 - Q3015 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0031611jss

Web of Science

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Evaluation of SiNx Passivation with Plasma Treatment for Crystalline Si Solar Cell 査読

T. Hiyama, T. Kojima, Y. Yamashita, A. Ogura

2016 IEEE 43RD PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2905 - 2909 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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aCGH Analysis to Estimate Genetic Variations among Domesticated Chickens 査読

Tomoyoshi Komiyama, Mengjie Lin, Atsushi Ogura

BioMed Research International 2016 2016年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1155/2016/1794329

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Development of interatomic potential of group IV alloy semiconductors for lattice dynamics simulation

M. Tomita, A. Ogura, T. Watanabe

ECS Transactions 75 ( 8 ) 785 - 794 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/07508.0785ecst

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In-plane biaxial strain evaluation induced in Ge1-xSnx films using oil-immersion raman spectroscopy

K. Takeuchi, K. Suda, R. Suzuki, R. Yokogawa, N. Sawamoto, K. Usuda, A. Ogura

ECS Transactions 75 ( 8 ) 589 - 597 2016年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/07508.0589ecst

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Molecular Evidence for Convergence and Parallelism in Evolution of Complex Brains of Cephalopod Molluscs: Insights from Visual Systems 査読

M. A. Yoshida, A. Ogura, K. Ikeo, S. Shigeno, T. Moritaki, G. C. Winters, A. B. Kohn, L. L. Moroz

Integrative and Comparative Biology 55 ( 6 ) 1070 - 1083 2015年12月

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1093/icb/icv049

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PubMed

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Photoluminescence due to impurity-cluster-bound exciton in highly doped and highly compensated Si 査読

Michio Tajima, Koji Tanaka, Sebastien Dubois, Jordi Veirman, Kei Nakagawa, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 11 ) 2015年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.111304

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Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors

Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Maki Shimizu, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Shinya Aikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 33 ( 6 ) 2015年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.4928763

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Ge incorporated epitaxy of (110) rutile TiO2 on (100) Ge single crystal at low temperature by pulsed laser deposition

Takahiro Nagata, Kazuyoshi Kobashi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Chinnamuthu Paulsamy, Yoshihisa Suzuki, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow

THIN SOLID FILMS 591 105 - 110 2015年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2015.08.031

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Passivation properties of aluminum oxide films deposited by mist chemical vapor deposition for solar cell applications

Shohei Miki, Koji Iguchi, Sho Kitano, Koki Hayakashi, Yasushi Hotta, Haruhiko Yoshida, Atsushi Ogura, Shin-ichi Satoh, Koji Arafune

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD25

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Plasma-enhanced chemical-vapor deposition of silicon nitride film for high resistance to potential-induced degradation

Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Sachiko Jonai, Norihiro Ikeno, Tetsuya Saruwatari, Kohjiro Hara, Atsushi Ogura, Toshiharu Yamazaki, Takuya Doi, Makoto Shinohara, Atsushi Masuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD12

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Relationship between passivation properties and band alignment in O-3-based atomic-layer-deposited AlOx on crystalline Si for photovoltaic applications

Norihiro Ikeno, Yoshihiro Yamashita, Hiroshi Oji, Shohei Miki, Koji Arafune, Haruhiko Yoshida, Shin-ichi Satoh, Ichiro Hirosawa, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD19

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Surface passivation of crystalline silicon by sputtered AlOx/AlNx stacks toward low-cost high-efficiency silicon solar cells

Hyunju Lee, Keigo Ueda, Yuya Enomoto, Koji Arafune, Haruhiko Yoshida, Shin-ichi Satoh, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD18

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X-ray evaluation of electronic and chemical properties and film structures in SiN passivation layer on crystalline Si solar cells 査読

Yoshihiro Yamashita, Norihiro Ikeno, Tomihisa Tachibana, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 2015年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.08KD14

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Iron related solar cell instability: Imaging analysis and impact on cell performance

M. C. Schubert, M. Padilla, B. Michl, L. Mundt, J. Giesecke, J. Hohl-Ebinger, J. Benick, W. Warta, M. Tajima, A. Ogura

SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS 138 96 - 101 2015年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.solmat.2015.03.001

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Advantage in solar cell efficiency of high-quality seed cast mono Si ingot

Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Karolin Jiptner, Satoshi Nakano, Bing Gao, Koichi Kakimoto, Kyotaro Nakamura, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, Shin Sugawara, Takashi Sekiguchi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 8 ( 6 ) 2015年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.8.062301

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Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputtering for enhancement-mode nMOSFETs

Takumi Ohashi, Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Shimpei Yamaguchi, Kentaro Matsuura, Kuniyuki Kakushima, Nobuyuki Sugii, Akira Nishiyama, Yoshinori Kataoka, Kenji Natori, Kazuo Tsutsui, Hiroshi Iwai, Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 4 ) 2015年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.54.04DN08

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Investigation of dislocations in Nb-doped SrTiO3 by electron-beam-induced current and transmission electron microscopy

Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Jianyong Li, Shun Ito, Wei Yi, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 106 ( 10 ) 2015年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4915298

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Endoscopic evaluation of clinical response after preoperative chemoradiotherapy for lower rectal cancer: the significance of endoscopic complete response 査読

Atsushi Ogura, Akiko Chino, Tsuyoshi Konishi, Takashi Akiyoshi, Teruhito Kishihara, Yoshiro Tamegai, Masashi Ueno, Masahiro Igarashi

International Journal of Colorectal Disease 30 ( 3 ) 367 - 373 2015年2月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s00384-014-2105-6

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Distinct evolutionary rate in the eye field transcription factors found by estimation of ancestral protein structure 査読

Ai Kamijyo, Kei Yura, Atsushi Ogura

Gene 555 ( 2 ) 73 - 79 2015年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.gene.2014.10.003

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Growth of Ge Homoepitaxial Films by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Using t-C4H9GeH3

Kohei Suda, Takahiro Kijima, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 4 ( 5 ) P152 - P154 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0191505jss

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Effects of Stacking Passivation Structure with Interface Tuning Layer for Crystalline Si Solar Cell Applications 査読

Norihiro Ikeno, Takaaki Katsumata, Yoshihiro Yamashita, Shi-ichi Satoh, Haruhiko Yoshida, Koji Arafune, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Recombination lifetime estimation at crystalline defects layer induced by SiNx deposition using plasma CVD

T. Tachibana, T. Kojima, D. Takai, A. Ogura, Y. Ohshita

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2015.7356317

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Characteristics of TiO2/Al2O3/TiO2 Capacitors with Plasma-enhanced ALD RuO2 Bottom Electrode for Future DRAM

T. Sawada, T. Nabatame, I. Yamamoto, K. Kurishima, T. Onaya, A. Ohi, K. Ito, M. Takahashi, K. Kohama, T. Ohishi, A. Ogura, T. Nagao

Proc. 2015 International Workshop on Dielectric thin films for future electron devices - Science and Technology - 2015年

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記述言語：英語

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Evaluation of sputtering deposited 2-diniensional M0S2 film by Raman spectroscopy

S. Ishihara, K. Suda, Y. Hibino, N. Sawamoto, T. Ohashi, S. Yamaguchi, K. Matsuura, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh, H. Wakabayashi, A. Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings 1781 11 - 16 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/opl.2015.563

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Biaxial stress evaluation in SiGe epitaxially grown on Ge substrate by oil-immersion raman spectroscopy

K. Takeuchi, D. Kosemura, S. Yamamoto, M. Tomita, K. Usuda, N. Sawamoto, A. Ogura

ECS Transactions 69 ( 10 ) 81 - 87 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/06910.0081ecst

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Structural Analyses of Thin SiO2 Films Formed by Thermal Oxidation of Atomically Flat Si Surface by Using Synchrotron Radiation X-Ray Characterization

Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Ichiro Hirosawa, Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Takeo Hattori, Tadahiro Ohmi

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 4 ( 8 ) N96 - N98 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/2.0131508jss

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On the origin of the gate oxide failure evaluated by Raman spectroscopy

R. Yokogawa, M. Tomita, T. Mizukoshi, T. Hirano, K. Kusano, K. Sasaki, A. Ogura

ECS Transactions 66 ( 4 ) 237 - 243 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/06604.0237ecst

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Evaluation of anisotropic biaxial stress in Si<inf>1-x</inf>Ge<inf>x</inf>/Ge mesa-structure by oil-immersion raman spectroscopy

S. Yamamoto, K. Takeuchi, R. Yokogawa, M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura

ECS Transactions 66 ( 4 ) 39 - 45 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/06604.0039ecst

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Oil-immersion Raman spectroscopy for c-plane GaN on Si and Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> substrates

R. Imai, D. Kosemura, A. Ogura

ECS Transactions 66 ( 1 ) 119 - 126 2015年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Electrochemical Society Inc.

DOI： 10.1149/06601.0119ecst

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Ge homoepitaxial growth by metal-organic chemical vapor deposition using t-C4H9GeH3

Kohei Suda, Seiya Ishihara, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 11 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.110301

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Room-temperature photoluminescence evaluation of small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon

Masaki Funakoshi, Norihiro Ikeno, Tomihisa Tachibana, Yoshio Ohshita, Koji Arafune, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 11 ) 2014年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.112401

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Integrative omics analysis reveals differentially distributed proteins in dimorphic euspermatozoa of the squid, Loligo bleekeri 査読

Masa Aki Yoshida, Lixy Yamada, Hiroe Ochi, Yoko Iwata, Miwa Tamura-Nakano, Hitoshi Sawada, Warwick H.H. Sauer, Atsushi Ogura, Noritaka Hirohashi

Biochemical and Biophysical Research Communications 450 ( 3 ) 1218 - 1224 2014年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.bbrc.2014.04.076

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PubMed

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Polarized photoluminescence imaging analysis around small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells

Gen Kato, Michio Tajima, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 8 ) 2014年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.080303

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Molecular dynamics study on the formation of dipole layer at high-k/SiO2 interfaces

Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Kosuke Shimura, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, Takanobu Watanabe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 8 ) 24 - 27 2014年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.08LB02

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Electrical field analysis of metal-surface plasmon resonance using a biaxially strained Si substrate

Daisuke Kosemura, Siti Norhidayah Binti Che Mohd Yusoff, Atsushi Ogura

JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY 45 ( 6 ) 414 - 417 2014年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/jrs.4478

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Nickel distribution and recombination activity in as-grown and annealed multicrystalline silicon

Takuto Kojima, Tomihisa Tachibana, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Koji Arafune, Atsushi Ogura, Masafumi Yamaguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 4 ) 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.04ER20

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Detailed study of the effects of interface properties of ozone-based atomic layer deposited AlOx on the surface passivation of crystalline silicon

Hyunju Lee, Naomi Sawamoto, Norihiro Ikeno, Koji Arafune, Haruhiko Yoshida, Shin-ichi Satoh, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 4 ) 2014年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.04ER06

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Cephalopod eye evolution was modulated by the acquisition of Pax-6 splicing variants 査読

Masa Aki Yoshida, Kei Yura, Atsushi Ogura

Scientific Reports 4 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep04256

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PubMed

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ルチル型TiO2界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御

小橋和義, 長田貴弘, 生田目俊秀, 山下良之, 小椋厚志, 知京豊裕

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.18P-D8-4 2014年3月

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記述言語：日本語

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Evaluation of phonon confinement in ultrathin-film silicon-on-insulator by Raman spectroscopy

Kohki Nagata, Munehisa Takei, Atsushi Ogura, Ken Uchida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 3 ) 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.032401

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Evaluation of the Silicon Ingot With Addition of SiCl4 in Atmosphere During Unidirectional Solidification 査読

Tomihisa Tachibana, Kuniyuki Sato, Hiroki Kusunoki, Shiro Sakuragi, Yoshio Ohshita, Haruhiko Ono, Atsushi Ogura

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS 4 ( 2 ) 581 - 584 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2013.2295175

Web of Science

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Investigation on antireflection coating for high resistance to potential-induced degradation

Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Takuya Doi, Kohjiro Hara, Norihiro Ikeno, Daisuke Imai, Tetsuya Saruwatari, Makoto Shinohara, Toshiharu Yamazaki, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53 ( 3 ) 2014年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.53.03CE01

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Nanocrystalline-Si-dot multi-layers fabrication by chemical vapor deposition with H-plasma surface treatment and evaluation of structure and quantum confinement effects

Daisuke Kosemura, Yuki Mizukami, Munehisa Takei, Yohichiroh Numasawa, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

AIP ADVANCES 4 ( 1 ) 2014年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4864055

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Study on Surface Passivation by YZO/AIO(x) Stacking Double Layer for Crystalline Si Solar Cells

T. Katsumata, N. Ikeno, S. Satoh, H. Yoshida, K. Arafune, T. Chikyow, A. Ogura

2014 IEEE 40TH PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 601 - 604 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2014.6924993

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Sensing deep extreme environments: The receptor cell types, brain centers, and multi-layer neural packaging of hydrothermal vent endemic worms 査読

Shuichi Shigeno, Atsushi Ogura, Tsukasa Mori, Haruhiko Toyohara, Takao Yoshida, Shinji Tsuchida, Katsunori Fujikura

Frontiers in Zoology 11 ( 1 ) 2014年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1186/s12983-014-0082-9

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Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor

Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Maki Shimizu, Shinya Aikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo, Atsushi Ogura

WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES 15 61 ( 4 ) 345 - 351 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06104.0345ecst

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Mobility Enhancement of Uniaxially Strained Germanium Nanowire MOSFETs

K. Ikeda, Y. Kamimuta, Y. Moriyama, M. Ono, K. Usuda, M. Oda, T. Irisawa, D. Kosemura, A. Ogura, T. Tezuka

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64 ( 6 ) 347 - 355 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06406.0347ecst

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Anisotropic strain evaluation in the finite Si area by surface plasmon enhanced Raman spectroscopy

A. Ogura, D. Kosemura

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64 ( 6 ) 67 - 77 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06406.0067ecst

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Ge1-xSnx Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD

K. Suda, S. Ishihara, N. Sawamoto, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudoh, Y. Ohshita, A. Ogura

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64 ( 6 ) 697 - 701 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06406.0697ecst

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Molecular Dynamics Simulation of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interfaces

T. Watanabe, R. Kuriyama, M. Hashiguchi, R. Takahashi, K. Shimura, A. Ogura, S. Satoh

SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 12 64 ( 8 ) 3 - 15 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06408.0003ecst

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Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Thin Strained-SiGe Layer Using Surface Enhanced Raman Spectroscopy

S. Yamamoto, D. Kosemura, M. Tomita, S. Che Mohd Yusoff, T. Kijima, R. Imai, K. Takeuchi, R. Yokogawa, K. Usuda, A. Ogura

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64 ( 6 ) 841 - 847 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/06406.0841ecst

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Focused ion beam imaging of defects in multicrystalline si for photovoltaic application

Y. Miyamura, T. Sekiguchi, J. Chen, J. Y. Li, K. Watanabe, K. Kumagai, A. Ogura

Acta Physica Polonica A 125 ( 4 ) 991 - 993 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Polish Academy of Sciences

DOI： 10.12693/APhysPolA.125.991

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Photoluminescence analysis of oxygen precipitation around small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon wafers

G. Kato, M. Tajima, F. Okayama, S. Tokumaru, R. Sato, H. Toyota, A. Ogura

Acta Physica Polonica A 125 ( 4 ) 1010 - 1012 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Polish Academy of Sciences

DOI： 10.12693/APhysPolA.125.1010

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High-resolution X-ray microdiffraction from a locally strained SOI with a width of 150 nm

Y. Imai, S. Kimura, D. Kosemura, A. Ogura

1ST CONFERENCE ON LIGHT AND PARTICLE BEAMS IN MATERIALS SCIENCE 2013 (LPBMS2013) 502 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1088/1742-6596/502/1/012026

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10 cm diameter mono cast Si growth and its characterization

Y. Miyamura, H. Harada, K. Jiptner, J. Chen, R. R. Prakash, J. Y. Li, T. Sekiguchi, T. Kojima, Y. Ohshita, A. Ogura, M. Fukuzawa, S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto

GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XV 205-206 89 - 93 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.89

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Analysis of inhomogeneous dislocation distribution in multicrystalline Si

J. Chen, R. R. Prakash, J. Y. Li, K. Jiptner, Y. Miyamura, H. Harada, A. Ogura, T. Sekiguchi

GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY XV 205-206 77 - + 2014年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.77

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Structure Analyses of Room Temperature Deposited AlOx Passivation Films for Crystalline Silicon Solar Cells

Chikako Sakai, Shunsuke Yamamoto, Ko Urushibata, Shohei Miki, Koji Arafune, Haruhiko Yoshida, Hyun Ju Lee, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Shin-ichi Satoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 12 ) 2013年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.122303

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Ge2Sb2Te5 Film Fabrication by Tellurization of Chemical Vapor Deposited GeSb

Kohei Suda, Tomohiro Uno, Tatsuya Miyakawa, Naomi Sawamoto, Hideaki Machida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudoh, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 12 ) 2013年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.128006

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Effect of UV irradiation on passivation quality of ozone-based atomic layer deposited AlOx films

Ko Urushibata, Chikako Sakai, Shohei Miki, Haruhiko Yoshida, Yasushi Hotta, Hyun Ju Lee, Atsushi Ogura, Shin-ichi Satoh, Koji Arafune

23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Refractive index dependence of a-SiNx:H surface passivation quality for crystalline silicon solar cells

S. Yamamoto, K. Urushibata, Y. Enomoto, S. Miki, C. Sakai, H. Yoshida, Y. Hotta, A. Ogura, S. Satoh, K. Arafune

23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Passivation quality of AlOx film deposited by mist CVD

S. Miki, K. Iguchi, H. Imaeda, K. Ueda, C. Sakai, H. Yoshida, Y. Hotta, A. Ogura, S. Satoh, K. Arafune

23rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2013年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Transcriptome Analysis of Nautilus and Pygmy Squid Developing Eye Provides Insights in Lens and Eye Evolution 査読

Konstantinos Sousounis, Atsushi Ogura, Panagiotis A. Tsonis

PLoS ONE 8 ( 10 ) 2013年10月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1371/journal.pone.0078054

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PubMed

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Role of i-aSi:H Layers in aSi:H/cSi Heterojunction Solar Cells

Yutaka Hayashi, Debin Li, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS 3 ( 4 ) 1149 - 1155 2013年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/JPHOTOV.2013.2274616

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Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si(100) substrate near the interface

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori

MICROELECTRONIC ENGINEERING 109 197 - 199 2013年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2013.03.004

Web of Science

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Formation of Si2N2O Microcrystalline Precipitates near the Quartz Crucible Wall Coated with Silicon Nitride in Cast-Grown Silicon

Haruhiko Ono, Yu Motoizumi, Hiroki Kusunoki, Kuniyuki Sato, Tomihisa Tachibana, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6 ( 8 ) 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/APEX.6.081303

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Butterfly-shaped distribution of SiNx precipitates in multi-crystalline Si for solar cells

Jianyong Li, Ronit Roneel Prakash, Karolin Jiptner, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Koichi Kakimoto, Atsushi Ogura, Takashi Sekiguchi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 377 37 - 42 2013年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.051

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Reduction of interfacial SiO2 at HfO2/Si interface with Ta2O5 cap

Kazuyoshi Kobashi, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114 ( 1 ) 2013年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4811691

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Donor-acceptor pair luminescence in B and P compensated Si co-doped with Ga

Michio Tajima, Koji Tanaka, Maxime Forster, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

Journal of Applied Physics 113 ( 24 ) 2013年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4812288

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Gate Structure Dependence of Variability in Polycrystalline Silicon Fin-Channel Flash Memories

Yongxun Liu, Takahiro Kamei, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 6 ) 2013年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.06GE01

Web of Science

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Characterization of anisotropic strain relaxation after isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method

Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura

SOLID-STATE ELECTRONICS 83 46 - 49 2013年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2013.01.042

Web of Science

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Ion Shower Doping Technique for Selective Emitter Structure in Crystalline Silicon Solar Cells

Hiroki Hashiguchi, Tomihisa Tachibana, Mari Aoki, Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 4 ) 04CR09 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CR09

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Measurement of Anisotropic Biaxial Stresses in Si1-xGex/Si Mesa Structures by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52 ( 4 ) 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CA05

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Tensor evaluation of anisotropic stress relaxation in mesa-shaped sige layer on si substrate by electron back-scattering pattern measurement: Comparison between raman measurement and finite element method simulation

Motohiro Tomita, Masaya Nagasaka, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Tsutomu Tezuka, Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 52 ( 4 ) 2013年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.7567/JJAP.52.04CA06

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高分解能ラマン分光測定による最先端LSIのひずみ評価

小瀬村大亮

応用物理 82 ( 4 ) 317-321 - 321 2013年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：応用物理学会

CiNii Research

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Comparison of Gene Expression Profile of Epiretinal Membranes Obtained from Eyes with Proliferative Vitreoretinopathy to That of Secondary Epiretinal Membranes 査読

Ryo Asato, Shigeo Yoshida, Atsushi Ogura, Takahito Nakama, Keijiro Ishikawa, Shintaro Nakao, Yukio Sassa, Hiroshi Enaida, Yuji Oshima, Kazuho Ikeo, Takashi Gojobori, Toshihiro Kono, Tatsuro Ishibashi

PLoS ONE 8 ( 1 ) 2013年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1371/journal.pone.0054191

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Evaluation of stress induced by plasma assisted ALD SiN Film

K. Nagata, M. Nagasaka, T. Yamaguchi, A. Ogura, H. Oji, J. Son, I. Hirosawa, Y. Watanabe, Y. Hirota

ECS Transactions 53 ( 3 ) 51 - 56 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05303.0051ecst

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Tensor Evaluation of Stress Relaxation Profile in Strained SiGe Nanostructures on Si Substrate

M. Tomita, D. Kosemura, K. Usuda, A. Ogura

GRAPHENE, GE/III-V, AND EMERGING MATERIALS FOR POST CMOS APPLICATIONS 5 53 ( 1 ) 207 - 214 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05301.0207ecst

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GeSn Film Deposition using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

K. Suda, T. Uno, T. Miyakawa, H. Machida, M. Ishikawa, H. Sudo, Y. Ohshita, A. Ogura

GRAPHENE, GE/III-V, AND EMERGING MATERIALS FOR POST CMOS APPLICATIONS 5 53 ( 1 ) 245 - 250 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/05301.0245ecst

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Super-Resolution Raman Spectroscopy by Digital Image Processing

Motohiro Tomita, Hiroki Hashiguchi, Takuya Yamaguchi, Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura

JOURNAL OF SPECTROSCOPY 1 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1155/2013/459032

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Angle-resolved photoelectron spectroscopy study on interfacial transition layer and oxidation-induced residual stress in Si(1 0 0) substrate near the interface 査読

Tomoyuki Suwa, Akinobu Teramoto, Kohki Nagata, Atsushi Ogura, Hiroshi Nohira, Takayuki Muro, Toyohiko Kinoshita, Shigetoshi Sugawa, Tadahiro Ohmi, Takeo Hattori

Microelectronic Engineering 109 197 - 199 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mee.2013.03.004

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Loss of the six3/6 controlling pathways might have resulted in pinhole-eye evolution in Nautilus 査読

Atsushi Ogura, Masa Aki Yoshida, Takeya Moritaki, Yuki Okuda, Jun Sese, Kentaro K. Shimizu, Konstantinos Sousounis, Panagiotis A. Tsonis

Scientific Reports 3 2013年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/srep01432

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Effect of Initial Oxidized Layer Condition on Passivation Quality of AlOx films Deposited by Atomic Layer Deposition Technique at Room Temperature

Chikako Sakai, Shunsuke Yamamoto, Shohei Miki, Koji Arafune, Yasushi Hotta, Haruhiko Yoshida, Atsushi Ogura, Shin-ichi Satoh

2013 IEEE 39TH PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 1285 - 1287 2013年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/PVSC.2013.6744376

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Study of O3-based atomic layer deposited AlOx passivation films for crystalline silicon solar cells

Koji Arafune, Shunsuke Yamamoto, Ko Urushibata, Shohei Miki, Chikako Sakai, Haruhiko Yoshida, Hyun Ju Lee, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Shin-ichi Satoh

22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Synchrotron X-ray topography of supercritical-thickness strained silicon-on-insulator wafers for crystalline quality evaluation and electrical characterization using back-gate transistors

T. Shimura, D. Shimokawa, T. Matsumiya, N. Morimoto, A. Ogura, S. Iida, T. Hosoi, H. Watanabe

CURRENT APPLIED PHYSICS 12 S69 - S74 2012年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.cap.2012.04.020

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Investigation of Phonon Deformation Potentials in Si1-xGex by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 ( 11 ) 111301(1-3) 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.5.111301

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Evaluation of Quantum Confinement Effect in Nanocrystal Si Dot Layer by Raman Spectroscopy

Y. Mizukami, D. Kosemura, Y. Numasawa, Y. Ohshita, A. Ogura

JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 12 ( 11 ) 8700 - 8703 2012年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1166/jnn.2012.6810

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Stress evaluation in thin strained-Si film by polarized Raman spectroscopy using localized surface plasmon resonance

Hiroki Hashiguchi, Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 101 ( 17 ) 172101(1-3) 2012年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.4761959

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Experimental Study of Floating-Gate-Type Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors with Nanosize Triangular Cross-Sectional Tunnel Areas for Low Operating Voltage Flash Memory Application

Yongxun Liu, Ruofeng Guo, Takahiro Kamei, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

Jpn. J. Appl. Phys. 51 ( 6 ) 06FF01 (1-6) 2012年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FF01

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Fabrication and Characterization of NOR-Type Tri-Gate Flash Memory with Improved Inter-Poly Dielectric Layer by Rapid Thermal Oxidation

Takahiro Kamei, Yongxun Liu, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 6 ) 2012年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.06FE19

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Experimental Comparisons between Tetrakis(dimethylamino)titanium (TDMAT) Precursor Based Atomic-Layer Deposition (ALD) and Physical-Vapor Deposition (PVD) Titanium-Nitride (TiN) Gate for High-Performance Fin-Type Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Tra

Tetsuro Hayashida, Kazuhiko Endo, Yongxun Liu, Shin-ichi O'uchi, Takashi Matsukawa, Wataru Mizubayashi, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Hiroki Hashiguchi, Daisuke Kosemura, Takahiro Kamei, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

Jpn. J. Appl. Phys. 515 04DA05 1-(5) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Evaluation of defects generation in crystalline silicon ingot grown by cast technique with seed crystal for solar cells

Tomihisa Tachibana, Takashi Sameshima, Takuto Kojima, Koji Arafune, Koichi Kakimoto, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Takashi Sekiguchi, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 111 ( 7 ) 074505(1-5) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3700250

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Channel Strain Measurement in 32-nm-Node Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor by Raman Spectroscopy

Munehisa Takei, Hiroki Hashiguchi, Takuya Yamaguchi, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Atsushi Ogura

Jpn. J. Appl. Phys 51 ( 4 ) 04DA04 (1-5) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DA04

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Interaction between Metal Impurities and Small-Angle Grain Boundaries on Recombination Properties in Multicrystalline Silicon for Solar Cells

Takashi Sameshima, Naoto Miyazaki, Yuki Tsuchiya, Hiroki Hashiguchi, Tomihisa Tachibana, Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Koji Arafune, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5 ( 4 ) 042301 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.5.042301

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Experimental Comparisons between Tetrakis(dimethylamino)titanium Precursor-Based Atomic-Layer-Deposited and Physical-Vapor-Deposited Titanium-Nitride Gate for High-Performance Fin-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Tetsuro Hayashida, Kazuhiko Endo, Yongxun Liu, Shin-ichi O'uchi, Takashi Matsukawa, Wataru Mizubayashi, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Hiroki Hashiguchi, Daisuke Kosemura, Takahiro Kamei, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 4 ) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DA05

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Surface Recombination of Crystalline Silicon Substrates Passivated by Atomic-Layer-Deposited AlOx

Koji Arafune, Shohei Miki, Ryosuke Matsutani, Junpei Hamano, Haruhiko Yoshida, Tomihisa Tachibana, Hyun Ju Lee, Atsuhi Ogura, Yoshio Ohshita, Shin-ichi Satoh

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 4 ) 04DP06 (1-4) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DP06

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Interface engineering for the passivation of c-Si with O-3-based atomic layer deposited AlOx for solar cell application

Hyunju Lee, Tomihisa Tachibana, Norihiro Ikeno, Hiroki Hashiguchi, Koji Arafune, Haruhiko Yoshida, Shin-ichi Satoh, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 100 ( 14 ) 143901(1-4) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3701280

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Fabrication of Floating-Gate-Type Fin-Channel Double- and Tri-Gate Flash Memories and Comparative Study of Their Electrical Characteristics

Yongxun Liu, Takahiro Kamei, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 4 ) 4DD03 (1-6 ) 2012年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DD03

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Demonstration of Split-Gate Type Trigate Flash Memory With Highly Suppressed Over-Erase

Takahiro Kamei, Yongxun Liu, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 33 ( 3 ) 345 - 347 2012年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/LED.2011.2181322

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Fin-Height Effect on Poly-Si/PVD-TiN Stacked-Gate FinFET Performance

Tetsuro Hayashida, Kazuhiko Endo, Yongxun Liu, Shin-Ichi O'uchi, Takashi Matsukawa, Wataru Mizubayashi, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Hiroki Hashiguchi, Daisuke Kosemura, Takahiro Kamei, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 59 ( 3 ) 647 - 653 2012年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2011.2181385

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Variability Analysis of Scaled Crystal Channel and Poly-Si Channel FinFETs

Yongxun Liu, Takahiro Kamei, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 59 ( 3 ) 573 - 581 2012年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2011.2178850

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Evaluation of Anisotropic Strain Relaxation in Strained Silicon-on-Insulator Nanostructure by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Koji Usuda, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 2 ) 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BA03

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Impact of Light-Element Impurities on Crystalline Defect Generation in Silicon Wafer

Tomihisa Tachibana, Takashi Sameshima, Takuto Kojima, Koji Arafune, Koichi Kakimoto, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Takashi Sekiguchi, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 ( 2 ) 02BP08(1-3) 2012年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.51.02BP08

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Combinatorial Synthesis Study of Passivation Layers for Solar Cell Applications

N. Ikeno, T. Tachibana, H. Lee, H. Yoshida, K. Arafune, S. Satoh, T. Chikyow, A. Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 161 - + 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.161

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Correlation between Carbon Incorporation and Defect Formation in Quasi-Single Crystalline Silicon 査読

Yuki Tsuchiya, Hiroki Kusunoki, Naoto Miyazaki, Takashi Sameshima, Tomihisa Tachibana, Takuto Kojima, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Haruhiko Ono, Atsushi Ogura

2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Behaviors of Fe and Ni at Crystal Defects in Multi-crystalline Silicon by Intentional Contamination and Phosphorus Gettering 査読

N. Miyazaki, Y. Tsuchiya, T. Sameshima, T. Tachibana, T. Kojima, Y. Ohshita, K. Arafune, A. Ogura

2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Thin (< 100 mu m) Crystalline Silicon Solar Cell Fabrication Using Low Cost Feedstock and Diamond Wire Slice Technologies 査読

Y. Ohshita, M. Aoki, T. Kojima, T. Tachibana, A. Ogura

2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2237 - 2239 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Cephalopod genomics: A plan of strategies and organization 査読

Caroline B. Albertin, Laure Bonnaud, C. Titus Brown, Wendy J. Crookes-Goodson, Rute R. da Fonseca, Carlo Di Cristo, Brian P. Dilkes, Eric Edsinger-Gonzales, Robert M. Freeman, Roger T. Hanlon, Kristen M. Koenig, Annie R. Lindgren, Mark Q. Martindale, Patrick Minx, Leonid L. Moroz, Marie Therese Nödl, Spencer V. Nyholm, Atsushi Ogura, Judit R. Pungor, Joshua J.C. Rosenthal, Erich M. Schwarz, Shuichi Shigeno, Jan M. Strugnell, Tim Wollesen, Guojie Zhang, Clifton W. Ragsdale

Standards in Genomic Sciences 7 ( 1 ) 175 - 188 2012年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.4056/sigs.3136559

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Comparative study of tri-gate- and double-gate-type poly-Si fin-channel split-gate flash memories 査読

Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SNW.2012.6243318

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Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method 査読

Koji Usuda, Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura, Tsutomu Tezuka

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings 26 - 27 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISTDM.2012.6222440

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Ion Shower Doping for Emitter Fabrication in Crystalline Si Solar Cells 査読

H. Hashiguchi, T. Tachibana, M. Aoki, T. Kojima, Y. Ohshita, A. Ogura

2012 38TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE (PVSC) 2153 - 2157 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evaluation of Optical Properties for Nanocrystal Si Dot Layers Fabricated by CVD as a Function of Size Reduction

Y. Mizukami, D. Kosemura, M. Takei, Y. Numasawa, Y. Ohshita, A. Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 251 - + 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.251

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Evaluation of GexSbyTez Film Grown by Chemical Vapor Deposition

Seiti Hamada, Takafumi Horiike, Tomohiro Uno, Masato Ishikawa, Hideaki Machida, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 289 - + 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.289

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EBIC Study on Metal Contamination at Intra Grain Defects in Multicrystalline Silicon for Solar Cells

T. Sameshima, N. Miyazaki, Y. Tsuchiya, T. Tachibana, Y. Ohshita, K. Arafune, A. Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 129 - + 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.129

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Systematic measurement of missmatch effect for designing inter-species microarray 査読

Mutsumi Fukuzaki, Masa Aki Yoshida, Atsushi Ogura, Jun Sese

Proceedings - 2012 IEEE International Conference on Bioinformatics and Biomedicine, BIBM 2012 478 - 481 2012年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/BIBM.2012.6392729

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Experimental Study of Tri-Gate SOI-FinFET Flash Memory 査読

Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SOI.2012.6404366

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Evaluation of Silicon Substrates Fabricated by Seeding Cast Technique

T. Tachibana, T. Sameshima, T. Kojima, K. Arafune, K. Kakimoto, Y. Miyamura, H. Harada, T. Sekiguchi, Y. Ohshita, A. Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 133 - 136 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.133

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Evaluation of Silicon Substrates Fabricated by Seeding Cast Technique

T. Tachibana, T. Sameshima, T. Kojima, K. Arafune, K. Kakimoto, Y. Miyamura, H. Harada, T. Sekiguchi, Y. Ohshita, A. Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 133 - 136 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.133

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High-mobility and low-parasitic resistance characteristics in strained Ge nanowire pMOSFETs with metal source/drain structure formed by doping-free processes

Keiji Ikeda, Mizuki Ono, Daisuke Kosemura, Koji Usuda, Minoru Oda, Yuuichi Kamimuta, Toshifumi Irisawa, Yoshihiko Moriyama, Atsushi Ogura, Tsutomu Tezuka

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 165 - 166 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/VLSIT.2012.6242513

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FinFET Flash Memory Technology

Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 5: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING -AND-TUTORIALS IN NANOTECHNOLOGY: MORE THAN MOORE - BEYOND CMOS EMERGING MATERIALS AND DEVICES 45 ( 3 ) 289 - 310 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3700894

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High-Speed Deep-Level Luminescence Imaging in Multicrystalline Si Solar Cells

Futoshi Okayama, Michio Tajima, Hiroyuki Toyota, Atsushi Ogura

DEFECTS-RECOGNITION, IMAGING AND PHYSICS IN SEMICONDUCTORS XIV 725 149 - + 2012年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.725.149

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Complementary Distribution of NN and NNO Complexes in Cast-Grown Multicrystalline Silicon for Photovoltaic Cells

Hiroki Kusunoki, Takahide Ishizuka, Atsushi Ogura, Haruhiko Ono

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4 ( 11 ) 115601(1-3) 2011年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/APEX.4.115601

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The role of microfractography in failure analysis of cold forging dies 査読

Ryuichiro Ebara, Keisuke Takeda, Masahide Iwamoto, Hideaki Fujimoto, Atsushi Ogura, Shinichi Hamaya

Zairyo/Journal of the Society of Materials Science, Japan 60 ( 11 ) 1009 - 1014 2011年11月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.2472/jsms.60.1009

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Genome structure analysis of molluscs revealed whole genome duplication and lineage specific repeat variation 査読

Masa aki Yoshida, Yukiko Ishikura, Takeya Moritaki, Eiichi Shoguchi, Kentaro K. Shimizu, Jun Sese, Atsushi Ogura

Gene 483 ( 1-2 ) 63 - 71 2011年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.gene.2011.05.027

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Aluminum Oxide Thin Films Deposited by O3 Based ALD for Crystalline Silicon

LEE Hyunju, SAWAMOTO Naomi, TACHIBANA Tomihisa, IKENO Norihiro, ARAFUNE Koji, YOSHIDA Haruhiko, SATOH Shin‐ichi, MATSUMOTO Kazuhiro, TAKAHASHI Kousuke, CHIKYOW Toyohiro, OGURA Atsushi

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.2A-ZH-3 2011年8月

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記述言語：英語

J-GLOBAL

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Combinatorial Investigation of ZrO2-Based Dielectric Materials for Dynamic Random-Access Memory Capacitors

Yuji Kiyota, Kenji Itaka, Yuta Iwashita, Tetsuya Adachi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 6 ) 06GH12(1-4) 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.06GH12

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Improvement of Spatial Resolution in Raman Spectroscopy Selecting Measurement Area by Opaque Material Deposition

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Hiroaki Akamatsu, Kohki Nagata, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 6 ) 061301(1-5) 2011年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.061301

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Quantitative Analysis of Stress Relaxation in Transmission Electron Microscopy Samples by Raman Spectroscopy with a High-Numerical Aperture Lens

Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 4 ) 04DC14(1-5) 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DA06

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Material Research on High-Quality Passivation Layers with Controlled Fixed Charge for Crystalline Silicon Solar Cells

Tomihisa Tachibana, Takashi Sameshima, Yuta Iwashita, Yuji Kiyota, Toyohiro Chikyow, Haruhiko Yoshida, Koji Arafune, Shin-ichi Satoh, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 4 ) 04DP09(1-4) 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DP09

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Experimental Study of Physical-Vapor-Deposited Titanium Nitride Gate with An nþ-Polycrystalline Silicon Capping Layer and Its Application to 20nm Fin-Type Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

Takahiro Kamei, Yongxun Liu, Kazuhiko Endo, Shinichi O’uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Tetsuro Hayashida, Takashi Matsukawa, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

Jpn. J. Appl. Phys 50 ( 4 ) 04DC14(1-5) 2011年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DC14

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Evaluation of Strained-Silicon by Electron Backscattering Pattern Measurement: Comparison Study with UV-Raman Measurement and Edge Force Model Calculation

Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 ( 1 ) 010111(1-8) 2011年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.50.010111

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Evaluation of Al2O3 Films for MANOS Memory Device with Oxygen Infusion by Gas Cluster Ion Beam

K. Nagata, H. Hashiguchi, T. Yamaguchi, A. Ogura, H. Oji, J. Son, I. Hirosawa, Y. Tanaka, Y. Hirota, J. Gumpher, K. Yamashita

PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 9 41 ( 3 ) 109 - 114 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3633026

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Composition control of Ge xSb yTe z film for PCRAM application by chemical vapor deposition 査読

Takafumi Horiike, Seiti Hamada, Tomohiro Uno, Hideaki MacHida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudo, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2011 54 - 57 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/NVMTS.2011.6137082

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Impacts of Metal Impurities on Recombination Properties at Small Angle Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon for Solar Cells

T. Sameshima, Y. Tsuchiya, N. Miyazaki, T. Tachibana, Y. Ohshita, K. Arafune, A. Ogura

PHOTOVOLTAICS FOR THE 21ST CENTURY 7 41 ( 4 ) 29 - 36 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3628606

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Variability analysis of scaled poly-Si channel FinFETs and tri-gate flash memories for high density and low cost stacked 3D-memory application 査読

Y. X. Liu, T. Mastukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Sakamoto, M. Masahara, T. Kamei, T. Hayashida, A. Ogura

European Solid-State Device Research Conference 203 - 206 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ESSDERC.2011.6044199

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Microscopic electrical characterization of fixed-charge-controlled passivation films for Si solar cells 査読

J. Fujieda, R. Matsutani, J. Hamano, H. Yoshida, K. Arafune, S. Satoh, T. Tachibana, N. Ikeno, H. Lee, A. Ogura, T. Chikyow

IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 74 - 75 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/IMFEDK.2011.5944851

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Comparative Study of Tri-gate Flash Memories with Split and Stack Gates 査読

T. Kamei, Y. X. Liu, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

2011 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Effective gene collection from the metatranscriptome of marine microorganisms 査読

Atsushi Ogura, Mengjie Lin, Yuya Shigenobu, Atushi Fujiwara, Kazuho Ikeo, Satoshi Nagai

10th Int. Conference on Bioinformatics - 1st ISCB Asia Joint Conference 2011, InCoB 2011/ISCB-Asia 2011: Computational Biology - Proceedings from Asia Pacific Bioinformatics Network (APBioNet) 12 ( SUPPL. 3 ) 2011年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1186/1471-2164-12-S3-S15

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Giga-cycle fatigue behavior of notched specimens for high speed steel 査読

R. Ebara, K. Nakamoto, A. Ogura, Y. Ishihara, S. Hamaya

Key Engineering Materials 452-453 749 - 752 2011年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.452-453.749

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Influence of Fin Height on Poly-Si/PVD-TiN Stacked Gate FinFET Performance 査読

T. Hayashida, K. Endo, Y. X. Liu, S. O'uchi, T. Matsukawa, W. Mizubayashi, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, H. Hashiguchi, D. Kosemura, T. Kamei, J. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, M. Masahara

2011 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SOI.2011.6081800

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Genetic mechanisms involved in the evolution of the cephalopod camera eye revealed by transcriptomic and developmental studies 査読

Masa Aki Yoshida, Atsushi Ogura

BMC Evolutionary Biology 11 ( 1 ) 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1186/1471-2148-11-180

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Quantitative analysis of impurities in solar-grade Si by photoluminescence spectroscopy around 20 K

Takaaki Iwai, Michio Tajima, Atsushi Ogura

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 8, NO 3 8 ( 3 ) 792-795 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1002/pssc.201000273

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Evaluation of Strained Silicon by Electron Back Scattering Pattern Compared with Raman Measurement and Edge Force Model Calculation

Motohiro Tomita, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Atsushi Ogura

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS 470 123 - 128 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.470.123

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Behavior of nickel silicide in multi-crystalline silicon for solar cells

T. Tachibana, T. Sameshima, K. Arafune, Y. Ohshita, A. Ogura

ASIA-PACIFIC CONFERENCE ON SEMICONDUCTING SILICIDES SCIENCE AND TECHNOLOGY TOWARDS SUSTAINABLE OPTOELECTRONICS (APAC-SILICIDE 2010) 11 163 - 166 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1016/j.phpro.2011.01.046

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Evaluation of Properties of SiO2 Films Fabricated by Plasma Oxidation

T. Yamaguchi, K. Nagata, A. Ogura, T. Koganezawa, I. Hirosawa, Y. Kabe, Y. Sato, S. Ishizuka, Y. Hirota

PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 9 41 ( 3 ) 169 - 175 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3633033

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Effect of Plasma Treatment on Stress Reduction Induced by Shallow Trench Isolation Filled with Spin-on-glass Dielectric

H. Hashiguchi, K. Nagata, T. Sameshima, Y. Mizukami, A. Ogura, T. Kuroda, Y. Sato, S. Ishizuka, Y. Hirota

PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 9 41 ( 3 ) 177 - 182 2011年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3633034

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In vitro homology search array comprehensively reveals highly conserved genes and their functional characteristics in non-sequenced species 査読

Atsushi Ogura, Masa Aki Yoshida, Mutsumi Fukuzaki, Jun Sese

BMC Genomics 11 ( SUPPL. 4 ) 2010年12月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1186/1471-2164-11-S4-S9

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PubMed

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Microscopic Distributions of Light Elements and Their Precipitates in Multicrystalline Silicon for Solar Cells

Haruhiko Ono, Takahide Ishizuka, Chihiro Kato, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 11 ) 110202(1-3) 2010年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.110202

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先端LSIにおけるチャネル歪評価

小椋厚志, 小瀬村大亮, 武井宗久, 富田基裕

電子情報通信学会技術研究報告 110 ( 241 ) 1 - 6 2010年10月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価

服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 水上雄輝, 橋口裕樹, 山口拓也, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之

電子情報通信学会技術研究報告 110 ( 241 ) 71 - 75 2010年10月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Mobility and Velocity Enhancement Effects of High Uniaxial Stress on Si (100) and (110) Substrates for Short-Channel pFETs

Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Hitoshi Wakabayashi, Koichi Amari, Yasushi Tateshita, Masanori Tsukamoto, Terukazu Ohno, Atsushi Ogura, Naoki Nagashima

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 57 ( 6 ) 1295 - 1300 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2010.2045703

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Synchrotron X-ray Diffraction Study of Lattice Inclination and Strain in Strained Si Wafers 査読

D. Shimokawa, T. Inoue, A. Ogura, M. Umeno, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe

Abstract Notebook of International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

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Gene expression profile of fibrovascular membranes from patients with proliferative diabetic retinopathy 査読

Shigeo Yoshida, Atsushi Ogura, Keijiro Ishikawa, Ayako Yoshida, Richiro Kohno, Yoko Yamaji, Kazuho Ikeo, Takashi Gojobori, Toshihiro Kono, Tatsuro Ishibashi

British Journal of Ophthalmology 94 ( 6 ) 795 - 801 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1136/bjo.2009.167072

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Channel strain analysis in high-performance damascene-gate p-metal-oxide-semiconductor field effect transistors using high-spatial resolution Raman spectroscopy

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107 ( 12 ) 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3436598

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Channel strain analysis in high-performance damascene-gate p-metal-oxide-semiconductor field effect transistors using high-spatial resolution Raman spectroscopy

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 107 ( 12 ) 124507(1-6) 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3436598

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Photoluminescence Analysis of Iron Contamination Effect in Multicrystalline Silicon Wafers for Solar Cells

Michio Tajima, Masatoshi Ikebe, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 39 ( 6 ) 747 - 750 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-010-1131-6

Web of Science

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Evaluation of Stress and Crystal Quality in Si During Shallow Trench Isolation by UV-Raman Spectroscopy

Daisuke Kosemura, Maki Hattori, Tetsuya Yoshida, Toshikazu Mizukoshi, Atsushi Ogura

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 39 ( 6 ) 694 - 699 2010年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s11664-010-1148-x

Web of Science

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Chemical Vapor Deposition of GeSbTe Thin Films for Next-Generation Phase Change Memory

Hideaki Machida, Seichi Hamada, Takafumi Horiike, Masato Ishikawa, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Takayuki Ohba

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 5 ) 05FF06(1-2) 2010年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.05FF06

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Transverse-optical phonons excited in Si using a high-numerical-aperture lens

Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 96 ( 21 ) 212106(1-3) 2010年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.3441042

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Suppression of SiC surface roughening during high-temperature annealing by atmospheric control using purified Ar gas

Atsushi Ogura, Daisuke Kosemura, Shingo Kinoshita

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 25 ( 4 ) 708 - 710 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/JMR.2010.0089

Web of Science

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Suppression of SiC surface roughening during high-temperature annealing by atmospheric control using purified Ar gas

Atsushi Ogura, Daisuke Kosemura, Shingo Kinoshita

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH 25 ( 4 ) 708 - 710 2010年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1557/JMR.2010.0089

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The dynamic genome of Hydra 査読

Jarrod A. Chapman, Ewen F. Kirkness, Oleg Simakov, Steven E. Hampson, Therese Mitros, Thomas Weinmaier, Thomas Rattei, Prakash G. Balasubramanian, Jon Borman, Dana Busam, Kathryn Disbennett, Cynthia Pfannkoch, Nadezhda Sumin, Granger G. Sutton, Lakshmi Devi Viswanathan, Brian Walenz, David M. Goodstein, Uffe Hellsten, Takeshi Kawashima, Simon E. Prochnik, Nicholas H. Putnam, Shengquiang Shu, Bruce Blumberg, Catherine E. Dana, Lydia Gee, Dennis F. Kibler, Lee Law, Dirk Lindgens, Daniel E. Martinez, Jisong Peng, Philip A. Wigge, Bianca Bertulat, Corina Guder, Yukio Nakamura, Suat Ozbek, Hiroshi Watanabe, Konstantin Khalturin, Georg Hemmrich, André Franke, René Augustin, Sebastian Fraune, Eisuke Hayakawa, Shiho Hayakawa, Mamiko Hirose, Jung Shan Hwang, Kazuho Ikeo, Chiemi Nishimiya-Fujisawa, Atshushi Ogura, Toshio Takahashi, Patrick R.H. Steinmetz, Xiaoming Zhang, Roland Aufschnaiter, Marie Kristin Eder, Anne Kathrin Gorny, Willi Salvenmoser, Alysha M. Heimberg, Benjamin M. Wheeler, Kevin J. Peterson, Angelika Böttger, Patrick Tischler, Alexander Wolf, Takashi Gojobori, Karin A. Remington, Robert L. Strausberg, J. Craig Venter, Ulrich Technau, Bert Hobmayer, Thomas C.G. Bosch, Thomas W. Holstein, Toshitaka Fujisawa, Hans R. Bode, Charles N. David, Daniel S. Rokhsar, Robert E. Steele

Nature 464 ( 7288 ) 592 - 596 2010年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/nature08830

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Suppression mechanism of volume shrinkage for SOG film by plasma treatment

K. Nagata, D. Kosemura, M. Takei, H. Akamatsu, M. Hattori, T. Koganezawa, M. Machida, J. Son, I. Hirosawa, T. Nishita, T. Shiozawa, D. Katayama, Y. Sato, Y. Hirota, A. Ogura

DIELECTRICS FOR NANOSYSTEMS 4: MATERIALS SCIENCE, PROCESSING, RELIABILITY, AND MANUFACTURING 28 ( 2 ) 347 - + 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3372589

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Cross-sectional UV-Raman measurement for obtaining two-dimensional channel-stress profile in extremely high-performance pMOSFETs

H. Akamatsu, M. Takei, D. Kosemura, K. Nagata, S. Mayuzumi, S. Yamakawa, H. Wakabayashi, A. Ogura

ADVANCED GATE STACK, SOURCE/DRAIN, AND CHANNEL ENGINEERING FOR SI-BASED CMOS 6: NEW MATERIALS, PROCESSES, AND EQUIPMENT 28 ( 1 ) 27 - 32 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3375585

Web of Science

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Fin-height controlled PVD-TiN gate FinFET SRAM for enhancing noise margin 査読

Y. X. Liu, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Sakamoto, T. Matsukawa, M. Masahara, T. Kamei, T. Hayashida, A. Ogura

2010 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 2010 202 - 205 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ESSDERC.2010.5618392

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Low resistive ALD TiN metal gate using TDMAT precursor for high performance MOSFET 査読

T. Hayashida, K. Endo, Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, S. Ouchi, K. Sakamoto, J. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, M. Masahara

2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2010 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SNW.2010.5562563

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Stress Tensor Measurements by Raman Spectroscopy with High-Numerical-Aperture Immersion Lens 査読

D. Kosemura, A. Ogura

XXII INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY 1267 1154 - 1155 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

Web of Science

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Evaluation of Heavily Doped Poly-Si Thin Films Recrystallized by Excimer Laser Annealing Using UV/visible Raman Spectroscopy 査読

Takashi Kubo, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Toshiharu Suzuki, Takashi Noguchi

XXII INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY 1267 1168 - + 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evolutionary genomics for eye diversification 査読

Atsushi Ogura

Evolutionary Biology - Concepts, Molecular and Morphological Evolution 179 - 186 2010年

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掲載種別：論文集(書籍)内論文

DOI： 10.1007/978-3-642-12340-5_11

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High cycle fatigue behavior of cold forging die steel 査読

R. Ebara, R. Nohara, R. Ueji, A. Ogura, Y. Ishihara, S. Hamaya

Key Engineering Materials 417-418 225 - 228 2010年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/KEM.417-418.225

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Giga-cycle fatigue behavior of powdered high speed steel 査読

Ryuichiro Ebara, Keisuke Nakamura, Atsushi Ogura, Yoshihiro Ishihara, Shinichi Hamaya

18th European Conference on Fracture: Fracture of Materials and Structures from Micro to Macro Scale 2010年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Optimization of RTA process for PVD-TiN gate FinFETs 査読

Y. X. Liu, T. Kamei, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, T. Matsukawa, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

2010 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SOI.2010.5641382

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On the Gate-Stack Origin Threshold Voltage Variability in Scaled FinFETs and Multi-FinFETs 査読

Y. X. Liu, K. Endo, S. O'uchi, T. Kamei, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, T. Matsukawa, A. Ogura, M. Masahara

2010 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS 101 - + 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/vlsit.2010.5556187

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Nanoscale Wet Etching of Physical-Vapor-Deposited Titanium Nitride and Its Application to Sub-30-nm-Gate-Length Fin-Type Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Fabrication

Yongxun Liu, Takahiro Kamei, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Tetsuro Hayashida, Yuki Ishikawa, Takashi Matsukawa, Kunihiro Sakamoto, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 6 ) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.06GH18

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Evaluation of multi-crystalline silicon substrates for solar cells by Raman spectroscopy

T. Tachibana, J. Masuda, A. Ogura, Y. Ohshita, K. Arafune

PHOTOVOLTAICS FOR THE 21ST CENTURY 5 25 ( 15 ) 33 - 39 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3300419

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Combinatorial investigation of ZrO2-based dielectric materials for DRAM capacitors

Y. Kiyota, Y. Iwashita, K. Itaka, T. Adachi, T. Chikyow, A. Ogura

PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K MATERIALS 8 33 ( 3 ) 339 - 346 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3481622

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Suppression of Fermi Level Pinning and Flat Band Voltage Shift by Inserting Diamond-Like Carbon at a High-k/SiO2 Interface in a Gate Stack Structure

Yuta Iwashita, Tetsuya Adachi, Kenji Itaka, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 6 ) 06GH03(1-4) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.06GH03

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Structural Change by Annealing Process at Sigma 9 Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon Substrate for Solar Cells

Tomihisa Tachibana, Junichi Masuda, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Koji Arafune

ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 13 ( 7 ) B79 - B82 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.3423445

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Study of Charge Trap Sites in SiN Films by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Maki Hattori, Daisuke Katayama, Tatsuo Nishita, Yoshihiro Hirota, Masatake Machida, Jin-Young Son, Tomoyuki Koganezawa, Ichiro Hirosawa, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 4 ) 04DD11(1-5) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DD11

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Investigation of Thermal Stability of TiN Film Formed by Atomic Layer Deposition Using Tetrakis(dimethylamino)titanium Precursor for Metal-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor

Tetsuro Hayashida, Kazuhiko Endo Yongxun Liu, Takahiro Kamei, Takashi Matsukawa, Shin-ichi O’uch, Kunihiro Sakamoto, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

Jpn. J. Appl. Phy 49 ( 4 ) 04DA16(1-6) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DA16

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Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress by Raman Spectroscopy with a High Numerical Aperture Immersion Objective Lens

Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Ryosuke Shimidzu, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 ( 4 ) 04DA21(1-5) 2010年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DA21

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Study of the Degradation of p-n Diode Characteristics Caused by Small-Angle Grain Boundaries in Multi-Crystalline Silicon Substrate for Solar Cells

Tomihisa Tachibana, Junichi Masuda, Keita Imai, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Koji Arafune, Michio Tajima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48 ( 12 ) 121202(1-4) 2009年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.121202

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Channel-Stress Enhancement Characteristics for Scaled pMOSFETs by Using Damascene Gate With Top-Cut Compressive Stress Liner and eSiGe

Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Yasushi Tateshita, Hitoshi Wakabayashi, Masanori Tsukamoto, Terukazu Ohno, Atsushi Ogura, Naoki Nagashima

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 56 ( 11 ) 2778 - 2784 2009年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1109/TED.2009.2031002

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Improved Characteristics of 4H-SiC MISFET with AION/Nitrided SiO2 Stacked Gate Dielectrics 査読

T.Hosoi, Y. Kagei, T. Kirino, Y. Watanabe, K. Kozono, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Shimura, H. Watanabe

Technical Digest of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009 645-648 991 - + 2009年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.991

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Observation of Two-Dimensional Distribution of Lattoce Inclination and Strain in Strained Si Wafers by Synchrotron X-Ray Topography 査読

Takayoshi Shimura, Tomoyuki Inoue, Daisuke Shimokawa, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe, Atsushi Ogura, Masataka Umeno

DRIP XIII Conference 2009年9月

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記述言語：英語

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Microfractography in failure analysis of cold forging dies 査読

R. Ebara, K. Takeda, Y. Ishibashi, A. Ogura, Y. Kondo, S. Hamaya

Engineering Failure Analysis 16 ( 6 ) 1968 - 1976 2009年9月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.engfailanal.2008.10.023

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Study of Strain Induction for Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors using Transparent Dummy Gates and Stress Liners

Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Masayuki Kohno, Tatsuo Nishita, Toshio Nakanishi, Atsushi Ogura

Study of Strain Induction for Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors using Transparent Dummy Gates and Stress Liners 48 ( 6 ) 066508(1-7) 2009年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.066508

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A Comparative Study of Nitrogen Gas Flow Ratio Dependence on the Electrical Characteristics of Sputtered Titanium Nitride Gate Bulk Planar Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors and Fin-Type Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors

Tetsuro Hayashida, Yongxun Liu, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinich O’uchi, Kunihiro Sakamoto, Kenichi Ishii, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Eiichi Suzuki, Atsushi Ogura, Meishoku Masahara

Jpn. J. Appl. Phys 48 ( 5 ) 05DC01(1-6) 2009年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.48.05DC01

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Evaluation of local strain in Si using UV-Raman spectroscopy

Atsushi Ogura, Daisuke Kosemura, Munehisa Takei, Hidetsugu Uchida, Nobuyoshi Hattori, Masaki Yoshimaru, Satoru Mayuzumi, Hitoshi Wakabayashi

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-ADVANCED FUNCTIONAL SOLID-STATE MATERIALS 159-60 206 - 211 2009年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.mseb.2008.10.059

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窒化アルミナ絶縁層を有したＨｉｇh-k/Geゲートスタックの作製と特性評価査読

岡本学, 朽木克博, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会） 2009年1月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

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Si基板上に直接成長させた歪みSiGe層の熱酸化膜中の残留秩序構造査読

下川大輔, 岡本佑樹, 井上智之, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会） 2009年1月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

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局所横方向液相エピタキシャル成長による絶縁膜上Geワイヤの作製査読

橋元達也, 吉本千秋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会） 2009年1月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

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高密度プラズマ窒化により形成したGe3N4膜の電気特性評価査読

朽木克博, 岡本学, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１４回研究会） 2009年1月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（その他学術会議資料等）

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Nanoscale TiN wet etching and its application for FinFET fabrication 査読

Y. X. Liu, T. Kamei, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, T. Hayashida, Y. Ishikawa, T. Matsukawa, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/ISDRS.2009.5378248

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Improvement of CVD SiO2 by post deposition microwave plasma treatment

K. Nagata, H. Akamatsu, D. Kosemura, T. Yoshida, M. Takei, M. Hattori, A. Ogura, T. Koganezawa, M. Machida, J. Son, I. Hirosawa, T. Shiozawa, D. Katayama, Y. Sato, Y. Hirota

ECS Transactions 19 ( 9 ) 45 - 51 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3122447

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Evaluation and Control of Strain in Si Induced by Patterned SiN Stressor

A. Ogura, H. Saitoh, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Yoshida, M. Takei, T. Koganezawa, I. Hirosawa, M. Kohno, T. Nishita, T. Nakanishi

ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS 12 ( 4 ) H117 - H119 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.3070626

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Demonstration of Transconductance Enhancement on (110) and (001) Strained-Nanowire FETs

A. Seike, H. Takai, I. Tsuchida, J. Masuda, D. Kosemura, A. Ogura, T. Watanabe, I. Ohdomari

PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 7 25 ( 6 ) 427 - 430 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3206641

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UV-Raman Spectroscopy Study on SiO2/Si Interface

M. Hattori, T. Yoshida, D. Kosemura, A. Ogura, T. Suwa, A. Teramoto, T. Hattori, T. Ohmi

SILICON NITRIDE, SILICON DIOXIDE, AND EMERGING DIELECTRICS 10 19 ( 2 ) 55 - + 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3122085

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Comparative Study between Si (110) and (100) Substrates on Mobility and Velocity Enhancements for Short-Channel Highly-Strained PFETs

S. Mayuzumi, S. Yamakawa, D. Kosemura, M. Takei, K. Nagata, H. Akamatsu, K. Aamari, Y. Tateshita, H. Wakabayashi, M. Tsukamoto, T. Ohno, M. Saitoh, A. Ogura, N. Nagashima

2009 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS 14 - + 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Electron-Phonon Scattering Effect on Strained Si Nanowire FETs at Low Temperature

I. Tsuchida, A. Seike, H. Takai, J. Masuda, D. Kosemura, A. Ogura, T. Watanabe, I. Ohdomari

PHYSICS AND TECHNOLOGY OF HIGH-K GATE DIELECTRICS 7 25 ( 6 ) 439 - 443 2009年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.3206643

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Evaluation of poly-Si thin film crystallized by solid green laser annealing using UV/visible Raman spectroscopy 査読

Atsushi Ogura, Yasuto Kakemura, Daisuke Kosemura, Tetsuya Yoshida, Miyuki Masaki, Kenichirou Nishida, Ryusuke Kawakami, Naoya Yamamoto

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 19 S122 - S126 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10854-008-9650-0

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Microscopic and spectroscopic mapping of dislocation-related photoluminescence in multicrystalline silicon wafers

M. Inoue, H. Sugimoto, M. Tajima, Y. Ohshita, A. Ogura

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 19 S132 - S134 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10854-008-9605-5

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Characterization of strained Si wafers by X-ray diffraction techniques 査読

Takayoshi Shimura, Kohta Kawamura, Masahiro Asakawa, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake, Atsushi Ogura, Kazunori Fukuda, Osami Sakata, Shigeru Kimura, Hiroki Edo, Satoshi Iida, Masataka Umeno

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 19 S189 - S193 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1007/s10854-008-9641-1

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Evaluation of super-critical thickness strained-Si on insulator (sc-SSOI) substrate

A. Ogura, T. Yoshida, D. Kosemura, Y. Kakemura, M. Takei, H. Saito, T. Shimura, T. Koganesawa, I. Hirosawa

SOLID-STATE ELECTRONICS 52 ( 12 ) 1845 - 1848 2008年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2008.06.048

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Investigation of Structural Defects in Strained Si Wafers by Synchrotron X-ray Topography 査読

Takayoshi Shimura, Tomoyuki Inoue, Takuji Hosoi, Atsushi Ogura, Satoshi Iida, Masataka Umeno, Heiji Watanabe

Abstracts of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 2008年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evaluation of Si(3)N(4)/Si interface by UV Raman spectroscopy

A. Ogura, T. Yoshida, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, A. Teramoto, T. Ohmi, T. Hattori

APPLIED SURFACE SCIENCE 254 ( 19 ) 6229 - 6231 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.apsusc.2008.02.151

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W chemical-vapor deposition using (i-C3H7C5H4)(2)WH2 査読

Atsushi Ogura, Satoshi Imai, Taihei Kagawa, Hirotaka Kurozaki, Masato Ishikawa, Ikuyo Muramoto, Hideaki Machida, Yoshio Ohshita

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 26 ( 4 ) 561 - 564 2008年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1116/1.2913581

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Chemical Vapor Deposition Pt-Ni alloy Using Pt(PF3)4 and Ni(PF3)4

Masato Ishikawa, Ikuyo Muramoto, Hideaki Machida, Satoshi Imai, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

ECS Transactions 13 433-439 2008年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.2911527

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UV-ラマン分光法によるSiの高空間分解能ひずみ評価

小椋厚志

応用物理 77 ( 5 ) 515-520 - 520 2008年5月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：応用物理学会

CiNii Research

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UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価

掛村康人, 小椋厚志, 小瀬村大亮, 野口隆

信学技報 OME2008-6 27-32 2008年4月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Characterization of strain for high-performance metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor 査読

Daisuke Kosemura, Yasuto Kakemura, Tetsuya Yoshida, Atsushi Ogura, Masayuki Kohno, Tatsuo Nishita, Toshio Nakanishi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 4 ) 2538 - 2543 2008年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.47.2538

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Nitrogen gas flow ratio and rapid thermal annealing temperature dependences of sputtered titanium nitride gate work function and their effect on device characteristics 査読

Yongxun Liu, Tetsuro Hayashida, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Meishoku Masahara, Shinich O'uchi, Kunihiro Sakamoto, Kenichi Ishii, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Atsushi Ogura, Eiichi Suzuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 4 ) 2433 - 2437 2008年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.47.24331

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Evaluation of strain in Si-on-insulator substrate induced by Si3N4 capping film 査読

Atsushi Ogura, Daisuke Kosemura, Yasuto Kakemura, Tetsuya Yoshida, Hidetsugu Uchida, Nobuyoshi Hattori, Masaki Yoshimaru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 ( 3 ) 1465 - 1468 2008年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.47.14651

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Chemical vapor deposition of Ni-Pt thin film using Pt(PF3) 4 and Ni(PF3)4

S. Imai, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 107 - 111 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Observation of Crystalline Imperfections in Supercritical Thickness Strained Silicon on Insulator Wafers by Synchrotron X-ray Topography

T. Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Hosoi, H. Edo, S. Iida, A. Ogura, H. Watanabe

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 16 ( 10 ) 539 - + 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2986810

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Study on Stress Memorization by Argon Implantation and Annealing

M. Hino, K. Nagata, T. Yoshida, D. Kosemura, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, N. Sugii, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 16 ( 10 ) 117 - + 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2986758

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Transconductance enhancement by utilizing pattern dependent oxidation in silicon nanowire field-effect transistors

A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, I. Tsuchida, H. Ohta, T. Watanabe, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari

ECS Transactions 13 ( 1 ) 351 - 358 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2911517

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Application of synchrotron X-ray diffraction methods to gate stacks of advanced MOS Devices

T. Shimura, T. Inoue, Y. Okamoto, T. Hosoi, A. Ogura, O. Sakata, S. Kimura, H. Edo, S. Iida, H. Watanabe

ECS Transactions 13 ( 2 ) 75 - 82 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2908619

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An Experimental Study of TiN Gate FinFET SRAM with (111)-Oriented Sidewall Channels

Y. X. Liu, T. Hayashida, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, K. Sakamoto, M. Masahara, K. Ishii, J. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, E. Suzuki

2008 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 61 - + 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SNW.2008.5418473

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SiO2/Si(100) Interfacial Lattice Strain Studied by Extremely Asymmetric X-ray Diffraction 査読

Hironori Yoshida, Koichi Akimoto, Yuki Ito, Takashi Emoto, Naoya Yamamoto, Yoshio Oshita, Atsushi Ogura

TRANSACTIONS OF THE MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN, VOL 33, NO 3 33 ( 3 ) 603 - 605 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Channel-stress study on gate-size effects for damascene-gate pMOSFETs with top-cut compressive stress liner and eSiGe

S. Mayuzumi, S. Yamakawa, D. Kosemura, M. Takei, J. Wang, T. Ando, Y. Tateshita, M. Tsukamoto, H. Wakabayashi, T. Ohno, A. Ogura, N. Nagashima

2008 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY 97 - + 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/VLSIT.2008.4588588

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Fracture toughness and fracture surface morphology of cold forging die steels 査読

Ryuichiro Ebara, Keisuke Takeda, Yasuhiro Ishibashi, Atsushi Ogura, Yasuyuki Kondo, Shinichi Hamaya

17th European Conference on Fracture 2008: Multilevel Approach to Fracture of Materials, Components and Structures 1 310 - 317 2008年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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New Analysis of Heavily Doped Boron and Arsenic in Shallow Junctions by X-ray Photoelectron Spectroscopy 査読

K. Tsutsui, M. Watanabe, Y. Nakagawa, T. Matsuda, T. Yoshida, E. Ikenaga, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai

ESSDERC 2008: PROCEEDINGS OF THE 38TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE 142 - + 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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New plastic joining method using indentation of cold bar to hot forged part 査読

R. Matsumoto, S. Hanami, A. Ogura, H. Yoshimura, K. Osakada

CIRP Annals - Manufacturing Technology 57 ( 1 ) 279 - 282 2008年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.cirp.2008.03.126

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Trans conductance enhancement of Si nanowire transistors by oxide-induced strain 査読

A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, I. Tsuchida, H. Ohta, T. Watanabe, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari

2008 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON INTEGRATED CIRCUIT DESIGN AND TECHNOLOGY, PROCEEDINGS 207 - + 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Chemical vapor deposition of Ni-Pt thin film using Pt(PF3)(4) and Ni(PF3)(4) 査読

S. Imai, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2007 (AMC 2007) 23 107 - 111 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Logic gate threshold voltage controllable single metal gate FinFET CMOS inverters implemented by using co-integration of 3T/4T-FinFETs

Y. X. Liu, T. Sekigawa, T. Hayashida, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'Uchi, K. Sakamoto, K. Ishii, T. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, H. Koike, E. Suzuki, M. Masahara

Proceedings - IEEE International SOI Conference 161 - 162 2008年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SOI.2008.4656344

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Evaluation and control of strain in Si induced by patterned SiN stressor 査読

H. Saitoh, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Yoshida, M. Takei, A. Ogura, T. Koganezawa, I. Hirosawa, M. Kohno, T. Nishita, T. Nakanishi

ECS Transactions 13 ( 2 ) 263 - 269 2008年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2908639

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Orientation dependence of silicon oxidation ratio in high-pressure water vapor 査読

Naoya Yamamoto, Yoshio Oshita, Atsushi Ogura, Atsushi Yoshinouchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 12 ) 7619 - 7621 2007年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.7619

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Strain-induced transconductance enhancement by pattern dependent oxidation in silicon nanowire field-effect transistors

A. Seike, T. Tange, Y. Sugiura, I. Tsuchida, H. Ohta, T. Watanabe, D. Kosemura, A. Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 91 ( 20 ) 202117-1-3 2007年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2812577

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Improvement in characteristics of thin film transistors upon high-pressure steam annealing 査読

Naoya Yamamoto, Tomoyuki Watanabe, Miyuki Masaki, Ryusuke Kawakami, Takahiko Murayama, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, Atsushi Yoshinouchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 11 ) 7208 - 7211 2007年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.7208

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Transconductance enhancement of nanowire field-effect transistors by built-up stress induced during thermal oxidation

A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari

APPLIED PHYSICS LETTERS 91 ( 6 ) 062108-1-3 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2768637

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Chemical vapor deposition of NiSi using Ni(PF3)(4) and Si3H8

M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y. Ohshita

THIN SOLID FILMS 515 ( 22 ) 8246 - 8249 2007年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2007.02.051

Web of Science

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Ni-silicide precursor for gate electrodes

M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y. Ohshita

THIN SOLID FILMS 515 ( 12 ) 4980 - 4982 2007年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2006.10.046

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Measurement of in-plane and depth strain profiles in strained-Si substrates 査読

Atsushi Ogura, Daisuke Kosemura, Kosuke Yamasaki, Satoshi Tanaka, Yasuto Kakemura, Akiko Kitano, Ichiro Hirosawa

SOLID-STATE ELECTRONICS 51 ( 2 ) 219 - 225 2007年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.sse.2007.01.002

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Composition control of Ni silicide by chemical vapor deposition using Ni(PF3)(4) and Si3H8 査読

Masato Ishikawa, Ikuyo Muramoto, Hideaki Machida, Yoshio Ohshita, Satoshi Imai, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 ( 2 ) 474 - 477 2007年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.46.474

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Systems-level analysis and evolution of the phototransduction network in Drosophila 査読

Christian R. Landry, Cristian I. Castillo-Davis, Atsushi Ogura, Jun S. Liu, Daniel L. Hartl

PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA 104 ( 9 ) 3283 - 3288 2007年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1073/pnas.0611402104

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Nitrogen gas flow ratio controlled PVD TiN metal gate technology for FinFET CMOS 査読

Yongxun Liu, Tetsuro Hayashida, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Meishoku Masahara, Shin-ichi O'uchi, Kunihoro Sakamoto, Kenichi Ishii, Junichi Tsukada, Yuki Ishikawa, Hiromi Yamauchi, Atsushi Ogura, Eiichi Suzuki

2007 INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE RESEARCH SYMPOSIUM, VOLS 1 AND 2 189 - + 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Giga cycle fatigue behavior of cold forging die steels 査読

Hideki Kobayashi, Ryuichiro Ebara, Atsushi Ogura, Yasuyuki Kondo, Shinichi Hamaya

VHCF-4 - 4th International Conference on Very High Cycle Fatigue 319 - 324 2007年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Effective control of strain in SOI by SiN deposition

Daisuke Kosemura, Kosuke Yamasaki, Yasuto Kakemura, Tetsuya Yoshida, Atsushi Ogura, Hidetsugu Uchida, Hideki Naruoka, Masaki Yoshimaru

ECS Transactions 6 ( 4 ) 245 - 250 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2728867

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W-CVD using bisisopropylcyclopentadienyltungstendihydride 査読

S. Imai, T. Kagawa, H. Kurozaki, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference 2006 (AMC 2006) 191 - 196 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evaluation of SOI substrates with local or global strain by means of in-plane XRD measurement 査読

Daisuke Kosemura, Kosuke Yamasaki, Satoshi Tanaka, Yasuto Kakemura, Tetsuya Yoshida, Atsushi Ogura

Proceedings - IEEE International SOI Conference 53 - 54 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SOI.2006.284429

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Properties of chemical reaction during ni and ni-silicide deposition using Ni(PF3)(4) and Si3H8 査読

M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference 2006 (AMC 2006) 643 - 648 2007年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Two-dimensional anisotropic lattice deformation observed in a commercially available strained-Si wafer 査読

Kazunori Fukuda, Naohiro Tomita, Kazuki Hayashi, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima, Junji Matsui, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 ( 11 ) 8542 - 8548 2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.8542

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Two-dimensional anisotropic lattice deformation observed in a commercially available strained-Si wafer

Kazunori Fukuda, Naohiro Tomita, Kazuki Hayashi, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima, Junji Matsui, Atsushi Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 ( 11 ) 8542 - 8548 2006年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.8542

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Depth profiling of strain and defects in Si/Si1-xGex/Si heterostructures by micro-Raman imaging

T. Mitani, S. Nakashima, H. Okumura, A. Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100 ( 7 ) 073511-1-5 2006年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2355431

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Depth profiling of strain and defects in Si/Si1-xGex/Si heterostructures by micro-Raman imaging

T. Mitani, S. Nakashima, H. Okumura, A. Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100 ( 7 ) 2006年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.2355431

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Crystallinity estimation of thin silicon-on-insulator layers by means of diffractometry using a highly parallel X-ray microbeam

Shingo Takeda, Kazushi Yokoyama, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima, Junji Matsui, Atsushi Ogura

JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION 13 373 - 377 2006年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1107/S090904950602855X

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Crystallinity estimation of thin silicon-on-insulator layers by means of diffractometry using a highly parallel X-ray microbeam 査読

Shingo Takeda, Kazushi Yokoyama, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima, Junji Matsui, Atsushi Ogura

JOURNAL OF SYNCHROTRON RADIATION 13 373 - 377 2006年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1107/S090904950602855X

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Analysis of intra-grain defects in multicrystalline silicon wafers by photoluminescence mapping and spectroscopy 査読

Hiroki Sugimoto, Masaaki Inoue, Michio Tajima, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 45 ( 24-28 ) L641 - L643 2006年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.L641

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Analysis of intra-grain defects in multicrystalline silicon wafers by photoluminescence mapping and spectroscopy

Hiroki Sugimoto, Masaaki Inoue, Michio Tajima, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 45 ( 24-28 ) L641 - L643 2006年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.L641

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UV-Raman spectroscopy system for local and global strain measurements in Si

A Ogura, K Yamasaki, D Kosemura, S Tanaka, Chiba, I, R Shimidzu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45 ( 4B ) 3007 - 3011 2006年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.45.3007

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Genomic annotation of 15,809 ESTs identified from pooled early gestation human eyes 査読

K. W. Choy, C. C. Wang, A. Ogura, T. K. Lau, M. S. Rogers, K. Ikeo, T. Gojobori, D. S.C. Lam, C. P. Pang

Physiological Genomics 25 ( 1 ) 9 - 15 2006年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1152/physiolgenomics.00121.2005

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PubMed

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HfO2 and Hf1-xSixO2 thin films grown by metal-organic CVD using tetrakis(diethylamido)hafnium

Y Ohshita, A Ogura, M Ishikawa, T Kada, A Hoshino, T Suzuki, H Machida, K Soai

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 12 ( 2-3 ) 130 - 135 2006年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1002/cvde.200506372

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Molecular characterization of the developmental gene in eyes: Through data-mining on integrated transcriptome databases 査読

K. W. Choy, C. C. Wang, A. Ogura, T. K. Lau, M. S. Rogers, K. Ikeo, T. Gojobori, L. Y. Tang, D. S.C. Lam, T. K.H. Chung, C. P. Pang

Clinical Biochemistry 39 ( 3 ) 224 - 230 2006年3月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.clinbiochem.2005.12.005

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PubMed

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HfO_2_ and Hf_1-x_Si_x_O_2_ Thin Film Growth by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Using Tetrakis-diethlyamido-hafnium

Y. Ohshita, A. Ogura, M. Ishikawa, T. Kada, A. Hoshino, T. Suzuki, S. Hiiro, H.Machida

Wiley-VCH Chemical Vapor Deposition Vol.12 130-135 2006年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Chemical vapor deposition of Ni-silicide for gate electrodes 査読

M Ishikawa, Muramoto, I, H Machida, S Imai, A Ogura, Y Ohshita

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2005 (AMC 2005) 205 - 210 2006年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evaluation of commercial ultra-thin Si-on-insulator wafers using laser confocal inspection system 査読

A Ogura, O Okabayashi

THIN SOLID FILMS 488 ( 1-2 ) 189 - 193 2005年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.04.070

Web of Science

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Volatile CVD precursor for Ni film: cyclopentadienylallylnickel

T. Kada, M. Ishikawa, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita, K. Soai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275 ( 1-2 ) E1115 - E1119 2005年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.198

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Surface reactions in Ni MOCVD using cyclopentadienylallylnickel as a precursor

Masato Ishikawa, Takeshi Kada, Hideaki Machida, Kensou Soai, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275 ( 1-2 ) E1121 - E1125 2005年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.199

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Estimation of ancestral gene set of bilaterian animals and its implication to dynamic change of gene content in bilaterian evolution 査読

Atsushi Ogura, Kazuho Ikeo, Takashi Gojobori

Gene 345 ( 1 SPEC. ISS. ) 65 - 71 2005年1月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/j.gene.2004.11.036

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PubMed

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Relaxation of strained-SOI substrates by RTA process 査読

Kosuke Yamasaki, Daisuke Kosemura, Satoshi Tanaka, Atsushi Ogura, Ichiro Chiba, Ryosuke Shimidzu

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2005 90 - 91 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1109/SOI.2005.1563546

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Ni thin film deposition from tetrakistrifluorophosphine-nickel

Y Ohshita, M Ishikawa, T Kada, H Machida, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44 ( 8-11 ) L315 - L317 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.44.L315

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Ni thin film deposition from tetrakistrifluorophosphine-nickel

Y Ohshita, M Ishikawa, T Kada, H Machida, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44 ( 8-11 ) L315 - L317 2005年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.44.L315

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Comparative analysis of gene expression for convergent evolution of camera eye between octopus and human 査読

Atsushi Ogura, Kazuho Ikeo, Takashi Gojobori

Genome Research 14 ( 8 ) 1555 - 1561 2004年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1101/gr.2268104

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PubMed

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Ni precursor for chemical vapor deposition of NiSi

M Ishikawa, T Kada, H Machida, Y Ohshita, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 43 ( 4B ) 1833 - 1836 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.1833

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Characterization of Si/GexSi1-x structures by micro-Raman imaging

S Nakashima, T Yamamoto, A Ogura, K Uejima, T Yamamoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 84 ( 14 ) 2533 - 2535 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1695443

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Characterizing metal-oxide semiconductor structures consisting of HfSiOx as gate dielectrics using monoenergetic positron beams

A Uedono, N Hattori, A Ogura, J Kudo, S Nishikawa, T Ohdaira, R Suzuki, T Mikado

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 43 ( 4A ) 1254 - 1259 2004年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.1254

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Vapor pressure of Hf and Si precursors for HfxSi1-xO2 deposition evaluated by a saturated gas technique

H Machida, T Kada, M Ishikawa, A Ogura, Y Ohshita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 43 ( 3 ) 966 - 967 2004年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.966

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Comparison of silicon-on-insulator wafer mappings between photoluminescence intensity and microwave photoconductivity decay lifetime

M Tajima, ZQ Li, S Sumie, H Hashizume, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 43 ( 2 ) 432 - 438 2004年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.43.432

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先端デバイス開発におけるＳＯＩ基板への期待

結晶成長学会誌 2004年1月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Characterizing metal-oxide semiconductor structures consisting of HfSiOx as gate dielectrics using monoenergetic positron beams 査読

Akira Uedono, Nobuyoshi Hattori, Atsushi Ogura, Jun Kudo, Satoshi Nishikawa, Toshiyuki Ohdaira, Ryoichi Suzuki, Tomohisa Mikado

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 43 ( 4 A ) 1254 - 1259 2004年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：Japan Society of Applied Physics

DOI： 10.1143/JJAP.43.1254

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Ni thin film deposition using tetrakis(trifluorophosphine)nickel(0), Ni(PF3)(4) 査読

M Ishikawa, T Kada, H Machida, A Ogura, Y Ohshita

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2004 (AMC 2004) 603 - 608 2004年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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CVD precursors for NiSi films 査読

T Kada, M Ishikawa, H Machida, A Ogura, Y Ohshita

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2003 (AMC 2003) 663 - 668 2004年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evaluation of HfO2 film structures deposited by metal-organic chemical vapor deposition using Hf(N(C2H5)(2))(4)/O-2 gas system

A Ogura, K Ito, Y Ohshita, M Ishikawa, H Machida

THIN SOLID FILMS 441 ( 1-2 ) 161 - 164 2003年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(03)00672-2

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Tris-diethylamino-silane decomposition due to tetrakis-diethylamido-hafnium in Hf1-xSixO2 chemical vapor deposition

Y Ohshita, A Ogura, M Ishikawa, T Kada, H Machida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42 ( 6A ) L578 - L580 2003年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.42.L5781

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Formation of patterned buried insulating layer in Si substrates by He+ implantation and annealing in oxidation atmosphere

A Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 82 ( 25 ) 4480 - 4482 2003年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1586783

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Tris-diethylamino-silane decomposition due to tetrakis-diethylamido-hafnium in Hf1-xSixO2 chemical vapor deposition

Y Ohshita, A Ogura, M Ishikawa, T Kada, H Machida

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42 ( 6A ) L578 - L580 2003年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.42.L5781

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Vacancy-type defects in SOI wafers probed by a monoenergetic positron beam 査読

A., Uedono, A., Ogura, N., Hattori, J., Kudo, S., Nishikawa

Proceedings of the Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2003, November 25-27 (2003) Kanagawa, Japan, p. 272-280. 272-280. 2003年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Evaluation of commercial ultra-thin SOI substrates using laser confocal inspection system

A Ogura, O Okabayashi

SEMICONDUCTOR WAFER BONDING VII: SCIENCE, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS, PROCEEDINGS 2003 ( 19 ) 19 - 24 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1016/j.tsf.2005.04.070

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CVD precursors for NiSi films

T. Kada, M. Ishikawa, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 663 - 668 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Nonuniformity of commercial SOI wafers manifested by photoluminescence and lifetime mapping 査読

ZQ Li, M Tajima, M Warashina, S Sumie, H Hashizume, A Ogura

2003 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS 135 - 137 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Sub-10-nm planar-bulk-CMOS devices using lateral junction control

H Wakabayashi, S Yamagami, T Ikezawa, A Ogura, M Narihiro, T Arai

2003 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 989 - 991 2003年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Hf1-xSixO2 deposition by metal organic chemical vapor deposition using the Hf(NEt2)4/SiH(NEt2)3/O2 gas system

Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, Masato Ishikawa, Asako Hoshino, Shigeki Hiiro, Toshie Suzuki, Hideaki Machida

Thin Solid Films 416 ( 1-2 ) 208 - 211 2002年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(02)00705-8

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Oxygen-related defects and their annealing behavior in low-dose Separation-by-IMplanted OXygen (SIMOX) wafers studied by slow positron beams

ZQ Chen, A Uedono, A Ogura, H Ono, R Suzuki, T Ohdaira, T Mikado

APPLIED SURFACE SCIENCE 194 ( 1-4 ) 112 - 115 2002年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0169-4332(02)00098-3

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Defects in silicon-on-insulator wafers and their hydrogen interaction studied by monoenergetic positron beams

A Uedono, ZQ Chen, A Ogura, R Suzuki, T Ohdaira, T Mikado

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91 ( 10 ) 6488 - 6492 2002年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1470253

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Formation of epitaxially ordered SiO2 in oxygen-implanted silicon during thermal annealing

T Shimura, T Hosoi, K Fukuda, M Umeno, A Ogura

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 236 ( 1-3 ) 37 - 40 2002年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)02136-4

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Using tetrakis-diethylamido-hafnium for HfO2 thin-film growth in low-pressure chemical vapor deposition

Y Ohshita, A Ogura, A Hoshino, S Hiiro, T Suzuki, H Machida

THIN SOLID FILMS 406 ( 1-2 ) 215 - 218 2002年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(01)01765-5

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Effects of deposition conditions on step-coverage quality in low-pressure chemical vapor deposition of HfO2

Y Ohshita, A Ogura, A Hoshino, T Suzuki, S Hiiro, H Machida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 235 ( 1-4 ) 365 - 370 2002年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01833-4

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SOI formation by light ion implantation and annealing in oxygen including atmosphere 査読

A. Ogura

Extended Abstracts of the 3rd International Workshop on Junction Technology, IWJT 2002 5 - 8 2002年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

DOI： 10.1109/IWJT.2002.1225187

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MOCVD precursors for Ta- and Hf-compound films

H. Machida, A. Hoshino, T. Suzuki, A. Ogura, Y. Ohshita

Journal of Crystal Growth 237-239 ( 1 ) 586 - 590 2002年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01963-7

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Oxygen-related defects in silicon-on-insulator wafers probed monoenergetic positron beams 査読

A Uedono, H Yamamoto, A Nakano, A Ogura, T Ohdaira, R Suzuki, T Mikado

2002 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS 196 - 197 2002年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Oxygen-related defects in low-dose separation-by-implanted oxygen wafers probed by monoenergetic positron beams

A Uedono, ZQ Chen, A Ogura, H Ono, R Suzuki, T Ohdaira, T Mikado

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90 ( 12 ) 6026 - 6031 2001年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.1415064

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Depth profiles of As and B implanted into Si-on-insulator substrates

Atsushi Ogura, Masayuki Hiroi

Thin Solid Films 397 ( 1-2 ) 56 - 62 2001年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0040-6090(01)01478-X

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HfO2 growth by low-pressure chemical vapor deposition using the Hf(N(C2H5)(2))(4)/O-2 gas system

Y Ohshita, A Ogura, A Hoshino, S Hiiro, H Machida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 233 ( 1-2 ) 292 - 297 2001年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(01)01502-0

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Formation of Buried Oxide Layer in Si Substrates by Oxygen precipitation at Imolantation Damage of Light Ions

A.Ogura

The Institute of Pure and Applied Physics Jpn.j.Appl.Phys. Vol.40 pp.L1075-1077 2001年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.40.L1075

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Formation of buried oxide layer in Si substrates by oxygen precipitation at implantation damage of light ions

A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 40 ( 10B ) L1075 - L1077 2001年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Photoluminescence analysis of {311} interstitial defects in wafers synthesized by separation by implanted oxygen

J Takiguchi, M Tajima, A Ogura, S Ibuka, Y Tokumaru

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 40 ( 6A ) L567 - L569 2001年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.40.L567

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Evaluation of SOI substrates by positron annihilation

A Uedono, A Ogura, S Tanigawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 40 ( 4B ) 2903 - 2906 2001年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Evaluation of SOI Substrates by Positron Annihilation

A.Uedono,A.Ogura, S.Tanigawa

The Institute of Pure and Applied Phvsics Jpn.J.Appl.Phys. Vol.40 ( 4 ) pp.2903-2906 - 2906 2001年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：公益社団法人応用物理学会

The annihilation characteristics of positrons in Si-on-insulator (SOI) wafers were studied using a monoenergetic positron beam. From measurements of Doppler broadening spectra of the annihilation radiation as a function of incident positron energy, the line-shape parameter $S$ of the buried oxide (BOX) layers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen process was found to be smaller than that of a SiO2 film fabricated by conventional thermal oxidation. This was attributed to the suppression of the positronium formation in the BOX layer due to the trapping of positrons by defects; the charge state of the defects was estimated to be negative. Positrons implanted into the superficial Si layer annihilated from the trapped state by the defects. These defects were considered to be related to oxygen atoms, and the concentration of such oxygen-related defects was high at the region close to the SOI/BOX interface.

DOI： 10.1143/JJAP.40.2903

CiNii Research

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その他リンク： https://jlc.jst.go.jp/DN/JALC/00151147142?from=CiNii
HfO2 and Hf1-xSixO2 deposition by MOCVD using TDEAH

Masato Ishikawa, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 667 - 672 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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ＳＯＩウェハーの評価技術

田島道夫, 井深重夫

電子情報技術産業協会多層膜集積技術に関する調査報告書Ⅶ 2001年

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記述言語：日本語

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HfO2 and Hf1-xSiO2 deposition by MOCVD using TDEAH 査読

M Ishikawa, H Machida, A Ogura, Y Ohshita

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2001 (AMC 2001) 667 - 672 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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LPCVD of TaCN thin film for barrier layer in Cu interconnection 査読

K Hoshino, T Suzuki, S Hiiro, H Machida, A Ogura, Y Ohshita

ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE 2000 (AMC 2000) 403 - 408 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Characterization of optical lifetime in silicon-on-insulator wafers by photoluminescence decay method

Shigeo Ibuka, Michio Tajima, Atsushi Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings 681 195 - 200 2001年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：Materials Research Society

DOI： 10.1557/proc-681-i9.6

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Low-pressure chemical vapor deposition of TaCN films by pyrolysis of ethylamido-tantalum

Y Ohshita, A Ogura, A Hoshino, S Hiiro, H Machida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 220 ( 4 ) 604 - 609 2000年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0022-0248(00)00816-2

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Microstructure of Cu film sputter deposited on TiN

Akira Furuya, Yoshio Ohshita, Atsuhi Ogura

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films 18 ( 6 ) 2854 - 2857 2000年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Inst of Physics

DOI： 10.1116/1.1310653

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In- and out-diffusion of oxygen during the buried-oxide formation in oxygen-implanted silicon

H Ono, A Ogura

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 87 ( 11 ) 7782 - 7787 2000年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.373454

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Evaluation of buried oxide formation in low-dose SIMOX process

A Ogura, H Ono

APPLIED SURFACE SCIENCE 159 104 - 110 2000年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1016/S0169-4332(00)00056-8

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Annealing properties of defects during Si-on-insulator fabrication by low-dose oxygen implantation studied by monoenergetic positron beams

A Uedono, S Tanigawa, A Ogura, H Ono, R Suzuki, T Ohdaira, T Mikado

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 87 ( 4 ) 1659 - 1665 2000年2月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.372074

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LPCVD of TaCN thin film for barrier layer in Cu interconnection

A. Hoshino, T. Suzuki, S. Hiiro, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 403 - 408 2000年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Structures and coalescence behavior of size-selected silicon nanoclusters studied by surface-plasmon-polariton enhanced Raman spectroscopy

E. C. Honea, A. Ogura, D. R. Peale, C. Félix, C. A. Murray, K. Raghavachari, W. O. Sprenger, M. F. Jarrold, W. L. Brown

Journal of Chemical Physics 110 ( 24 ) 12161 - 12172 1999年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：American Institute of Physics Inc.

DOI： 10.1063/1.479153

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Formation of a buried oxide film at the damage peak induced by oxygen implantation into a Si substrate

A Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 74 ( 15 ) 2188 - 2190 1999年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.123796

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Defect analysis in bonded and H+ split silicon-on-insulator wafers by photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy

M Tajima, A Ogura, T Karasawa, A Mizoguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 37 ( 10B ) L1199 - L1201 1998年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.37.L1199

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Defect analysis in bonded and H+ split silicon-on-insulator wafers by photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy

M Tajima, A Ogura, T Karasawa, A Mizoguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 37 ( 10B ) L1199 - L1201 1998年10月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Infrared studies of silicon oxide formation in silicon wafers implanted with oxygen

H Ono, T Ikarashi, A Ogura

APPLIED PHYSICS LETTERS 72 ( 22 ) 2853 - 2855 1998年6月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.121479

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Extension of dose window for low-dose separation by implanted oxygen

A Ogura

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 145 ( 5 ) 1735 - 1737 1998年5月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.1838549

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Evaluation of electron trap levels in SOI buried oxides by transient photocurrent spectroscopy

Y Miura, K Hamada, T Kitano, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 37 ( 3B ) 1274 - 1277 1998年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Evaluation of electron trap levels in SOI buried oxides by transient photocurrent spectroscopy

Y Miura, K Hamada, T Kitano, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 37 ( 3B ) 1274 - 1277 1998年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.37.1274

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Precise Measurement of Strain in Thin Si film

Kimura,A.Ogura

The Institute of Pure and Applied physics Jpn.J.Appl.Phys. Vol.37 pp.1282-1284 1998年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.37.1282

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Precise measurement of strain induced by local oxidation in thin silicon layers of silicon-on-insulator structures

S Kimura, A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 37 ( 3B ) 1282 - 1284 1998年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Defect characterization in Unibond wafers by photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy

M. Tajima, A. Ogura

IEEE International SOI Conference 139 - 140 1998年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）出版者・発行元：IEEE

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Thinning of SOI bonded wafers by applying voltage during KOH etvhing .-Improvement of thickness variation by reducing leakage

A.Ogura

American Insittute of Phisics American Institute of Physics Vol.36 pp.1519-1521 1997年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.36.1519

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Thinning of SOI bonded wafers by applying voltage during KOH etching: Improvement of thickness variation by reducing leakage current

A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 36 ( 3B ) 1519 - 1521 1997年3月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Evaluation of depth profile of defects in ultrathin Si film on buried SiO2 formed by implanted oxygen

A Ogura, T Tatsumi, T Hamajima, H Kikuchi

APPLIED PHYSICS LETTERS 69 ( 10 ) 1367 - 1369 1996年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.117438

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単一サイズSiクラスターの作製とラマン評価

E.C.Honea, C.A.Murray, K.Ragavachari, W.O.Sprenger, W.L.Brown

表面科学第17 ( 第2 ) 8 - 73 1996年2月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：The Surface Science Society of Japan

レーザーアブレーション法で作製したSiクラスターを,四重極質量分離器を用いて単一サイズに制御し,同時堆積した不活性分子マトリクス中に埋め込んで,表面をAgでコートしたサファイアプリズム基板上に堆積した。表面プラズモンーポラリトンラマン分光法で得た,各サイズのSiクラスターからの振動モードを,分子軌道計算の結果と比較し構造解析を行った。その結果,Si4は同一平面上の菱形,Si6は圧縮された八面体,Si7は上下をキャップされた正五角形であることが確認された。さらに,構造が既知であるSiクラスターを出発材料とする凝集過程を観察し,非晶質Siに関する知見を得た。

DOI： 10.1380/jsssj.17.68

CiNii Research

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Control of thickness variation in Si-on-insulator bonded wafers by applying voltage during KOH etching

A Ogura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 35 ( 1B ) L71 - L73 1996年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/jjap.35.L71

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Characterization of surface imperfections of silicon-on-insulator wafers by means of extremely asymmetric x-ray reflection topography

S Kimura, A Ogura, T Ishikawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 68 ( 5 ) 693 - 695 1996年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.116594

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Characterization of surface imperfections of silicon-on-insulator wafers by means of extremely asymmetric x-ray reflection topography

Shigeru Kimura, Atsushi Ogura, Tetsuya Ishikawa

Applied Physics Letters 68 ( 5 ) 693 - 695 1996年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.116594

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Control of thickness variation in Si-on-insulator bonded wafers by applying voltage during KOH etching 査読

Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 35 ( 1 B ) 1996年

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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Highly uniform SOI fabrication by applying voltage during KOH etching of bonded wafers 査読

Atsushi Ogura

IEEE International SOI Conference 58 - 59 1995年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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RAMAN SPECTROSCOPY OF SIZE SELECTED, MATRIX ISOLATED SI CLUSTERS 査読

A OGURA, EC HONEA, CA MURRAY, K RAGHAVACHARI, WO SPRENGER, MF JARROLD, WL BROWN

DETERMINING NANOSCALE PHYSICAL PROPERTIES OF MATERIALS BY MICROSCOPY AND SPECTROSCOPY 332 333 - 338 1994年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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RAMAN-SPECTRA OF SIZE-SELECTED SILICON CLUSTERS AND COMPARISON WITH CALCULATED STRUCTURES

EC HONEA, A OGURA, CA MURRAY, K RAGHAVACHARI, WO SPRENGER, MF JARROLD, WL BROWN

NATURE 366 ( 6450 ) 42 - 44 1993年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1038/366042a0

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50-NM-THICK SILICON-ON-INSULATOR FABRICATION BY ADVANCED EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH - TUNNEL EPITAXY

A OGURA, A FURUYA, R KOH

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 140 ( 4 ) 1125 - 1130 1993年4月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.2056210

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An investigation on the cutoff characteristics of sub-quarter-micron SOI MOSFET 査読

Risho Koh, Tohru Mogami, Atsushi Ogura

1991 IEEE International SOI Conference Proceedings 152 - 153 1992年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Improvement of SiO2/Si Interface Flatness by Post-Oxidation Anneal 査読

Atsushi Ogura

Journal of the Electrochemical Society 138 ( 3 ) 807 - 810 1991年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1149/1.2085680

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EXTREMELY THIN AND DEFECT-FREE SI-ON-INSULATOR FABRICATION BY TUNNEL EPITAXY

A OGURA, Y FUJIMOTO

APPLIED PHYSICS LETTERS 57 ( 26 ) 2806 - 2807 1990年12月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.103770

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シリコン材料の科学技術国際シンポジウム

松井純繭

応用物理 1990年10月号 ( 10 ) p1354 - 1356 1990年10月

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記述言語：日本語掲載種別：研究論文（学術雑誌）出版者・発行元：応用物理学会

CiNii Research

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NONSEEDED CRYSTALLINE ORIENTATION CONTROL FOR SI-ON-INSULATOR LASER RECRYSTALLIZATION

A OGURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 29 ( 9 ) 1630 - 1633 1990年9月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Web of Science

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Improvement of SiO<inf>2</inf>/Si interface flatness by post oxidation annealing 査読

Atsushi Ogura

Proceedings - The Electrochemical Society 90 ( 7 ) 332 - 341 1990年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

DOI： 10.1149/1.2085680

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Nonseeded crystalline orientation control for Si-on-Insulator laser recrystallization

Atsushi Ogura

Japanese Journal of Applied Physics 29 ( 9R ) 1630 - 1633 1990年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1143/JJAP.29.1630

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Si/SiO_2_ Interface Structures in SOI and Thermally Oxidized Si

A.Ogura, N.Aizaki

ElsevierB.V Solid State Electronics Vol.33 pp.275-280 1990年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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NOVEL TECHNIQUE FOR SI EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH - TUNNEL EPITAXY

A OGURA, Y FUJIMOTO

APPLIED PHYSICS LETTERS 55 ( 21 ) 2205 - 2207 1989年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.102061

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SI/SIO2 INTERFACE STRUCTURES IN LASER-RECRYSTALLIZED SI ON SIO2

A OGURA, N AIZAKI

APPLIED PHYSICS LETTERS 55 ( 6 ) 547 - 549 1989年8月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.102433

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High-speed video observation of laser recrystallization for semiconductor-on-insulator fabrication

Atsushi Ogura, Naoaki Aizaki, Hiroshi Terao

Journal of Applied Physics 65 ( 2 ) 752 - 754 1989年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.343089

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INTERFACE STRUCTURES IN LATERAL SEEDING EPITAXIAL SI ON SIO2 査読

A OGURA, N AIZAKI, H TERAO

CHARACTERIZATION OF THE STRUCTURE AND CHEMISTRY OF DEFECTS IN MATERIALS 138 361 - 366 1989年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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Grain growth of 〈100〉 textured Ge on a SiO2/Si 3N4 stripe

Atsushi Ogura, Naoaki Aizaki, Hiroshi Terao

Applied Physics Letters 53 ( 1 ) 22 - 24 1988年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.100570

Scopus

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OBSERVATION ON LASER-ANNEALED SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES BY CROSS-SECTIONAL TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY

A OGURA, H TERAO

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62 ( 10 ) 4170 - 4173 1987年11月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.339136

Web of Science

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GRAIN-GROWTH OBSERVATION OF (100) TEXTURED GERMANIUM FILM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY

A OGURA, H TERAO

APPLIED PHYSICS LETTERS 50 ( 1 ) 16 - 18 1987年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.98124

Web of Science

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Gas source silicon molecular beam epitaxy using silane

Hiroyuki Hirayama, Toru Tatsumi, Atsushi Ogura, Naoaki Aizaki

Applied Physics Letters 51 ( 26 ) 2213 - 2215 1987年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.99009

Scopus

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LOW-TEMPERATURE GRAIN-GROWTH OF INITIALLY (100) TEXTURED POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS AMORPHIZED BY SILICON ION-IMPLANTATION WITH NORMAL INCIDENT ANGLE

K EGAMI, A OGURA, M KIMURA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 ( 1 ) 289 - 291 1986年1月

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.336831

Web of Science

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MINIMIZATION OF RESIDUAL STRESS IN SOI FILMS BY USING AlN INTERLAID INSULATOR. 査読

Atsushi Ogura, Koji Egami, Masakazu Kimura

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 24 ( 8 ) 669 - 671 1985年8月

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掲載種別：研究論文（学術雑誌）

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MINIMIZATION OF RESIDUAL STRESS IN SOI FILMS. 査読

Atsushi Ogura, Koji Egami, Masakazu Kimura

Conference on Solid State Devices and Materials 10 - 11 1985年

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掲載種別：研究論文（国際会議プロシーディングス）

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GERMANIUM FILM ON SIO2 WITH A (100) TEXTURE DEPOSITED BY THE RF SPUTTERING TECHNIQUE

K EGAMI, A OGURA

APPLIED PHYSICS LETTERS 47 ( 10 ) 1059 - 1061 1985年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Web of Science

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Germanium film on SiO2 with a 〈100〉 texture deposited by the rf sputtering technique

Koji Egami, Atsushi Ogura

Applied Physics Letters 47 ( 10 ) 1059 - 1061 1985年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.96378

Web of Science

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MINIMIZATION OF RESIDUAL-STRESS IN SOI FILMS BY USING AIN INTERLAID INSULATOR

A OGURA, K EGAMI, M KIMURA

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 24 ( 8 ) L669 - L671 1985年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Web of Science

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LOW-TEMPERATURE REDISTRIBUTION OF AS IN SI DURING NI SILICIDE FORMATION

OHDOMARI, I, M AKIYAMA, T MAEDA, M HORI, C TAKEBAYASHI, A OGURA, T CHIKYO, KIMURA, I, K YONEDA, KN TU

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 ( 10 ) 2725 - 2728 1984年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.333801

Web of Science

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REDUCTION OF CONTACT RESISTIVITY BY AS REDISTRIBUTION DURING PD2SI FORMATION

OHDOMARI, I, M HORI, T MAEDA, A OGURA, H KAWARADA, T HAMAMOTO, K SANO, KN TU, M WITTMER, KIMURA, I, K YONEDA

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54 ( 8 ) 4679 - 4682 1983年

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記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

DOI： 10.1063/1.332630

Web of Science

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書籍等出版物

Advanced Aspects of Spectroscopy

ed. by, Muhammad Akhyar Farrukh（担当：共著）

InTech, Croatia 2012年8月（ ISBN:9789535107156 ）

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記述言語：英語著書種別：学術書

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表面・深さ方向の分析方法

（担当：共著）

サイエンス＆テクノロジー 2007年11月

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記述言語：日本語著書種別：学術書

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電子材料ハンドブック

木村忠正, 八百隆文, 奥村次徳, 豊田太郎編集（担当：共著）

朝倉書店 2006年11月

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記述言語：日本語著書種別：学術書

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高周波半導体材料・デバイスの新展開

監修, 奥村次徳（担当：共著）

シーエムシー出版 2006年8月

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記述言語：日本語著書種別：学術書

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最新シリコンデバイスと結晶技術

編集委員長, 清水博文（担当：共著）

リアライズ理工センター 2005年12月

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記述言語：日本語著書種別：学術書

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SIMOX

Editted by, Maria J.Anc（担当：共著）

The Institute of Electrical Engineers 2004年

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記述言語：英語著書種別：学術書

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21世紀版・薄膜作製応用ハンドブック

監修, 権田俊一（担当：共著）

（株）エヌ・ティー・エス 2003年4月

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記述言語：日本語著書種別：学術書

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赤外線加熱工学ハンドブック

監修, 小宮昌宏（担当：共著）

（株）アグネ技術センター 2003年

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記述言語：日本語著書種別：学術書

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Stress at the interface in SOI structure no.

（担当：共著）

Inspec publication 1998年

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記述言語：英語著書種別：学術書

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MISC

粉体ターゲットを用いたスパッタ法で作製したHfS2膜のH2Sアニールによる膜質改善

石川太一, 堀幸妃, 堀幸妃, 岡田直也, 横川凌, 横川凌, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年

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単結晶Siウェーハのテクスチャによる三次元柔軟性への影響

井手康貴, 西原達平, 西原達平, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 小林勇人, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年

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単結晶Siウェハーの表面構造が柔軟性に与える影響

原豊, 井手康貴, 西原達平, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年

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J-GLOBAL

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二次元層状材料を用いたキャリア選択コンタクト太陽電池の検討

築紫大河, 西原達平, 原知彦, 大下祥雄, 安野聡, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

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X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価

吉岡和俊, 小原田賢聖, 小笠原凱, 廣沢一郎, 渡辺剛, 横川凌, 横川凌, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年

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J-GLOBAL

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硬X線光電子分光測定による太陽電池のバンドアライメント評価-チャージアップ抑制手法の検討-

西原達平, 原知彦, 小島遥希, 築紫大河, 安野聡, 大下祥雄, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

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単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価 III

原豊, 横川凌, 横川凌, 西原達平, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年

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大面積集積化に向けたスパッタ堆積ノーマリーオフMoS2-nMISFETs

松浦賢太朗, 濱田昌也, 濱田拓也, 谷川晴紀, 坂本拓朗, 堀敦, 宗田伊理也, 川那子高暢, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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SixGe1-x/Ge薄膜のGe-K吸収端におけるDAFSスペクトルの測定と解析

藤原孝将, 吉岡和俊, 横川凌, 小椋厚志, 廣沢一郎

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web) 33rd 2020年

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J-GLOBAL

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逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における原子間隔分布の検討

廣沢一郎, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 横川凌, 横川凌, 須田耕平, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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J-GLOBAL

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マルチワイヤーソーで切断された薄型単結晶Siウエハの機械特性評価

小竹裕也, 長井俊樹, 河津知之, 小椋厚志, 大下祥雄, 宮下幸雄, 山田昇

日本機械学会北陸信越支部総会・講演会講演論文集(CD-ROM) 57th 2020年

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J-GLOBAL

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単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価 II

原豊, 横川凌, 横川凌, 西原達平, 神岡武文, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年

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単結晶Si太陽電池の薄型化へ向けたスライスダメージ評価

原豊, 横川凌, 横川凌, 大西康平, 神岡武文, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年

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J-GLOBAL

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逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造における歪緩和評価

高橋祐樹, 横川凌, 横川凌, 廣沢一郎, 須田耕平, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年

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J-GLOBAL

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3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

Saraya, Takuya, Itou, Kazuo, Takakura, Toshihiko, Fukui, Munetoshi, Suzuki, Shinichi, Takeuchi, Kiyoshi, Tsukuda, Masanori, Numasawa, Yohichiroh, Satoh, Katsumi, Matsudai, Tomoko, Saito, Wataru, Kakushima, Kuniyuki, Hoshii, Takuya, Furukawa, Kazuyoshi, Watanabe, Masahiro, Shigyo, Naoyuki, Wakabayashi, Hitoshi, Tsutsui, Kazuo, Iwai, Hiroshi, Ogura, Atsushi, Nishizawa, Shin-ichi, Omura, Ichiro, Ohashi, Hiromichi, Hiramoto, Toshiro

2019 31ST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 43 - 46 2019年

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記述言語：英語

Web of Science

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透明導電膜のスパッタリング堆積によるプロセスダメージの評価

金井皓輝, 西原達平, 神岡武文, 松崎淳介, 高橋明久, 清田淳也, 安野聡, 廣沢一郎, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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J-GLOBAL

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実験室系硬X線光電子分光法による埋もれた界面の化学結合状態評価

西原達平, 金井皓輝, 横川凌, 横川凌, 廣沢一郎, 安野聡, 大川登志郎, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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J-GLOBAL

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薄型フレキシブルSi太陽電池へ向けたスライスダメージ評価

大西康平, 横川凌, 横川凌, 西原達平, 神岡武文, 中村京太郎, 大下祥雄, 河津知之, 長井俊樹, 山田昇, 宮下幸雄, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年

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J-GLOBAL

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スパッタ法による2次元層状物質成長

日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 坂本拓朗, 濱田昌也, 若林整, 小椋厚志

日本表面真空学会学術講演会講演要旨集 2018 13 2018年11月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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共スパッタ法と硫化によって作製したMoS2(1-x)Te2x膜の構造評価

日比野祐介, 日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18a‐224B‐8 2018年9月

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記述言語：日本語

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液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGeラマンスペクトルのブロードピークを利用したGe濃度定量

横川凌, 横川凌, 小原田賢聖, 吉岡和俊, 石原聖也, 石原聖也, 臼田宏治, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18p‐235‐13 2018年9月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS2膜のラマン分光評価

小柳有矢, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.18a‐224B‐9 2018年9月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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大面積集積化に向けたスパッタMoS2薄膜を用いたTop‐Gate nMISFETs

松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19p‐233‐6 2018年9月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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共スパッタ法と(t‐C4H9)2S2を用いた硫化によるMoS2(1-x)Te2x混晶の成膜

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 小柳有矢, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐C202‐4 2018年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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Migration制御したスパッタリング法による2次元層状MoS2成膜

大橋匠, 坂本拓朗, 松浦賢太朗, 清水淳一, 外山真矢人, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 宗田伊理也, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.20a‐C202‐5 2018年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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少数キャリアライフタイムによる半導体プロセスの評価手法の提案

角嶋邦之, 星井拓也, 渡辺正裕, 執行直之, 古川和由, 更屋拓哉, 高倉俊彦, 伊藤一夫, 福井宗利, 鈴木慎一, 竹内潔, 宗田伊理也, 若林整, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 筒井一生, 平本俊郎, 大橋弘通, 岩井洋

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集(CD-ROM) 2018 2018年

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J-GLOBAL

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MoOx/SiO2界面のHAXPES分析

神岡武文, 神岡武文, 安野聡, LEE Hyunju, 小島拓人, 西原達平, 林豊, 中村京太郎, 大下祥雄, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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J-GLOBAL

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反応性プラズマ蒸着法によるITO/a-Si界面化学結合状態の硬X線光電子分光法による評価

西原達平, 小島拓人, 金井皓輝, 松村英樹, 神岡武文, 大下祥雄, 安野聡, 廣沢一郎, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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J-GLOBAL

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逆格子空間マッピングを用いたGe1-xSnxメサ構造の3軸歪評価

高橋祐樹, 横川凌, 横川凌, 廣沢一郎, 須田耕平, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年

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J-GLOBAL

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硬X線光電子分光法を用いたITO/a-Si界面特性の評価

西原達平, 小島拓人, 肥山卓矢, 松村英樹, 神岡武文, 大下祥雄, 安野聡, 廣沢一郎, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年

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J-GLOBAL

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逆格子空間マッピングによるGe1-XSnXメサ構造における異方的格子定数評価

廣沢一郎, 村上達海, 須田耕平, 高橋祐樹, 吉岡和俊, 横川凌, 横川凌, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年

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J-GLOBAL

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ZrO₂シード層がHf[x]Zr1-xO₂薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 (シリコン材料・デバイス)

女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 知京豊裕, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117 ( 260 ) 39 - 44 2017年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

CiNii Research

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DCバイアス印加による高温スパッタMoS2膜の硫黄欠損抑制

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C16‐6 2017年8月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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新規Te原料(i‐C3H7)2Teを用いたTe化によるMoTe2作製

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.6a‐C16‐1 2017年8月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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スパッタ堆積MoS2膜の下地材料依存性

大橋匠, 宗田伊理也, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.7p‐C11‐5 2017年8月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

researchmap
スパッタ堆積MoS2薄膜の表面粗さスケーリング解析による配向性評価

石原聖也, 石原聖也, 大野文太, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16p‐F203‐2 2017年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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新規モリブデン原料i‐Pr2DADMo(CO)3を用いたMoS2のMOCVD

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 町田英明, 大下祥雄, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐F203‐6 2017年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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同時スパッタ法とin‐situ熱処理で作製したMoS2(1-x)Te2xの評価

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐F203‐8 2017年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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同時スパッタ法と(t‐C4H9)2S2による硫化で作製したMo1-xWxS2の評価

日比野祐介, 石原聖也, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太朗, 町田英明, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15a‐F203‐7 2017年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力のパターンサイズ依存性評価

村上達海, 武内一真, 横川凌, 須田耕平, 石原聖也, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.14a‐318‐7 2017年3月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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分子動力学法を用いた2元系Ⅳ-Ⅳ族混晶半導体のフォノン物性の再現と予測 (シリコン材料・デバイス)

富田基裕, 小椋厚志, 渡邉孝信

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 ( 472 ) 61 - 66 2017年2月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

CiNii Research

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X線回折によるGe1-xSnx薄膜の組成深さ分布非破壊測定

廣沢一郎, 須田耕平, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム(Web) 30th 2017年

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J-GLOBAL

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(t‐C4H9)2S2を用いたMoS2薄膜作製およびS/Mo比の硫化条件依存

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.14p‐A33‐11 2016年9月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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スパッタMoS2膜に対する有機硫黄化合物を用いた硫化アニール効果

石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.14p‐A33‐10 2016年9月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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液浸ラマン分光法を用いたGe1-xSnxメサ構造における異方性2軸応力評価

村上達海, 武内一真, 横川凌, 須田耕平, 石原聖也, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.16a‐D61‐10 2016年9月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl₂O₃層が電気特性に及ぼす効果 (シリコン材料・デバイス)

女屋崇, 生田目俊秀, 澤田朋実, 栗島一徳, 澤本直美, 大井暁彦, 知京豊裕, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116 ( 118 ) 27 - 32 2016年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：電子情報通信学会

CiNii Research

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TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成

大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

電子情報通信学会技術研究報告 116 ( 118(SDM2016 32-47) ) 75‐78 2016年6月

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記述言語：日本語

J-GLOBAL

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S/Mo比増加によるMoS2膜の低キャリア濃度化

大橋匠, 松浦賢太朗, 石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20P-S422-2 2016年3月

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記述言語：日本語

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スパッタ堆積MoS2薄膜のXPSと光学コントラスト法による層数識別

石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 須田耕平, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.22A-S421-10 2016年3月

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液浸ラマン分光法によるSi基板上歪Si:C薄膜に印加された応力評価

山本章太郎, 武内一真, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20A-H112-9 2016年3月

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スパッタリング法と有機原料を用いた硫化アニールによる単層MoS2薄膜の作製

石原聖也, 日比野祐介, 澤本直美, 須田耕平, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15P-2U-7 2015年8月

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液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge1-xSnx薄膜の応力評価

武内一真, 山本章太郎, 横川凌, 澤本直美, 須田耕平, 石原聖也, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.13P-2W-11 2015年8月

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MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnxエピタキシャル成長(3)

須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 臼田宏治, 広沢一郎, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.13P-2W-10 2015年8月

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電子ビーム蒸着Mo薄膜の(t‐C4H9)2S2を用いた硫化による層状MoS2の形成

日比野祐介, 石原聖也, 澤本直美, 大橋匠, 松浦賢太郎, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15P-2U-6 2015年8月

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硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS2薄膜の結晶性向上

松浦賢太朗, 大橋匠, 石原聖也, 澤本直美, 日比野祐介, 須田耕平, 角嶋邦之, 筒井一生, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15P-1C-14 2015年8月

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Laparoscopic anterior pelvic exenteration for advanced sigmoid colon cancer - A video vignette

T. Akiyoshi, A. Ogura, M. Sakura, M. Ueno

Colorectal Disease 17 ( 5 ) 454 - 454 2015年5月

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掲載種別：速報，短報，研究ノート等（学術雑誌）

DOI： 10.1111/codi.12928

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スパッタ堆積MoS2膜の下地平坦化による電気特性向上

大橋匠, 山口晋平, 松浦賢太朗, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12P-A29-10 2015年2月

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記述言語：日本語

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大面積MoS2膜形成に向けたMoの硫化プロセスの検討

松浦賢太朗, 大橋匠, 山口晋平, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.13P-A23-1 2015年2月

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記述言語：日本語

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MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnxエピタキシャル成長(2)

須田耕平, 木嶋隆浩, 石原聖也, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.11A-D7-7 2015年2月

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記述言語：日本語

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結晶Si太陽電池の断面仕事関数測定に適した観察面研磨手法の検討

山田郁彦, 神岡武文, 大下祥雄, 神谷格, 須田耕平, 中村京太郎, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年

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Raman Spectroscopy Study of Crystalline Damage Induced by PECVD SiN

Y. Yamashita, N. Ikeno, N. Aizawa, T. Tachibana, Y. Ohshita, A. Ogura

2015 IEEE 42ND PHOTOVOLTAIC SPECIALIST CONFERENCE (PVSC) 2015年

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/PVSC.2015.7356320

Web of Science

Scopus

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Sr2SiO4ターゲットで作製したSr2SiO4膜組成のアニール温度依存性

今西啓司, 谷脇将太, 馬野光博, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年

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2種類のHigh-k材料とSiOxを用いた三色超構造の作製

三宅省三, 豊嶋祐樹, 上岡聡史, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd 2015年

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MOCVD法によるGeおよびGe1-xSnxのエピタキシャル成長

須田耕平, 石原聖也, 木嶋隆浩, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 114 ( 255(SDM2014 84-95) ) 41 - 45 2014年10月

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記述言語：日本語

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PLD法によるSr2SiO4多結晶体ターゲットを用いたSr2SiO4薄膜のSi基板上への作製

今西啓司, 谷脇将太, 堀田育志, 吉田晴彦, 新船幸二, 小椋厚志, 佐藤真一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-A11-11 2014年9月

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記述言語：日本語

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高温スパッタリング法によるMoS2膜の形成と電気特性

松浦賢太朗, 大橋匠, 山口晋平, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.18P-A16-13 2014年9月

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MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnxエピタキシャル成長

須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-A16-7 2014年9月

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高温スパッタリング法におけるMoS2薄膜化と電気特性

大橋匠, 山口晋平, 松浦賢太朗, 須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 角嶋邦之, 杉井信之, 西山彰, 片岡好則, 名取研二, 筒井一生, 岩井洋, 小椋厚志, 若林整

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.18P-A16-14 2014年9月

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MOCVD法によるGeエピタキシャル成長(2)

須田耕平, 石原聖也, 澤本直美, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-A16-6 2014年9月

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記述言語：日本語

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SrO終端のSi(100)2×1再構成基板上に成長したSrxSiOx+2薄膜の電気特性

谷脇将太, 今西啓司, 堀田育志, 吉田晴彦, 新船幸二, 小椋厚志, 佐藤真一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-A25-16 2014年9月

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記述言語：日本語

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ラマン分光法による高温スパッタ堆積MoS2膜の評価

石原聖也, 須田耕平, 澤本直美, 大橋匠, 山口晋平, 松浦賢太朗, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.18P-B3-5 2014年9月

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記述言語：日本語

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ミストCVD法により製膜したAlOx膜のパッシベーション性能

井口功嗣, 北野奨, 三木祥平, 小椋厚志, 吉田晴彦, 佐藤真一, 新船幸二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-A25-12 2014年9月

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記述言語：日本語

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結晶Si太陽電池表面パッシベーションにおける積層構造の検討

勝又隆晶, 池野成裕, 佐藤真一, 吉田晴彦, 新船幸二, 知京豊裕, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.18A-E12-6 2014年3月

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記述言語：日本語

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ポストアニール処理によるHfO2/SiOx/Si(100)構造のSiOxの膜厚制御

豊嶋祐樹, 澤本直美, 谷脇将太, 池野成裕, 堀田育志, 吉田晴彦, 新船幸二, 小椋厚志, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.20P-D6-8 2014年3月

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記述言語：日本語

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MOCVD法によるGeエピタキシャル成長

須田耕平, 石原聖也, 町田英明, 石川真人, 須藤弘, 大下祥雄, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.18P-F6-4 2014年3月

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記述言語：日本語

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微小角入射X線小角散乱及び広角散乱によるSiO2薄膜中の短距離秩序性の評価

永田晃基, 永田晃基, 徳武寛紀, 長坂将也, 小椋厚志, 廣沢一郎, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st 2014年

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SrxSiOx+2層の化学組成と膜中固定電荷の相関

谷脇将太, 豊嶋祐樹, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st 2014年

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ALD法で成膜したAlOxパッシベーションのバンド構造評価

池野成裕, 池野成裕, 山下祥弘, 陰地宏, 三木祥平, 新船幸二, 新船幸二, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 佐藤真一, 佐藤真一, 廣沢一郎, 知京豊裕, 小椋厚志, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年

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AlOx/Si前駆体のポストアニール処理によるAlOx/SiOx構造の作製

三宅省三, 豊嶋祐樹, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年

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液浸ラマン分光法による選択的イオン注入により作製された一軸歪SiGe/Siの異方性2軸応力評価

山本章太郎, 小瀬村大亮, 富田基裕, 富田基裕, 武内一真, 横川凌, 米倉瑛介, 澤野憲太郎, 野平博司, 小椋厚志

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年

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Structure Analyses of Room Temperature Deposited AlO

Sakai Chikako, Yamamoto Shunsuke, Urushibata Ko, Miki Shohei, Arafune Koji, Yoshida Haruhiko, Lee Hyun Ju, Ogura Atsushi, Ohshita Yoshio, Satoh Shin-ichi

Jpn J Appl Phys 52 ( 12 ) 122303 - 122303-5 2013年12月

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出版者・発行元：The Japan Society of Applied Physics

We studied the structure of ozone-based atomic layer deposited aluminium oxide (AlO<inf>x</inf>) films as a passivation layer for p-type crystalline silicon (c-Si) solar cells and focused on the differences in the structure by the production conditions of AlO<inf>x</inf>films. Carbon (C)-related groups such as methyl, hydroxyl, and carboxyl groups which originate from the aluminium source, trimethylaluminium, were only found in the AlO<inf>x</inf>film deposited at room temperature (RT-sample). By post-deposition thermal annealing (PDA), the C-related groups were desorbed from the film and a part of their space remained as voids. The C-related groups were not found in the films deposited at 200 or 300 °C (heated-samples) since they were desorbed during the deposition. Even though C-related groups did not exist in the both RT- and heated-samples after PDA, the structure of the AlO<inf>x</inf>film of the RT-sample was different from that of the heated-sample.

CiNii Research

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バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価 (シリコン材料・デバイス)

池野成裕, 永田晃基, 陰地宏, 廣沢一郎, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 ( 247 ) 33 - 36 2013年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

SiO_2/Si構造における界面準位の議論は、トランジスタの設計において最も重要なパラメータの一つである。界面準位の評価には、多くの場合、容量-電圧法(C-V)が用いられてきた。しかし、昨今の微細化により、その安定性が懸念されている。そこで我々は、バイアス印加光電子分光法(BA-HAXPES)を用いてSiO_2/Siにおける界面準位の評価を行った。その結果、Si表面の界面準位が光電子脱出の際に、強いトラップサイトとして作用することが明らかになった。また、界面準位の導出から高周波C-V法と良い一致を示した。

CiNii Research

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XPSを用いたHfO2/SiおよびY2O3/Siアニール界面の構造解析

豊嶋祐樹, 谷脇将太, 堀田育志, 吉田晴彦, 新船幸二, 小椋厚志, 佐藤真一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.19A-C7-7 2013年8月

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記述言語：日本語

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ミストCVD法により製膜したAlOx膜のパッシベーション特性

井口功嗣, 井口功嗣, 三木祥平, 今枝博紀, 今枝博紀, 酒井智香子, 吉田晴彦, 堀田育志, 小椋厚志, 佐藤真一, 新船幸二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.19A-A4-2 2013年8月

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記述言語：日本語

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HfO₂/Ge界面へのルチル型TiO₂挿入によるGeOx生成の抑制 (シリコン材料・デバイス)

小橋和義, 長田貴弘, 生田目俊秀, 山下良之, 小椋厚志, 知京豊裕

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113 ( 87 ) 25 - 28 2013年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO_2の効果を調べた。HfO_2とGeとの間にルチル型TiO_2を堆積させた結果、GeO_xの生成が効果的に抑制された。さらに、C-V測定において、小さなヒステリシス、EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。

CiNii Research

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太陽電池用多結晶Si中の小角粒界における鉄汚染の影響

船越正輝, 宮崎直人, 土屋佑樹, 立花福久, 大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.30A-A4-10 2013年3月

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記述言語：日本語

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室温堆積ALD-AlOx膜のパッシベーション特性に及ぼす初期酸化界面の影響

酒井智香子, 酒井智香子, 山本俊輔, 山本俊輔, 三木祥平, 三木祥平, 新船幸二, 新船幸二, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年

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Detection of oxidationinduced compressive stress in Si(100) substrate near the SiO2/Si interface with atomic-scale resolution

T. Suwa, K. Nagata, H. Nohira, K. Nakajima, A. Teramoto, A. Ogura, K. Kimura, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi

USB 2013年

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HfO2/SiO2及びY2O3/SiO2構造の作製条件最適化

豊嶋祐樹, 谷脇将太, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年

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Detection of Oxidation-Induced Compressive Stress in Si(100) Substrate Near the SiO2/Si Interface by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

Hiroshi Nohira, T. Suwa, K. Nagata, K. Nakajima, A. Teramoto, A. Ogura, K. Kimura, T. Muro, T. Kinoshita, S. Sugawa, T. Hattori, T. Ohmi

CD-ROM 111 - 112 2013年

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SrO/Si構造のアニール処理によって作製したSrSiOx層の化学組成

谷脇将太, 豊嶋祐樹, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年

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SrSiOx/Si構造の熱安定性と電気特性の評価

谷脇将太, 豊島祐樹, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年

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結晶シリコン太陽電池用a-SiNxパッシベーション特性の屈折率依存

山本俊輔, 山本俊輔, 漆畑孝, 漆畑孝, 酒井智香子, 酒井智香子, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 堀田育志, 堀田育志, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一, 新船幸二, 新船幸二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年

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UV照射によるALD-AlOx膜のパッシベーション特性変化

酒井智香子, 酒井智香子, 漆畑孝, 漆畑孝, 三木祥平, 三木祥平, 新船幸二, 新船幸二, 堀田育志, 堀田育志, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年

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低温CVD成膜されたSiO2における水素ラジカル処理の効果

土屋佑樹, 池野成裕, 山口拓也, 鈴木摂, 石橋啓司, 長田貴弘, 新船幸二, 吉田晴彦, 佐藤真一, 知京豊裕, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd ROMBUNNO.12A-F6-5 2012年8月

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記述言語：日本語

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強制汚染およびリンゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの挙動

宮崎直人, 土屋佑樹, 鮫島崇, 立花福久, 小島拓人, 大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.17P-B10-14 2012年2月

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記述言語：日本語

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水素ラジカル処理を用いたCVD‐SiO2のパッシベーション特性の改善と効果

土屋佑樹, 池野成裕, 山口拓也, 永田晃基, 立花福久, 鈴木摂, 石橋啓司, 新船幸二, 吉田晴彦, 佐藤真一, 知京豊裕, 小椋厚志

日本電子材料技術協会秋期講演大会講演概要集 49th 7 2012年

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記述言語：日本語

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SrSiOx/Si(100)界面に誘起される固定電荷の評価

堀田育志, 堀田育志, 今中淳弘, 豊嶋祐樹, 谷脇将太, 佐々木翼, 吉田晴彦, 吉田晴彦, 新船幸二, 新船幸二, 小椋厚志, 小椋厚志, 佐藤真一, 佐藤真一

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年

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微小角入射X線回折による熱酸化およびラジカル酸化SiO2薄膜中の結晶様構造の評価

永田晃基, 永田晃基, 山口拓也, 小椋厚志, 小金澤智之, 廣澤一郎, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd 2012年

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微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価

永田晃基, 永田晃基, 山口拓也, 小椋厚志, 小金澤智之, 廣澤一郎, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘

電子情報通信学会技術研究報告 112 ( 263(SDM2012 89-97) ) 2012年

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32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価

武井宗久, 橋口裕樹, 山口拓也, 小瀬村大亮, 永田晃基, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111 ( 249 ) 43 - 48 2011年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法は必ずしも確立していない。本研究では、まずラマン分光測定のための配線・ゲート電極の除去工程を開発し、市販32nm世代MOSFETのチャネルに印加された歪をラマン分光法およびNBD法により評価した。pMOSFETでは-3.75GPaと非常に大きな応力がチャネルに印加されていることが分かった。一方でnMOSFETでは、0.85GPaとpMOSFETに比べ小さな応力が印加されている。また、NBD測定からpMOSFETではチャネル中央に比べチャネル端で大きな歪が観測され、32nmにおいてもエッジ効果が存在することを明らかにした。nMOSFETでは一様な歪がチャネルに印加されていることが分かった。

CiNii Research

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アルミゲッタリングによる太陽電池用多結晶Si中の結晶粒界での少数キャリア再結合の挙動

宮崎直人, 土屋佑樹, 鮫島崇, 立花福久, 大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.1P-ZH-13 2011年8月

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記述言語：日本語

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太陽電池用多結晶Si中の小角粒界における金属不純物が少数キャリア再結合に与える影響

鮫島崇, 土屋佑樹, 宮崎直人, 立花福久, 大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.1P-ZH-7 2011年8月

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記述言語：日本語

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プラズマ酸化プロセスで作製されたSiO2膜の評価

山口拓也, 永田晃基, 永田晃基, 小椋厚志, 小金沢智之, 廣沢一郎, 壁義郎, 佐藤吉宏, 石塚修一, 廣田良浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2011年

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110禁制反射XRDを用いた原子レベルで平坦なSiO2/Si界面における歪の評価

永田晃基, 服部真季, 小瀬村大亮, 武井宗久, 小椋厚志, 小金澤智之, 廣澤一郎, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 大見忠弘

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 58th 2011年

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Verification of GeSbTe composition in the high aspect hole filled by Chemical Vapor Deposition

MACHIDA Hideaki, HORIIKE Takafumi, HAMADA Seiti, UNO Tomohiro, SAWAMOTO Naomi, SUDA Kohei, ISHIKAWA Masato, SUDO Hiroshi, OHSHITA Yoshio, OGURA Atsushi

Proc Symp Phse Chang Opt Inf Storage 23rd 64 - 68 2011年

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記述言語：英語

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歪みSiウェーハの歪み及び格子面傾斜揺らぎの放射光X線トポグラフィによる2次元分布測定

志村考功, 井上智之, 下川大輔, 細井卓治, 渡部平司, 小椋厚志

KEK Proceedings ( 2011-4 ) 2011年

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GeSbTe composition in minute hole filled by chemical vapor deposition for phase change memory

Hideaki Machida, Takafumi Horiike, Seiti Hamada, Tomohiro Uno, Naomi Sawamoto, Masato Ishikawa, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 260 - 261 2010年12月

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Channel strain analysis in damascene-gate pMOSFETs on Si (100) and (110) substrate by conventional and cross-sectional raman spectroscopy

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings 1194 80 - 85 2010年10月

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先端LSIにおけるチャネル歪評価

小椋厚志, 小瀬村大亮, 武井宗久, 富田基裕

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110 ( 241 ) 1 - 6 2010年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

歪Si技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとしてすでに実用化されているが、その詳細なメカニズムは必ずしも明らかにされていない。我々は、圧縮SiN膜および埋め込みSiGeによりpMOSFETのチャネル領域に印加された歪を評価した。ゲートラストプロセスで、ダミーゲート除去後のチャネルが露出した試料に対してラマン分光測定を行った。装置空間分解能(<200nm)を下回る微細なゲート長では、長時間測定とそしてピーク分離を用いた解析を行い、ナノ領域のチャネルに印加された歪測定に成功した。チャネル歪はゲート長が小さくなるにつれて増加して、Lg=30nmでは一軸性応力に換算して-2.4GPaと非常に大きな圧縮応力が印加されていた。一方、実際のLSIに導入されている歪は単純な一軸もしくは等方性二軸の歪とは異なり、複雑な様相を示すことがEBSPによる測定結果から予測される。従来ラマン分光法ではSi(100)基板に対してラマン選択則の制限からLOフォノンのみが励起可能であり、TOフォノンの励起が困難であった。しかし、高NA液侵レンズを利用することで、TOフォノンを励起することに成功し、異方性二軸歪の評価が可能となった。

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液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価

小瀬村大亮, 小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110 ( 241 ) 7 - 12 2010年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

ラマン分光法は、高い精度で応力が評価でき、比較的空間分解能も高く、非破壊の特徴を有する。このため、半導体デバイスの応力評価に多用されてきた。しかしながら、従来のラマン分光法における応力評価は、定性的な評価であると言わざるを得ない。つまり、測定で得られたSiのラマン波数シフトから応力に変換する際、なんらかの仮定が入っている。実際の複雑な応力場を評価してこそ、デバイス特性と比較し得る意味のある評価手法であると言える。そこで本研究では、従来のラマン分光法では不可能な、複雑な応力場の評価を達成することを目的とする。高NAの液浸ラマン分光法を用いて、Strained-Si on insulator(SSOI)のtransverse optical(TO)フォノンモード(禁制モード)を励起した。新たに励起したTOモードを利用して、SSOIのtransmission electron microscopy試料における、異方性2軸応力を評価した。さらに、応力緩和率を定量的に評価した。

CiNii Research

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結晶シリコン太陽電池パッシベーション膜の固定電荷制御

立花福久, 清田祐司, 鮫島崇, 岩下祐太, 知京豊裕, 吉田晴彦, 新船幸二, 佐藤真一, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st ROMBUNNO.15A-ZB-1 2010年8月

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記述言語：日本語

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太陽電池用多結晶Siにおける高温熱処理が少数キャリア再結合に与える効果

鮫島崇, 立花福久, 大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st ROMBUNNO.15P-ZB-4 2010年8月

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記述言語：日本語

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多結晶Si中の軽元素および析出物のミクロ分布

小野春彦, 加藤千尋, 石塚貴英, 新船幸二, 大下祥雄, 小椋厚志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th ROMBUNNO.18P-TG-2 2010年3月

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記述言語：日本語

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原子スケールで平坦なSiO2/Si界面極近傍における歪評価

服部真季, 小瀬村大亮, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 小金澤智之, 廣沢一郎

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th 2010年

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ELECTRICAL PROPERTIES AND BOUNDARY STRUCTURES IN CAST-GROWN POLYCRYSTALLINE SILICON

Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Tomihisa Tachibana, Atsushi Ogura, Masafumi Yamaguchi

35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 35th Vol.2 1419 - 1422 2010年

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/PVSC.2010.5614412

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プラズマ処理によりシュリンク率を抑制したSOG膜がSTIに誘起する応力の評価

水上雄輝, 永田晃基, 武井宗久, 赤松弘彬, 服部真季, 小瀬村大亮, 西田辰夫, 塩澤俊彦, 片山大介, 佐藤吉宏, 廣田良浩, 小金澤智之, 町田雅武, SON J., 廣澤一郎, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2010年

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原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価

服部真季, 小瀬村大亮, 小瀬村大亮, 武井宗久, 永田晃基, 赤松弘彬, 富田基裕, 水上雄輝, 橋口裕樹, 山口拓也, 小椋厚志, 諏訪智之, 寺本章伸, 服部健雄, 大見忠弘, 大見忠弘, 小金澤智之, 廣沢一郎

電子情報通信学会技術研究報告 110 ( 241(SDM2010 152-170) ) 2010年

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プラズマ処理によりシュリンク率を制御したSOG膜が誘起する応力の評価

永田晃基, 小瀬村大亮, 武井宗久, 赤松弘彬, 服部真季, 水上雄輝, 小椋厚志, 小金澤智之, 町田雅武, SON J., 廣澤一郎, 西田辰夫, 塩澤俊彦, 片山大介, 佐藤吉宏, 廣田良浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th 2010年

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放射光X線トポグラフィによる歪みSiウェーハの歪み及び格子面傾斜揺らぎの2次元分布測定

志村考功, 井上智之, 下川大輔, 細井卓治, 渡部平司, 小椋厚志

PFシンポジウム要旨集 27th 2010年

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太陽電池用多結晶Si基板中に存在するΣ9粒界の評価

増田純一, 立花福久, 大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th ( 2 ) 828 2009年9月

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記述言語：日本語

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ラマンピーク分離を用いたMOSFETの極微細(30nm‐200nm)チャネル歪測定

武井宗久, 小瀬村大亮, 永田晃基, 赤松弘彬, 黛哲, 黛哲, 山川真弥, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th ( 2 ) 803 2009年9月

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記述言語：日本語

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断面UV‐ラマン分光測定による高性能pMOSFETのチャネル歪評価

赤松弘彬, 武井宗久, 小瀬村大亮, 永田晃基, 山川真弥, 黛哲, 黛哲, 若林整, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th ( 2 ) 803 2009年9月

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記述言語：日本語

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太陽電池用多結晶Si基板の応力と結晶性の評価

立花福久, 増田純一, 福田晃司, 小椋厚志, 大下祥雄, 新船幸二

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 56th ( 3 ) 1500 2009年3月

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記述言語：日本語

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プラズマ処理によるSOG膜の熱処理後シュリンクの抑制メカニズム

永田晃基, 小瀬村大亮, 武井宗久, 赤松弘彬, 服部真季, 小椋厚志, 小金澤智之, 町田雅武, 孫珍永, 廣澤一郎, 塩澤俊彦, 片山大介, 佐藤吉宏, 廣田良浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th ( 2 ) 2009年

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放射光X線トポグラフィによる歪みSiウェーハの歪み及び格子面傾斜揺らぎの2次元分布測定

志村考功, 井上智之, 下川大輔, 細井卓治, 小椋厚志, 渡部平司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 56th ( 1 ) 2009年

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放射光X線トポグラフィによるSGOIウェーハの歪み及び格子面傾斜揺らぎの2次元分布測定

志村考功, 井上智之, 松宮拓也, 下川大輔, 細井卓治, 小椋厚志, 渡部平司

応用物理学会学術講演会講演予稿集 70th ( 1 ) 2009年

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歪Siナノワイヤトランジスタにおけるトランスコンダクタンスエンハンスメント

清家綾, 丹下智之, 佐野一拓, 杉浦裕樹, 土田育新, 太田洋道, 渡邉孝信, 小瀬村大亮, 小椋厚志, 大泊巌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108 ( 80 ) 35 - 39 2008年6月

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記述言語：日本語

CiNii Research

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太陽電池用多結晶Si基板の欠陥および不純物の評価

今井啓太, 田中聡志, 立花福久, 香川泰平, 増田純一, 小椋厚志, 大下祥雄, 新船幸二, 河合秀昭, 田島道夫, 井上雅晶

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th ( 1 ) 444 2008年3月

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記述言語：日本語

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放射光X線トポグラフィによる歪みSiウェーハの評価

志村考功, 井上智之, 岡本佑樹, 細井卓治, 小椋厚志, 江戸太樹, 飯田敏, 渡部平司

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th 2008年

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Study of Stress Effect on Replacement Gate Technology with Compressive Stress Liner and eSiGe for pFETs

S. Yamakawa, S. Mayuzumi, J. Wang, Y. Tateshita, H. Wakabayashi, T. Ohno, H. Ansai, D. Kosemura, M. Takei, A. Ogura

SISPAD: 2008 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 109 - + 2008年

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記述言語：英語

DOI： 10.1109/SISPAD.2008.4648249

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放射光X線トポグラフィによる12-inch sc-sSOIウェーハの結晶性評価

井上智之, 岡本佑樹, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司, 小椋厚志, 江戸太樹, 飯田敏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th ( 1 ) 2008年

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ラマン分光法による太陽電池用多結晶Si基板の評価(2)

田中聡志, 今井啓太, 小椋厚志, 大下祥雄, 新船幸二, 河合秀昭, 田島道夫, 井上雅晶

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 3 ) 1481 2007年9月

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記述言語：日本語

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ラマン分光法による太陽電池用多結晶Si基板の評価

田中聡志, 今井啓太, 小椋厚志, 大下祥雄, 新船幸二, 河合秀昭, 楠岡大, 田島道夫, 井上雅晶

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 3 ) 1505 2007年3月

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記述言語：日本語

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放射光を利用した太陽電池用多結晶シリコンの評価

大下祥雄, 新船幸二, 小椋厚志, 寺田靖子, 久芳聡子

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th ( 0 ) 2007年

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sc-SSOI(超臨界膜厚SSOI)基板の評価

吉田哲也, 小瀬村大亮, 掛村康人, 武井宗久, 斎藤博之, 小椋厚志, 志村考功, 小金澤智之, 広沢一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th ( 2 ) 2007年

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Evaluation of polycrystalline silicon for solar cells by small p-n diode array

Satoshi Tanaka, Keita Imai, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Koji Arafune, Hideaki Kawai, Futoshi Kusuoka, Michio Tajima, Masaaki Inoue

Materials Research Society Symposium Proceedings 974 13 - 18 2006年12月

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微小pnダイオードアレイによる太陽電池用多結晶Siの評価

田中聡志, 今井啓太, 小椋厚志, 大下祥雄, 新船幸二, 河合秀昭, 楠岡大, 田島道夫, 井上雅晶

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th ( 3 ) 1339 2006年8月

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記述言語：日本語

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In-plane X線回折法によるローカルおよびグローバル歪の評価

山崎浩輔, 小瀬村大亮, 掛村康人, 吉田哲也, 小椋厚志, 廣沢一郎, 北野彰子

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th ( 2 ) 2006年

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Nickel thin film deposition using Ni (PF <inf>3</inf>) <inf>4</inf> for LSI electrode

Masato Ishikawa, Hideaki Machida, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Proceedings - Electrochemical Society PV 2005-05 612 - 619 2005年12月

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シリコン材料の先端科学技術国際会議

小椋厚志

日本結晶成長学会誌 32 ( 2 ) 101 - 102 2005年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：日本結晶成長学会

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基板浮遊効果を抑制したゲート長60nm薄膜SOI‐MOSFET

山上滋春, KOH R, LEE J‐W, 若林整, 斎藤幸重, 小椋厚志, 新井浩一, 武村久, 最上徹

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 50th ( 2 ) 823 2003年3月

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記述言語：日本語

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Sub-10-nm Physical-gate length Planar-bulk-CMOS Devices

H. Wakabayashi, S. Yamagami, N. Ikegami, A. Ogura, M. Narihiro, K. Arai, Y. Ochiai, K. Takeuchi, T. Yamamoto, T. Mogami

Int. Electron Devices Meeting(IEDM) B21 969 2003年

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NiSi MOCVD for fabricating FinFETs and UTB-SOI devices

A Ogura, H Wakabayashi, M Ishikawa, T Kada, H Machida, Y Ohshita

2003 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE, PROCEEDINGS 70 - 71 2003年

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記述言語：英語

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せり上げ素子分離を用いたボディコンタクト構造をもつ薄膜SOI‐MOSFET

山上滋春, Kり昭, 若林整, LEE J‐W, 斎藤幸重, 小椋厚志, 成広充, 新井浩一, 最上徹

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd ( 2 ) 801 2002年9月

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記述言語：日本語

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陽電子消滅によるSOI(Si-on-insulator)基板の評価 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書平成13年度)

上殿明良, 小椋厚志, Chen Z.Q.

KURRI-KR ( 76 ) 135 - 140 2001年10月

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記述言語：日本語出版者・発行元：京都大学原子炉実験所

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Hf(NEt_2)_4を原料ガスとして用いたHfO_2薄膜の堆積

大下祥雄, 小椋厚志, 星野麻子, 鈴木淑恵, 町田英明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 101 ( 108 ) 31 - 36 2001年6月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

将来のゲート絶縁材料として期待されているHfO_2薄膜のCVD法による作成を目的として、テトラキス-ジエチルアミド-ハフニウム(Hf(N(C_2H_5)_2)_4)を合成した。本原料は、室温で液体であり、CVDプロセスに十分な高い蒸気圧を有している(7.5Torr/80℃)。保管時の安定性も良く、自然発火性はない。Hf(NEt_2)_4/O_2系を用いたLPCVD法により、Si基根上に堆積させたHfO_2薄膜はいずれも多結晶であった。膜中の残留不純物に関しては、成膜中に供給するO_2流量を増加させることにより残留C量が減少し、成膜温度を高くすることにより残留N量が減少した。埋め込み特性は、成膜温度の上昇に伴い改善され、今回の堆積条件下では、基板温度450℃において良好な埋め込み形状が得られた。

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X線回折法によるnovel SIMOXのBOX層の構造評価

志村考功, 細井卓治, 福田一徳, 梅野正隆, 小椋厚志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 62nd ( 2 ) 2001年

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X線回折法によるSIMOXのBOX形成過程の評価

細井卓治, 福田一徳, 志村考功, 梅野正隆, 小椋厚志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 48th ( 2 ) 2001年

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電圧印加エッチストップによる貼り合わせSOIの薄膜化

小椋厚志

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 95 ( 570 ) 75 - 81 1996年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人電子情報通信学会

貼り合わせSOI基板の支持基板とエッチング溶液間に電圧を印加して、KOHエッチングすることでSOI活性層の薄膜/均一化を行った。SOI活性層膜厚4±0.5μmの6インチ貼り合わせ基板を出発材料として、膜厚ばらつき±0.1μm以下の均一化を達成した。エッチング後の平均膜厚は印加電圧50〜75Vに対して、0.8〜2.6μmが得られた。エッチング中のリーク電流を低減することで、膜厚均一性は5インチ基板に対して、0.5μm±5%まで改善した。エッチストップには、エッチング中の電子の挙動が重要な役割を果たしていると考えられる。

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1995 IEEE International SOI Conference参加報告

小椋厚志

表面科学 17 ( 2 ) 111 - 111 1996年2月

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記述言語：日本語

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28p-YL-2 ラマン分光法によるSiクラスターの構造決定

小椋厚志

日本物理学会講演概要集. 年会 50 ( 2 ) 125 - 126 1995年3月

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記述言語：日本語出版者・発行元：一般社団法人日本物理学会

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NOVEL TECHNIQUE FOR SI EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH - TUNNEL EPITAXY

A OGURA, Y FUJIMOTO

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 19 ( 7 ) 52 - 53 1990年7月

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記述言語：英語掲載種別：研究発表ペーパー・要旨（国際会議）

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講演・口頭発表等

Characterictics variability of gate-all-around polycrystalline silicon nanowire transistors with width of 10nm scale

Ki Hyun Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, Toshiro Hiramoto

2017 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2017 2017年12月

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© 2017 JSAP. The polycrystalline silicon (poly-Si) gate-all-around (GAA) nanowire transistors with 10nm scale width were fabricated under precise width control. The nanowire width is 10nm scale. Measured characteristics show smaller threshold voltage and drain current variability than that of previously reported poly-Si nanowire transistors.

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A study on the evaluation method of glass frit paste for crystalline silicon solar cells

Mari Aoki, Takayuki Aoyama, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017 2017年1月

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© 2017 IEEE. Conductive paste degrades the solar cell performance due to the metallization. Silver crystallites at the interface may shunt the p-n junction, which degrades the cell performance. Besides, it is conceivable that glass frit itself should not effectively damage silicon, but there is no clear evidence for the proof. In this study, the 'floating contact method' proposed by R. Hoenig is used to evaluate the effects of glass frit by making the floating contacts with the glass frit. It is conclude that glass frit itself causes shunts and increases the saturation current, which corresponds carrier recombination beneath the glass frit contacts.

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Evaluation of SiNx passivation with plasma treatment for crystalline Si solar cell

T. Hiyama, T. Kojima, Y. Yamashita, A. Ogura

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017 2017年1月

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© 2017 IEEE. We investigated the SiNx passivation with post-and pre- plasma treatment for crystalline Si solar cell. The lifetime was improved by the plasma treatment in the N 2 or N 2 /NH 3 atmosphere after SiNx deposition. From the depth profile evaluation by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray reflectometry (XRR), we found the oxygen contamination at the SiNx/Si interface was removed and the film density profile was rearranged. Thus, the post- and pre- plasma treatment might improve the interface states and/or filed effect passivation.

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Effect of glass frit in metallization paste on the electrical losses in bifacial N-type crystalline silicon solar cells

Takayuki Aoyama, Mari Aoki, Isao Sumita, Yasushi Yoshino, Atsushi Ogura

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017 2017年1月

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© 2017 IEEE. N-type crystalline silicon can be expected to achieve high-efficiency compared with p-type one. For the n-type solar cells, silver/aluminum paste has been used as metallization for p + emitter, which induces loss in open circuit voltage (V oc ) of the cells. In this study, the effects of glass frit in the metallization paste on the loss in V oc are investigated, dividing the respective effects of the glass frit and the aluminum in the paste. The glass frit in the metallization paste decreases the V oc due to shunting of p-n junction and increasing recombination current, even if the paste contains no aluminum.

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Fabrication and performance analysis of a mechanical stack InGaP/GaAs//Si solar cell

Kan Hua Lee, Kyotaro Nakamura, Takefumi Kamioka, Nobuaki Kojima, Hyunju Lee, Li Wang, Kenji Araki, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, Masafumi Yamaguchi

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2017 2017年1月

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© 2017 IEEE. We present the measurement results and analyses of a InGaP/GaAs//Si mechanical stack four-terminal solar cell. From these results, we performed detailed discussions of the loss mechanisms and efficiency limits of InGaP/GaAs//Si mechanical stack solar cells.

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Evaluation of SiNx passivation with plasma treatment for crystalline Si solar cell

T. Hiyama, T. Kojima, Y. Yamashita, A. Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2016年11月

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© 2016 IEEE. We investigated the SiNx passivation with post- and pre-plasma treatment for crystalline Si solar cell. The lifetime was improved by the plasma treatment in the N2 or N2/NH3 atmosphere alter SiNx deposition. From the depth profile evaluation by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray reflectometry (XRR), we found the oxygen contamination at the SiNx/Si interface was removed and the film density profile was rearranged. Thus, the post- and pre-plasma treatment might improve the interface states and/or filed effect passivation.

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Photoluminescence characterization of Si crystals for microelectronic and photovoltaic devices

Michio Tajima, Gen Kato, Kei Nakagawa, Fumito Higuchi, Atsushi Ogura

15th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2015 2016年5月

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© 2015 Japan Society of Applied Physics - JSAP. We have demonstrated the effectiveness of the PL technique for quantifying donor and acceptor impurities and for analyzing dislocations and oxygen precipitates in Si. A clear explanation is given of the systematic variation of PL spectra depending on the donor and acceptor concentrations in Si at cryogenic temperatures. On the basis of this spectral variation we developed the PL method for quantitative impurity analysis. The JIS/SEMI standard method was extended to 1×1014 - 1×1017 cm-3 by raising the sample temperature. Further extension to 1×1018 cm-3 was proposed by utilizing the universal peak shift of the ICBE band. DA pair luminescence in highly doped and highly compensated Si allowed us to identify the species of impurities and to extract quantitative information by its intensity comparison with the ICBE band. We identified the origin of the 0. 8 eV band as the superposition of two dislocation-related components at approximately 0.79 and 0.94 eV, and one oxygen-precipitation-related component at about 0.87 eV. The presence of oxygen precipitates was confirmed by mass spectroscopy and by oxygen mapping after luminescence activation. Anisotropic properties expected for the dislocation-related component were revealed by polarized luminescence imaging.

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Raman spectroscopy study of crystalline damage induced by PECVD SiN

Y. Yamashita, N. Ikeno, N. Aizawa, T. Tachibana, Y. Ohshita, A. Ogura

2015 IEEE 42nd Photovoltaic Specialist Conference, PVSC 2015 2015年12月

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© 2015 IEEE. We investigated the crystalline damage induced by SiN passivation film deposited by conventional plasma enhanced chemical vapor deposition using Raman spectroscopy. From Raman peak shift and width, we evaluated the crystalline damage in the Si surface under the SiN film depending on the RF power and gas flow rate. We found the compressive stresses were induced in the Si surface and the stresses were larger with higher RF power and smaller SiH4 gas flow rate. The crystalline damage probed by the Raman spectroscopy could be decreased by reducing the RF power for the deposition.

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Evaluation of the silicon ingot with addition of SiCl\bf 4 in atmosphere during unidirectional solidification

Tomihisa Tachibana, Kuniyuki Sato, Hiroki Kusunoki, Shiro Sakuragi, Yoshio Ohshita, Haruhiko Ono, Atsushi Ogura

IEEE Journal of Photovoltaics 2014年3月

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Adding SiCl4 to the atmosphere during the growth of a crystal suppressed crystalline defects and impurities from the edge of silicon ingots. Crystalline silicon ingots with seed crystal were grown by using the unidirectional solidification technique. Most of the grain boundaries were inactive Σ3 in the ingot with the SiCl4 injection. There were no small-angle grain boundaries at the top and edge of ingots. The carbon concentration with SiCl 4 was decreased to less than half of that without the SiCl 4 injection. Carbon precipitation did not occur even at the surface of ingots and the surface of grown ingots had a metallic luster. © 2014 IEEE.

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Investigation on anti-reflection coating for high resistance to potential induced degradation

Ken Mishina, Atsufumi Ogishi, Kiyoshi Ueno, Takuya Doi, Kohjiro Hara, Norihiro Ikeno, Daisuke Imai, Tetsuya Saruwatari, Toshiharu Yamazaki, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Atsushi Masuda

Proceedings of the 20th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, AM-FPD 2013 2013年11月

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This paper is focusing on a relationship between potential induced degradation (PID) and characteristics of anti-reflection coating (ARC). The module, which has an ARC deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE-CVD) from Shimadzu Corporation, indicated high resistance to PID with keeping conventional refractive index. This ARC had a property of high conductivity and low oxygen concentration. © 2013 JSAP.

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Experimental study of tri-gate SOI-FinFET flash memory

Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'Uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2012年12月

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It is well known that 3D channel devices, such as double-gate (DG) and tri-gate (TG) FinFETs, provide excellent short-channel effect (SCE) immunity. Thus, the scaled 3D channel FinFET flash memories with oxide-nitride-oxide (ONO) charge trapping layers have actively been developed [1-3]. Very recently, we have also developed floating-gate (FG) type SOI-FinFET flash memories [4-7]. In this paper, we report the experimental results of the FG type SOI-FinFET flash memories including gate structure dependent of V t variability and SCE immunity. We also report the FinFET flash memories with split-gate and with an improved inter-poly dielectric (IPD) layer. © 2012 IEEE.

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Thin (<100μm) crystalline silicon solar cell fabrication using low cost feedstock and diamond wire slice technologies

Y. Ohshita, M. Aoki, T. Kojima, T. Tachibana, A. Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2012年11月

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Thin (less than 100μm) crystalline silicon solar cells were fabricated by using the low cost feedstock and diamond wire technologies. The polycrystalline silicon was produced by the zinc reduction process. The single crystal silicon ingot was obtained by the Cz method form this low cost silicon feedstock. Thin (<120μm) silicon wafers were sliced by the diamond multi-wiring technique. To avoid the breakage of such thin wafer during the cell production, some processes, such as screen print and firing, were improved, and the thin crystalline silicon solar cell was obtained. © 2012 IEEE.

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Behaviors of Fe and Ni at crystal defects in multi-crystalline silicon by intentional contamination and phosphorus gettering

N. Miyazaki, Y. Tsuchiya, T. Sameshima, T. Tachibana, T. Kojima, Y. Ohshita, K. Arafune, A. Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2012年11月

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We investigated behaviors of Fe and Ni at crystalline defects in multi-crystalline silicon by intentional contamination and phosphorus (P) gettering processes. After contaminations, EBIC contrasts became stronger at Σ27 and Random grain boundaries (GBs), and at small-grain boundaries (SA-GBs) with > 1°misorientation angles. After P gettering processes, EBIC contrasts recovered as low as those before metal contamination at most GBs and SA-GBs. However, some Σ27, Random GBs and SA-GBs with >1°misorientation angle remain high contrast. Defect properties such as boundary orientations or tilt and twist components consisting misorientation angles might affect on the minority carrier recombination. © 2012 IEEE.

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Ion shower doping for emitter fabrication in crystalline Si solar cells

H. Hashiguchi, T. Tachibana, M. Aoki, T. Kojima, Y. Ohshita, A. Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2012年11月

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We propose ion shower doping technique to fabricate selective emitter structure solar cells. This technique provides large beam area and therefore high through-put. We used the technique to form emitter layer and also selective emitter parts for solar cell devices. From the results, it was confirmed the good electrical properties with uniform conversion efficiency in the wafers. There were no doping damage or contamination observed. In addition, the conversion efficiency of selective emitter cell showed higher than that of conventional cell. We believe that ion shower doping technique is useful to form emitter layer as well as selective emitter parts. © 2012 IEEE.

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Correlation between carbon incorporation and defect formation in quasi-single crystalline silicon

Yuki Tsuchiya, Hiroki Kusunoki, Naoto Miyazaki, Takashi Sameshima, Tomihisa Tachibana, Takuto Kojima, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Haruhiko Ono, Atsushi Ogura

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2012年11月

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We investigated the correlation between C incorporation and defect generation in quasi-single crystalline silicon ingots. The substitutional carbon concentration and etch pit density in the ingot fabricated with atmosphere control to suppress C incorporation were much lower than those in the ingot fabricated without controll. In addition, the precipitates consisted of C, N and Si were confirmed in the ingot fabricated without control. After the precipitation, small-angle grain boundaries (SA-GBs) were generated. We consider that the precipitation were the origin of SA-GBs, therefore the crystalline defect density can be decreased by reducing the incorporation of C impurities during crystal growth. © 2012 IEEE.

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Comparative study of tri-gate- and double-gate-type poly-Si fin-channel split-gate flash memories

Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2012 2012年10月

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The tri-gate (TG)- and double-gate (DG)-type poly-Si fin-channel split-gate flash memories with a thin n +-poly-Si floating-gate (FG) have successfully been fabricated, and their electrical characteristics including the variations of threshold voltage (Vt) and S-slope have been comparatively investigated. It was experimentally found that better short-channel effect (SCE) immunity, smaller V t variations, and a higher program speed are obtained in the TG-type flash memories than in the DG-type memories. Moreover, it was also confirmed that over-erase is effectively suppressed by split-gate structure. © 2012 IEEE.

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Characterization of anisotropic strain relaxation after mesa isolation for strained SGOI and SiGe/Si structure with newly developed high-NA and oil-immersion Raman method

Koji Usuda, Daisuke Kosemura, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura, Tsutomu Tezuka

2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting, ISTDM 2012 - Proceedings 2012年7月

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We have investigated strain relaxation of strained SiGe layers after mesa isolation with a newly developed Raman method with a high number aperture (NA) lens and an immersion technique. It was confirmed that forbidden optical phonon mode (TO) can be effectively excited with the high-NA (1.4) lens and oil immersion technique, and that the non-destructive, and anisotropic strain measurement was successively realized for the strained-SiGe layers. On the other hand, it was found that the strain was more significantly relax in St-SGOI mesas than in St-SiGe mesas. The result implies that the relaxation mechanism in the strained SiGe/Si layer is different from that in St-SGOI layer. © 2012 IEEE.

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Influence of fin height on poly-Si/PVD-TiN stacked gate FinFET performance

T. Hayashida, K. Endo, Y. X. Liu, S. O'uchi, T. Matsukawa, W. Mizubayashi, S. Migita, Y. Morita, H. Ota, H. Hashiguchi, D. Kosemura, T. Kamei, J. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, M. Masahara

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2011年12月

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We experimentally investigated the device performance of n +- poly-Si/PVD-TiN stacked gate FinFETs with different H fin's. It was found that mobility enhances in the tall H fin devices due to the increased tensile stress. However, as L g decreases, I on for tall H fin case becomes worse probably due to high R sp. It was also confirmed that V th variation increases with increasing H fin due to the rough etcing of fin sidewall. © 2011 IEEE.

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Comparative study of tri-gate flash memories with split and stack gates

T. Kamei, Y. X. Liu, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2011年12月

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The functional tri-gate flash memories with splitgate have been demonstrated for the first time, and its V t variabilities before and after one P/E cycle have be systimetically compared with stack-gate ones. It was confirmed that split-gate shows smaller V t distribution after erase and excellent over-erase immunity compared to those of stack-gate. Moreover, it was found that BV DS is higher than 3.2 V even L gc was down to 76 nm. This indictes that tri-gate is useful for scaled NOR flash. © 2011 IEEE.

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Variability analysis of scaled poly-Si channel FinFETs and tri-gate flash memories for high density and low cost stacked 3D-memory application

Y. X. Liu, T. Mastukawa, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Sakamoto, M. Masahara, T. Kamei, T. Hayashida, A. Ogura

European Solid-State Device Research Conference 2011年12月

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The threshold voltage (Vt) in scaled poly-Si channel FinFETs and tri-gate flash memories with poly-Si floating gate (FG) was systematically compared with crystal channel ones, for the first time. It was found that some superior Id-Vg characteristics are observed in the scaled poly-Si channel FinFETs with gate length (Lg) down to 54 nm or less. The standard deviation of Vt (σVt) of poly-Si channel FinFETs was 3 times higher than that of crystal channel ones at the same gate oxide thickness (Tox). However, the σVt of poly-Si channel tri-gate flash memories after one program/erase (P/E) cycle became comparable to that of crystal channel ones. Moreover, it was found that punch-through voltage of the poly-Si channel tri-gate flash memory is as high as 4.6 V even Lg was down to 76 nm. © 2011 IEEE.

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Composition control of Ge <inf>x</inf>Sb <inf>y</inf>Te <inf>z</inf> film for PCRAM application by chemical vapor deposition

Takafumi Horiike, Seiti Hamada, Tomohiro Uno, Hideaki MacHida, Masato Ishikawa, Hiroshi Sudo, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura

2011 11th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium, NVMTS 2011 2011年12月

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This paper describes chemical vapor deposition (CVD) of GeSbTe (GST) film for fabricating phase change memory, especially for the back end of line memory application. We successfully controlled the film composition including stoichiometric Ge 2Sb 2Te 5 by changing deposition conditions. The deposited films had a significantly smooth surface and it was possible to fill a high aspect hole. The mechanism to control the film composition in a high aspect hole is discussed in detail based on the precursor interferences experiment in the cavity. © 2011 IEEE.

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Microscopic electrical characterization of fixed-charge-controlled passivation films for Si solar cells

J. Fujieda, R. Matsutani, J. Hamano, H. Yoshida, K. Arafune, S. Satoh, T. Tachibana, N. Ikeno, H. Lee, A. Ogura, T. Chikyow

IMFEDK 2011 - 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2011年8月

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A scanning capacitance microscopy (SCM) has been applied to the electrical characterization of passivation films for crystalline Si solar cells. An Y 2O3-Al2O3 system, which is a binary composition spread oxide film, was used as a fixed-charge-controlled passivation film. The flat-band voltages of the Y2O3-Al 2O3 system were determined from microscopic C-V curves measured by the SCM. The result was in agreement with that of a conventional C-V method. Additionally, the dV/dC images measured by the SCM were investigated for visualizing the spatial distribution of interface trap density. © 2011 IEEE.

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Optimization of RTA process for PVD-TiN gate FinFETs

Y. X. Liu, T. Kamei, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, T. Matsukawa, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2010年12月

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Electrical properties and boundary structures in cast-grown polycrystalline silicon

Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Tomihisa Tachibana, Atsushi Ogura, Masafumi Yamaguchi

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 2010年12月

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Annealing effects on grain boundaries (GBs) in polycrystalline Si (pc-Si) was studied using electron-beam-induced current (EBIC) measurement. Recombination velocities were determined for different boundary structures. Investigated boundary structures were electrically active Σ3, Σ9, Σ27a, and small angle (SA) boundaries. Recombination velocity at SA boundary is greater by an order than those of CSL boundaries. Compared between CSL boundaries in the as-grown wafer, the recombination velocities are greater in higher sigma numbers of GBs. The electrically active Σ3 boundary was revealed to consist of two or more twin boundaries with dislocations. Recombination velocities at GBs except Σ27a decreased after annealing at 600 to 800°C. It is suggested that metal impurities diffused out from GBs at these temperatures. After annealing at 1000 °C, recombination velocities of all the GBs drastically increased. Precipitation and increase in Secco-etch pit size were observed after annealing. © 2010 IEEE.

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Fin-height controlled PVD-TiN gate FinFET SRAM for enhancing noise margin

Y. X. Liu, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, K. Sakamoto, T. Matsukawa, M. Masahara, T. Kamei, T. Hayashida, A. Ogura

2010 Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 2010 2010年12月

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PVD-TiN gate FinFET SRAM half-cells with different β-ratios and fin-height controlled transistors have successfully been fabricated using orientation-dependent wet etching and selective recess RIE. It was found that read static noise margin (SNM) increases significantly by controlling β from 1 to 2. With further increasing β, read SNM increases slightly. On the other hand, write margin shows weak dependence on β. By controlling the fin-heights of pass-gate (PG) and pull-up (PU) transistors to one-half pull-down (PD) transistors, i.e., β = 2, the read SNM was enhanced from 133 to 185 mV at VDD = 1 V. Scaled recess areas down to 103 nm square for low-fins have successfully been fabricated by optimized electron-beam lithography and RIE. The developed fin-height controlled technology is very useful for the fabrication of scaled SRAM without cell area increment. © 2010 IEEE.

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Stress tensor measurements by Raman spectroscopy with high-numerical- aperture immersion lens

D. Kosemura, A. Ogura

AIP Conference Proceedings 2010年12月

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Evaluation of heavily doped poly-Si thin films recrystallized by excimer laser annealing using UV/visible Raman spectroscopy

Takashi Kubo, Daisuke Kosemura, Atsushi Ogura, Toshiharu Suzuki, Takashi Noguchi

AIP Conference Proceedings 2010年12月

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GeSbTe composition in minute hole filled by chemical vapor deposition for phase change memory

Hideaki Machida, Takafumi Horiike, Seiti Hamada, Tomohiro Uno, Naomi Sawamoto, Masato Ishikawa, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2010年12月

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Low resistive ALD TiN metal gate using TDMAT precursor for high performance MOSFET

T. Hayashida, K. Endo, Y. X. Liu, T. Kamei, T. Matsukawa, S. Ouchi, K. Sakamoto, J. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, M. Masahara

2010 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2010 2010年10月

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We have demonstrated the effect of the resistivity reduction of the ALD-TiN film using TDMAT precursor by modifying the NH3 process (both initial exposure and PDA processes). It was found that the resistivity of the ALD TiN was significantly reduced by extending tNH3 and increasing TPDA by 700°C. Moreover, by employing the NH3 PDA, an increase in TiN peak intensity was detected from Ti 2p by XPS analysis and Ti : N ratio of approximately 1:1 was achieved. As a result of the evaluation of the electrical characteristics of TiN-gate MOSFETs, superior performance was achieved in the case of ALD TiN.

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On the gate-stack origin threshold voltage variability in scaled FinFETs and Multi-FinFETs

Y. X. Liu, K. Endo, S. O'uchi, T. Kamei, J. Tsukad, H. Yamauchi, Y. Ishikawa, T. Hayashida, K. Sakamoto, T. Matsu Kawa, A. Ogura, M. Masahara

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 2010年10月

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The Vt variability in scaled FinFETs with gate length (L g) down to 25 nm was systematically investigated, for the first time. By investigating the gate oxide thickness (Tox) dependence of Vt variation (VTV), the gate-stack origin, i.e., workfunction variation (WFV) and gate oxide charge (Qox) variation (OCV) origin VTV were successfully separated. It was found that the atomically flat Si-fin sidewall channels fabricated by using the orientation dependent wet etching contribute to, not only the reduction of fin thickness (TSi) fluctuations, but also the reduction of gate-stack origin VTV. Moreover, it was experimentally found that the Vt of multi-FinFETs with the same gate area reduces with increasing the number of fins. © 2010 IEEE.

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Channel strain analysis in damascene-gate pMOSFETs on Si (100) and (110) substrate by conventional and cross-sectional raman spectroscopy

Munehisa Takei, Daisuke Kosemura, Kohki Nagata, Hiroaki Akamatsu, Satoru Mayuzumi, Shinya Yamakawa, Hitoshi Wakabayashi, Atsushi Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings 2010年10月

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Channel strain in damascene gate pMOSFETs with compressive stress liner (c-SL) and embedded SiGe (eSiGe) were studied by micro-Raman spectroscopy with a quasi-line-shape UV excitation (λ=363.8nm). The channel strain profiles were obtained by the conventional measurement from the surface after dummy gate removal. The compressive strains at the channel edges were larger than that at the channel center for the relatively long gate length (Lgate). As the Lgate became smaller, although it became hard to recognize the strain profile, the compressive strain at the channel center increased by the superposition of the strain at the channel edges. However, channel strain disappeared in the measurement data for the channel length less than 160 nm. Thus, we extended the laser exposure time from 10 to 40 minutes to extract the channel strain component from obtained Raman spectra. The Raman peaks consisted of two or three peaks for the Lgate less than 160 nm. By multi peak fitting, we have succeeded in measuring the extremely large stress of - 2.4 GPa in the channel of Lgate = 30 nm pMOSFET. We also performed the cross-sectional measurements for the samples before and after metal-gate/high-k gate stack formation. Channel strain profiles were obtained similar to those by the conventional measurement. Extremely high device performance can be clearly explained by the compressive stress derived from the Raman measurements both in the Lgate dependence and eSiGe effect. We also demonstrated that Raman spectroscopy using cross-sectional measurement can evaluate the channel strain even in the MOSFETs after gate stack formation. © 2010 Materials Research Society.

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Nanoscale TiN wet etching and its application for FinFET fabrication

Y. X. Liu, T. Kamei, K. Endo, S. O'uchi, J. Tsukada, H. Yamauchi, T. Hayashida, Y. Ishikawa, T. Matsukawa, K. Sakamoto, A. Ogura, M. Masahara

2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09 2009年12月

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The nanoscale TiN wet etching and its application for FinFET fabrication have been systematically investigated. It is experimentally found that the TiN side-etching can be controlled to be half of TiN thickness with precise time control. By using the developed nanoscale TiN wet etching technique, sub-30-nm physical gate length FinFETs, 100-nm tall fin CMOS inverters and SRAM half-cells have successfully been fabricated. These experimental results indicate that the developed nanoscale TiN wet etching technique is very useful for the tall fin CMOS fabrication. ©2009 IEEE.

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Logic gate threshold voltage controllable single metal gate FinFET CMOS inverters implemented by using co-integration of 3T/4T-FinFETs

Y. X. Liu, T. Sekigawa, T. Hayashida, T. Matsukawa, K. Endo, S. O'Uchi, K. Sakamoto, K. Ishii, T. Tsukada, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, A. Ogura, H. Koike, E. Suzuki, M. Masahara

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2008年12月

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Study of stress effect on replacement gate technology with compressive stress liner and eSiGe for pFETs

S. Yamakawa, S. Mayuzumi, J. Wang, Y. Tateshita, H. Wakabayashi, T. Ohno, H. Ansai, D. Kosemura, M. Takei, A. Ogura

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2008年12月

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The stress effect at the channel region of pFETs with compressive stress liner (c-SL) and eSiGe using replacement gate technology is firstly investigated in detail based on the combination of UV-Raman spectroscopy and 3D stress simulation. The gate length effect for the channel stress is confirmed by measurement and simulation. Moreover, the Ion dependence on the channel width is also investigated. It is found that the lateral stress along the channel is enhanced at the edge beside STI, resulting in high Ion at narrow gate width region. ©2008 IEEE.

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Chemical vapor deposition of Ni-Pt thin film using Pt(PF<inf>3</inf>) <inf>4</inf> and Ni(PF<inf>3</inf>)<inf>4</inf>

S. Imai, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2008年11月

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We have previously proposed tetrakis(trifluorophosphine)nickel (0); Ni(PF3)4 as a nickel CVD precursor and deposited Ni and Ni-silicide films with a good step coverage quality. In this study, we propose tetrakis(trifluorophosphine)platinum (0); Pt(PF3)4 as Pt precursor that has the same ligand as Ni(PF3)4, and deposited Pt and Ni-Pt alloy. Pt and Ni-Pt alloy have been deposited by CVD using Pt(PF3)4 and Ni(PF3)4 gas system. Pt film has been deposited at low temperatures (180 °C∼) by using the precursor. Deposited Pt film show good step coverage quality and the amount of residual phosphorus and fluorine atoms in the films determined by XPS were less than detection limits (1%). Ni-Pt alloy has been also deposited with simultaneous supply of Pt(PF3)4 and Ni(PF 3)4. The Pt/Ni ratio in the film can be controlled by changing the Pt/Ni molar ratio in the source gas. Therefore, we would conclude that we were successful in Pt and Ni-Pt alloy deposition using Pt(PF 3)4 and Ni(PF3)4 as CVD precursors. © 2008 Materials Research Society.

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Transconductance enhancement of Si nanowire transistors by oxide-induced strain

A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, I. Tsuchida, H. Ohta, T. Watanabe, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari

Proceedings - 2008 IEEE International Conference on Integrated Circuit Design and Technology, ICICDT 2008年9月

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Transconductance (gm) enhancement in n-type and p-type nanowire field-effect-transistors (nwFETs) is demonstrated by introducing controlled tensile strain into channel regions by pattern dependant oxidation (PADOX). Values of gm are enhanced relative to control devices by a factor of 1.5 in p-nwFETs and 3.0 in n-nwFETs. Strain distributions calculated by a three-dimensional molecular dynamics simulation reveal predominantly horizontal tensile stress in the nwFET channels. The Raman spectra features in the strain controlled devices display an increase in the full width half maximum, and a shift to lower wavenumber confirming that gm enhancement is due to tensile stress introduced by the PADOX approach. © 2008 IEEE.

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New analysis of heavily doped boron and arsenic in shallow junctions by x-ray photoelectron spectroscopy

K. Tsutsui, M. Watanabe, Y. Nakagawa, T. Matsuda, T. Yoshida, E. Ikenaga, K. Kakushima, P. Ahmet, H. Nohira, T. Maruizumi, A. Ogura, T. Hattori, H. Iwai

ESSDERC 2008 - Proceedings of the 38th European Solid-State Device Research Conference 2008年1月

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Chemical bonding states of boron (B) in shallow P+/N junctions were studied by soft X-ray photoelectron spectroscopy (SXPES). The concentration profiles of B having different binding energies were successfully determined the SXPES combined with the step-by-step etching of Si substrates. The concentration profiles of B having the lowest binding energy can be assigned as activated B, which agreed quite well with those of holes determined by the Hall measurements, while those having the middle and highest binding energies must be attributed to deactivated B. Effects of the spike-RTA and flush lamp annealing (FLA) were compared regarding the concentration profiles of B and UV Raman spectroscopy. Arsenic (As) doped layers were also studied by the X-ray photoelectron spectroscopy and the two different bonding states were revealed for As atoms embedded in Si substrates. © 2008 IEEE.

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Evaluation of SOI substrates with local or global strain by means of in-plane XRD measurement

Daisuke Kosemura, Kosuke Yamasaki, Satoshi Tanaka, Yasuto Kakemura, Tetsuya Yoshida, Atsushi Ogura

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2007年12月

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ΚΚΚThe SOI substrates with local or global strain were evacuated by in-plane XRD (X-ray diffraction) measurement. SOI substrates with local strain, i.e. SOI substrate with SiN capping layer, had good crystal quality with sharp XRD spectra; however the strain was very small. On the contrary, SOI with global strain such as SGOI and SSOI had large strain, but the crystal qualities were very poor showing significantly wide and occasionally multiple peaks in XRD spectra. © 2006 IEEE.

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Properties of chemical reaction during Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF<inf>3</inf>)<inf>4</inf>and Si<inf>3</inf>H<inf>8</inf>

M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2006年12月

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NiSixfilms were deposited using chemical vapor deposition (CVD) with a Ni(PF3)4and Si3H8/H2gas system. The step coverage of deposited NiSixwas investigated using a horizontal type of hot-wall low pressure CVD reactor, which maintained a constant temperature throughout the deposition area. The step coverage improved as a function of the position of the gas flow direction, where PF3gas from decomposition of Ni(PF3)4increased. By injecting PF3gas into the Ni(PF3)4and Si3H8/H2gas system, the step coverage markedly improved. This improvement in step coverage naturally occurred when PF3gas was present, indicating a strong relationship. The Si/Ni deposit ratio at 250°C is larger than the ratio at 180°C. It caused a decreasing relative deposition rate of Ni to Si. PF3molecules appear to be adsorbed on the surface of the deposited film and interfere with faster deposition of active Ni deposition species. © 2007 Materials Research Society.

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W-CVD using bisisopropylcyclopentadienyltungstendihydride

S. Imai, T. Kagawa, H. Kurozaki, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2006年12月

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W is one of the most popular refractory metals and is widely used as a LSI component. Although WF6 is well known as a W-CVD precursor, the molecule contains fluorine atoms. The fluorine atoms may degrade the underlying layer for some specific applications such as metal gate electrode fabrication for future MOSFETs. We propose bisisopropylcyclopentadienyltungstendihydride; (i-PrCp)2WH2 as a W precursor. This precursor have neither fluorine nor oxygen atoms in its molecule. In this paper, we studied the possibility of W-CVD using (i-PrCp)2WH2 as a precursor. The W film deposition was demonstrated using an LPCVD system. © 2007 Materials Research Society.

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Evaluation of polycrystalline silicon for solar cells by small p-n diode array

Satoshi Tanaka, Keita Imai, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita, Koji Arafune, Hideaki Kawai, Futoshi Kusuoka, Michio Tajima, Masaaki Inoue

Materials Research Society Symposium Proceedings 2006年12月

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A small p-n diode array was fabricated on a polycrystalline Si substrate and the electrical characteristics were measured for each small diode to evaluate the distribution of energy conversion efficiency in the substrate. The crystal qualities in conjunction with the electrical characteristics were also evaluated. We found large variations in measuring the current-voltage (I-V) characteristics of the p-n diode. We also observed variations in quality even in diodes without any grain boundaries at the p-n junction. Therefore, we evaluated crystalline quality using various techniques to compare the diode characteristics. We found clear evidence in photoluminescence (PL) mapping, where grains, including degraded diodes, were darker in the mapping, implying lower PL intensities than the others. The PL spectra obtained from the "dark grains" included D-lines indicating the existence of dislocations. We could conclude that the electrical characteristics of p-n diodes were not only affected by grain boundaries but also by crystalline defects evaluation such as dislocations. We observed a surface after Secco-etching [1] for crystalline defects evaluation using an optical microscope. The origins of etch pits were also determined by transmission electron microscope (TEM) and three different types of defects were confirmed. © 2007 Materials Research Society.

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X-ray photoelectron spectroscopy study on SiO_2_ formed on several orientated c-Si in high pressure water vapo

International Workshop on, DIELECTRIC THIN FILMS, FOR FUTURE ULSI DEVICES, SCIENCE AND TECHNOLOGY (Kawasaki, N. Yamamoto, S. Tanakak, H. Sai, R. Imai, E. Ikenaga, I. Hirosawa, Y. Ohshita, A. Ogura

2006年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of polycrystalline silicon for solar-cells by small p-n diode array

Fall Meeting of, The Material research Society (Boston, S. Tanaka, K. Imai, A. Ogura, K. Arafune, H. Kawai, F. Kusuoka, Y. Ohshita, M. Inoue, M. Tajima

2006年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of Polycrystalline Silicon for Solar Cells by Small p-n Diode Array

Fall Meeting of, The Material research Society (Boston, S. Tanaka, K. Imai, A. Ogura, K. Arafune, H. Kawai, F. Kusuoka, Y. Ohshita, M. Inoue, M. Tajima

2006年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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SiO2/Si Interfacial Lattice Strain Revealed by Extremely Asymmetric X-ray Diffraction

International Workshop on, DIELECTRIC THIN FILMS, FOR FUTURE ULSI DEVICES, SCIENCE AND TECHNOLOGY (Kawasaki, H. Yoshida, K. Akimoto, Y. Ito, T. Emoto, N. Yamamoto, Y. Ohshita, A. Ogura

2006年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of SOI substrates with local or global strain by means of in-plane XRD measurement

IEEE International, SOI Conference, Niagara Falls, D. Kosemura, K. Yamasaki, S. Tanaka, Y. Kakemura, T. Yoshida, A. Ogura

2006年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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W-CVD using biscyclopentadienyltungsten system

Advanced Metallization Conference, US Session, San Diego, S. Imai, T. Kagawa, H. Kurozaki, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H, Machida

2006年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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W-CVD using (i-PrCp)_2_WH_2_

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, S. Imai, T. Kagawa, H. Kurozaki, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of crystal quality of multicrystalline silicon for solar cells by p-n diode array

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, S. Tanaka, K. Imai, A. Ogura, K. Arafune, H. Kawai, F. Kusuoka, Y. Ohshita, M. Inoue, M. Tajima

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Analysis of Multicrystalline Silicon Wafers for Solar Cells by Photoluminescence Mapping and Spectroscopy

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, M. Inoue, H. Sugimoto, M. Tajima, Y. Ohshita, A. Ogura

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of strained-Si substrates by means of UV-Raman spectroscopy

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, K. Yamasaki, D. Kosemura, Y. Kakemura, T. Yoshida, A. Ogura

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of strain at Si_3_N_4_/Siinterface by In-plane X-ray deffraction and UV-Raman spectroscopy

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, Y. Kakemura, K. Yamasaki, D. Kosemura, T. Yoshida, A. Ogura

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Measurement of strain at HfsiO(N)/Si interface by UV Raman Spectroscopy

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, T.Yoshida, D. Kosemura, K. Yamasaki, H. Kurozaki, A. Ogura

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Properties of chemical reaction during Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8

Advanced metallization Conference, Asian SessionI. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y.Ohshita

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Photoluminescence characterization of defects in multi-crystalline silicon wafers

t European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, Germany, H. Sugimoto, M. Inoue, M. Tajima, Y. Ohshita, A. Ogura

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Relative oxidation rates of various oriented silicon substrates in high-pressusre water vapor

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, N. Yamamoto, R. Imai, H. Suzuki, Y. Ohshita, A. Ogura

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Properties of Ni and Ni-silicide deposition using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8_

International Workshop, on, sustenable enrgy and, material, Tokyo, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y.Ohshita

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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W-CVD using biscyclopentadienyltungsten system

Advanced Metallization Conference, Asian Session (Tokyo, S. Imai, T. Kagawa, H. Kurozaki, A. Ogura, M. Ishikawa, I. Muramoto, H, Machida, Y. Ohshita

2006年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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極端に非対称なX線回析法を用いたシリコン高圧酸化膜の界面格子歪評価

応用物理学会秋季学術講演会, 吉田, 秋本, 伊藤, 榎本, 山本, 大下, 小椋

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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In-plane X線回析法によるローカ

応用物理学会秋季学術講演会, 山崎, 小瀬村, 掛村, 吉田, 小椋

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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CVDによるNiシリサイドの堆積Ⅱ

応用物理学会秋季学術講演会, 石川, 村本, 町田, 今井, 小椋

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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UV/可視－ラマン分光によるSi_3_N_4_/Si界面歪の評価

応用物理学会秋季学術講演会, 小瀬村, 山崎, 掛村, 吉田, 小椋, 内田, 服部, 吉丸

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Strain engineering and evaluation in advanced LSI technology

Inveited, h International Conference on Raman Spectroscopy (Yokohama, A. Ogura

2006年8月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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UVラマン分光によるHfSiO(N)/Si 界面の評価

応用物理学会秋季学術講演会, 吉田, 吉田, 山崎, 小瀬村, 小椋

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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微小ｐｎダイオードアレイによる太陽電池用多結晶Siの評価

応用物理学会秋季学術講演会, 田中, 今井, 小椋, 大下

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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太陽電池用多結晶Siの欠陥領域の低温PLマッピング解析

応用物理学会秋季学術講演会, 井上, 杉本, 田島, 大下, 小椋

2006年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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高圧水蒸気により形成されたシリコン酸化膜の硬Ｘ線励起Si1ｓスペクトル観察

応用物理学会秋季学術講演会, 山本, 斎, 田中, 広沢, 池永, 小椋

2006年8月

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Chemical Vapor Deposition of NiSi using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8_

Asia-Pacific Coference on, Semiconducting Silicides (Kyoto, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, Y. Ohshita, A. Ogura

2006年7月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Discussion on Issues Toward 450mm Wafer

InveitedSilicon Materials Science, Technology Simposium, h Meeting of The, Electrochemical (Denver, Colorado) ◎M. Watanabe, T. Fukuda, A. Ogura, Y. Kirino, M. Kohno

2006年5月

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Chemical vapor deposition of Ni-silicide for gate electrodes

M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2006年3月

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Ni-silicide film was deposited by CVD using Ni(PF3) 4/Si3H8 gas system for the gate electrodes. Ni(PF3)4 is a novel precursor because there are no carbon atoms in its molecules and its vapor pressure is high enough so that a mass flow controller can be used. We developed Ni(PF3)4 synthesis and achieved a high primary yield. Si3H8 was selected as the silicon precursor. Si3H8 is decomposed by interaction with the metalorganic Ni precursor at low temperature where thermal decomposition cannot occur. Using these precursors, Ni-silicide film was deposited at low temperatures (160°C∼). The deposited Ni-silicide thin films were homogeneous polycrystalline. Varying the Si3H8 flow rate changed the Si/Ni ratio of the films resulting in the Vfb for the Ni-silicide electrode shifting, corresponding to the Si/Ni ratio. This Ni-silicide CVD can be applied to metal gate fabrication in future MOSFETs. © 2006 Materials Research Society.

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Ｘ線in-plane回析による歪Ｓｉ基板の深さ方向歪分布測定

春季応用物理学関係連合講演会, 小瀬村, 山崎, 田中, 小椋, 広沢

2006年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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CVDによるNiシリサイドの堆積

春季応用物理学関係連合講演会, 石川, 村本, 町田, 今井, 小椋, 大下

2006年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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SOI および歪Ｓｉ基板技術の動向と評価技術

春季応用物理学関係連合講演会, 小椋

2006年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Measurement of in-plane and depth profiles of strain in strained-Si substrates

Second Workshop of the Thematic Network on, Silicon on Insulator, technology, devices, circuits (Grenoble, France, D. Kosemura, K. Yamasaki, S. Tanaka, A. Ogura

2006年3月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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UV－ラマンマッピング法による歪Ｓｉ基板の歪分布

春季応用物理学関係連合講演会, 山崎, 小瀬村, 田中, 小椋

2006年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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高分解能ＲＢＳによる歪Ｓｉの歪み評価

春季応用物理学関係連合講演会, 一原, 小林, 牟礼, 藤川, 笹川, 小椋, 木村

2006年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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分のPLマッピング／スペクトル解析

春季応用物理学関係連合講演会, 井上, 杉本, 田島, 大下, 小椋

2006年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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次世代向けウェハの現状と課題

招待講演, 日本学術振興会結晶加工と評価技術, 委員会, 回研究会

2006年2月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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イントロダクトリートーク

招待講演, 日本学術振興会結晶加工と評価技術, 委員会, 回研究会

2006年2月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of commercial SGOI and SSOI wafers and comparison with epitaxially grown strained-Si by means of laser confocal inspection system

Atsushi Ogura, Osamu Okabayashi

Proceedings - Electrochemical Society 2005年12月

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Commercial SGOI and SSOI wafers are evaluated and compared with epitaxially grown strained-Si using laser confocal wafer inspection system. TEM and SIMS evaluation imply the film structures and compositions are quite consistent with their specifications. Particular defect was not clearly observed by introducing strain in the film. However, the numbers of SOI common defects were much larger than those in conventional SOI. Therefore, it can be concluded that the SGOI and SSOI wafers were still poor in quality as an SOI wafer.

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Nickel thin film deposition using Ni (PF <inf>3</inf>) <inf>4</inf> for LSI electrode

Masato Ishikawa, Hideaki Machida, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Proceedings - Electrochemical Society 2005年12月

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We propose tetrakis(trifuluorophosphine)nickel (0) [Ni(PF 3) 4] as a nickel precursor for CVD and develop a new method to synthesized Ni(PF 3) 4 from Cp 2Ni and PF 3 with high yield over 70%. Ni(PF 3) 4 have high vapor pressure and can be provided in CVD process using mass flow controller without carrier gas. Using the Ni(PF 3) 4 as a Ni precursor in LPCVD system, we obtained Ni thin film with high deposition rate (7nm/min at 200°C at 30 Pa). The activation energy for the deposition was estimate at approximately 0.6 eV. Conformal Ni thin films were deposited and had a (111) preferential orientation.

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Relaxation of strained-SOI substrates by RTA process

Kosuke Yamasaki, Daisuke Kosemura, Satoshi Tanaka, Atsushi Ogura, Ichiro Chiba, Ryosuke Shimidzu

Proceedings - IEEE International SOI Conference 2005年12月

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Three different type strained-Si substrates, EPI, SGOI and SSOI, were evaluated by newly developed high-resolution UV-Raman spectroscopy. The structure relaxation occurred by RTA at 1050°C. The Raman peak shifted toward larger wavenumber after RTA for SSOI, indicating strain relaxation. The peak shifted toward lower wavenumber in the case of EPI due to the Ge diffusion rather than strain relaxation. The SGOI showed complex characteristics of SSOI and EPI. © 2005 IEEE.

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JEITAにおける超薄膜SOIおよび歪Siウェーハの標準化の現状

併設プログラム ◎小椋

2005年12月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Ni-silicide precursor forgate electrode

h International, Symposium on Dry, Process (Jeju, Korea, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, S. Imai, A. Ogura, H. Suzuki, Y.Ohshita

2005年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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デバイス開発のための表面・界面分析技術－Si結晶、基板

回表面科学セミナ, 小椋

2005年10月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Relaxation of Strained-SOI substrates by RTA process

IEEE International, SOI Conference (Hawaii, USA) ◎K. Yamasaki, D. Kosemura, S.Tanaka, A. Ogura, I. Chiba, R. Shimidzu

2005年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Chemical Vapor Deposition of Ni-silicide for gate electrode

Advanced Metallization Conference, Tokyo, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita, S. Imai, A. Ogura

2005年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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UV－ラマン分光を用いた歪Si基板のRTAプロセスによる歪緩和評価

応用物理学会秋季学術講演会, 山崎, 小瀬村, 田中, 小椋

2005年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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CVDによるNiシリサイドゲート電極の堆積

応用物理学会秋季学術講演会, 石川, 村本, 町田, 今井, 小椋, 大下

2005年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Composition control of Ni-silicide by CVD using Ni(PF_3_)_4_ and Si_3_H_8_

International Conference on Solid, State Devices, Materials (Kobe, Ja, M. Ishikawa, I. Muramoto, H. Machida, Y. Ohshita, S. Imai, A. Ogura

2005年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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UV-Raman Spectroscopy System for Local and Global Strain Measurement in Si

International Conference on Solid, State Devices, Materials (Kobe, Ja, I. Chiba, R. Shimidzu, K. Yamasaki, D. Kosemura, S. Tanaka, A. Ogura

2005年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Si中のローカル／グローバル歪測定のための高性能UV－ラマン分光システムの開発

応用物理学会秋季学術講演会, 千葉, 清水, 山崎, 小瀬村, 田中, 小椋

2005年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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W成膜のための液体CVD原料：i-PrCp_2_WH_2_

応用物理学会秋季学術講演会, 今井, 村本, 石川, 町田, 小椋, 大下

2005年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Estimation of Lattice Structure of Strained-Si Wafers Using Highly Parallel X-Ray Microbeam(Ⅰ)

XX Congress of, the, International, Union of, Crystallography (Florence, Italy, K. Fukuda, N. Tomita, K. Hayashi, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui, A. Ogura

2005年8月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Estimation of Lattice Structure of Strained-Si Wafers Using Highly Parallel X-Ray Microbeam(Ⅱ)

XX Congress of, the, International, Union of, Crystallography (Florence, Italy, Y. Tsuka, K. Fukuda, N. Tomita, K. Hayashi, Y. Kagoshima, J. Matsui, A. Ogura

2005年8月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Crystallinity Estimation of Strained-Si Wafers by Using Highly Parallel X-Ray Microbeam

The, th International Conference on, X-ray Microscopy, Himeji, Jap, Y. Tsusaka, K. Fukuda, N. Tomita, K. Hayashi, Y. Kagoshima, J. Matsui, A. Ogura

2005年7月

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Evaluation of commercial SGOI and SSOI wafers comparing with epitaxially grown strained-Si by means of laser confocal inspection system

International, Symposium on Silicon-on-insulator Technology, Electrochemical Society Meeting, Quebec City. Canada, A. Ogura, O. Okabayashi

2005年5月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Nickel thin film deposition using Ni(PF_3_)_4_ for LSI electrode

International, Symposium on Silicon-on-insulator Technology, Electrochemical Society Meeting, Quebec City. Canada, M.Ishikawa, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

2005年5月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Ni（PF_3_)_4_を用いたNi薄膜の堆積Ⅱ

春季応用物理学関係連合講演会, 石川, 町田, 小椋, 大下

2005年3月

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放射光Ｘ線回析法による歪みSi/SiGe/Si基板（市販）の格子歪み評価（Ⅳ）歪みSi層の結晶性評価

春季応用物理学関係連合講演会, 富田, 林, 安井, 吉田, 福田, 津坂, 篭島, 松井, 小椋

2005年3月

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Ni thin film deposition using tetrakis(trifluorophosphine)nickel(0), Ni(PF<inf>3</inf>)<inf>4</inf>

Masato Ishikawa, Takeshi Kada, Hideaki Machida, Atsushi Ogura, Yoshio Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2004年12月

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Ni(PF3)4, which is a candidate Ni CVD precursor, was synthesized from Cp2Ni and PF3 by our developed process. Ni(PF3)4 is a liquid at room temperature and has a vapor pressure high enough (215 Torr at 30°C) for the Ni CVD process. Ni thin films with a [111] preferential orientation were obtained even below 300°C using the Ni(PF3)4/He gas system, and there was no difference between the deposition rates on Si and SiO2 surfaces. © 2005 Materials Research Society.

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Ni thin films deposition using tetrakistrifluorophosphinenickel (0), Ni(PF3)4

Advanced Metallization Conference

2004年10月

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Depth Profiling of Si/Si1-xGex Structures by Micro-Raman Imaging

International Conference on Solid, State Devices, Materials

2004年9月

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Crystalinity Estimate of Commercially Available Strained-Si Wafers using Synchrotron Highly Parallel X-ray Microbeam

国際会議, th Biennial Conference on High Resolution, X-Ray Diffraction, ImagingK.Fukuda, N.Tomita, Y.Tsusaka, Y.Kagoshima, J.Matsui

2004年7月

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Surface reaction in Ni MOCVD using cyclopentadienylallylnikel as a precursors Properties of CVD precursors for Ni

国際会議, Fourteenth International Conference on Crystal on Crystal GrowthM.Ishikawa, T.Kada, H.Machida, Y.Ohshita

2004年6月

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Properties of CVD precursors for Ni

国際会議, Fourteeth International Conference on Crystal GrowthT.Kada, M.Ishikawa, H.Machida, Y.Ohshita

2004年5月

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ＳＯＩのＰＬを用いた表面酸化膜の評価

春季応用物理学関係連合講演会満山, 李, 田島, 小椋

2004年3月

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放射光Ｘ線回析法による歪Si/SiGe/Si基板（市販）の格子歪評価（Ⅰ）―広域構造

春季応用物理学関係連合講演会福田, 富田, 原, 津坂, 篭島, 松井, 小椋

2004年3月

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ラマン分光法による歪Si/SiGe/Si基板の歪測定における励起光波長の選択

春季応用物理学関係連合講演会小椋, 上嶋, 山本, 中島, 山本

2004年3月

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線照射Raman測定による歪Si/SiGe/Si基板の結晶性評価

春季応用物理学関係連合講演会山本, 中島, 小椋, 上嶋, 山本

2004年3月

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放射光Ｘ線回析法による歪Si/SiGe/Si基板（市販）の格子歪評価（Ⅱ）―局所構造

春季応用物理学関係連合講演会福田, 富田, 原, 津坂, 篭島, 松井, 小椋

2004年3月

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ＭＯＣＶＤ法によるＮｉの成膜

春季応用物理学関係連合講演会石川, 加田, 町田, 小椋, 大下

2004年3月

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ＤＵＶラマン分光とＶＩＳラマンイメージによる歪Si/GeSi/Si基板の評価

春季応用物理学関係連合講演会中島, 山本, 小椋, 上嶋, 山本

2004年3月

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Characterization of Strained Si/SiGe Heterostructure

春季応用物理学関係連合講演会李, 満山, 田島, 藁品, 小椋

2004年3月

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陽電子消滅法を用いたHigh-k膜の欠陥解析

極薄シリコン酸化膜の形成, 評価, 信頼性, 回研究会, 招待講演, 上殿, 服部, 小椋, 工藤, 西川, 大平, 鈴木, 三角

2004年1月

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Evaluation of commercial ultra-thin SOI substrates using laser confocal inspection system

Atsushi Ogura, Osamu Okabayashi

Proceedings - Electrochemical Society 2003年12月

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Commercially available ultra-thin (50nm) SOI substrates were evaluated using a laser confocal inspection system. The defect distribution and corresponding defects were observed for both bonded SOI and SIMOX wafers. Some of the defects were marked in the system and evaluated by TEM after the samples were prepared by FIB. The most serious defects observed were voids in both the bonded SOI wafers and the SIMOX wafers. Small defects such as dislocations were also detected. The technique is non-destructive and therefore promising for use in pre- and in-line monitoring systems.

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CVD precursors for NiSi films

T. Kada, M. Ishikawa, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2003年12月

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Nickel monosilicide (NiSi) is an attractive material for the metal-gate electrodes or contacts of MOSFETs. On chemical vapor deposition (CVD), conformal or selective depositions are expected. However, a suitable Ni precursor for NiSi film has not been studied yet. We therefore investigated the vapor pressure, thermal decomposition, and the deposition of Ni precursors with low melting points, bis(methylcyclopentadienyl)Ni (MeCp2Ni) and allyl(cyclopentadienyl)Ni (AllylCpNi). The vapor pressures of MeCp2Ni and AllylCpNi were high enough for CVD, respectively 1 and 10 Torr at 73°C. Their thermal decompositions were also adaquate for CVD precursors. Ni was deposited at 300°C by use of a MeCp2Ni/H2 gas mixture. Then Ni reacted with the Si substrate, and NiSi was formed. Adding Si 3H8 to the mixture prevented the Si substrate from forming NiSi2 into the Si substrate. Residual C decreased with deposition temperature. Films could be deposited below the thermal decomposition temperature of MeCp2Ni. Interactions with H2, or the substrate surfaces were indicated. It was also observed that films were deposited on a Si substrate faster than on SiO2 and vice versa. The surface affected the deposition rate. It was important to study the deposition conditions, especially the interactions, if pure NiSi films with flat surfaces are to be deposited. © 2004 Materials Research Society.

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低速陽電子ビームによるHigh-kをゲート絶縁膜として用いたＭＯＳの評価

京都大学原子炉実験所専門研究会上殿, 服部, 小椋, 工藤, 西川, 大平, 鈴木, 三角

2003年12月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Sub-10-nm Planar-Bulk-CMOS Devices using Lateral Junction Control

国際会議, nteran, tional, Electronic, Device MeetingH.Wakabayashi, S.Yamagami, N.Ikezawa, A.Ogura, M.Narihiro, K.Arai, Y.Ochiai, K.Takeuchi, T.Yamamoto, T.Mogami

2003年12月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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陽電子消滅による金属酸化物の欠陥解析

第, 回インテリジェント・ナノプロセス研究会上殿, 服部, 小椋, 工藤, 西川, 大平, 鈴木, 三角

2003年12月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Nonuniformity of Commercial SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping

Z. Q. Li, M. Tajima, M. Warashina, S. Sumie, H. Hashizume, A. Ogura

IEEE International SOI Conference 2003年11月

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A study was performed on nonuniformity of commercial silicon-on-insulator (SOI) wafers manifested by photoluminescence (PL) and lifetime mapping. A ultrathin film was necessary for a fully-depleted (FD) device, which exhibited the most attractive properties of low electric fields, high transconductance and excellent short-channel behavior. It was found that PL under an ultraviolet (UV) light excitation has been an effective tool for characterization of SOI wafers because of the small penetration depth of the UV laser.

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NiSi MOCVD for Fabricating FinFETs and UTB-SOI Devices

Atsushi Ogura, Hitoshi Wakabayashi, Masato Ishikawa, Takeshi Kada, Hideaki Machida, Yoshio Ohshita

IEEE International SOI Conference 2003年11月

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We investigated the use of NiSi MOCVD for fabricating FinFETs and UTB-SOI devices. MeCp2Ni was synthesized as a Ni precursor. The NiSi film deposited using MeCp2Ni and Si3H6 had a smooth interface with the Si substrate without Ni penetration. The step coverage of the deposited film on a patterned substrate was excellent.

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SOI-current status and trend in the future

国際会議, The Forum on, the, Science Technology of, Silicon Materi

2003年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Precursors for NiSi MOCVD

国際会議, Advanced Matallization Conference, T.Kada, M.Ishikawa, H, Machida, Y.Ohshita

2003年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Nonuniformity of SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping

国際会議, IEEE International, SOI Conference, Z.Q.Li M.Tazima, S.Sumie, H.Hasizume

2003年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Body Contact structure using Eleveted Field Insulator for Ultra-Thin Film SOI-MOSFET

国際会議, International conference on Solid, State Devices, MaterialsR.Koh, H.wakabayashi, J-W.Lee, Y.Saito, M.Narihiko, K.Arai, H.Takeuchi, T.Mogami

2003年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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NiSi MOCVD for FinFET and UTB-SOI

国際会議, IEEE International, SOI ConferenceH.Wakabayashi, M.Ishikawa, T.Kada, H.Machida, Y.Ohshita

2003年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Comparison of SOI Wafer Mappings between Photoluminescence Intensity and Photoconductive Decay Lifetime

国際会議, International conference on Defects:Recognition,Imaging, Physics of SemiconductorsMichio Tajima, Zhiqiang Li, Shingo Sumie, Hidehisa Hashizume

2003年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Precursors for chemical vapor deposition of NiSi

国際会議, International Conference on Solid, State Device, MaterialsM.Ishikawa, T.KADa, H.Machida, Y.Ohshita

2003年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＶＤ法によるNiSi（Ⅱ）―成膜

応用物理学会, 秋季学術講演会石川, 加田, 町田, 小椋, 大下

2003年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Nonuniformity of SOI Wafers Manifested by Photoluminescence and Lifetime Mapping

応用物理学会, 秋季学術講演会李, 田島, 住江, 橋爪, 小椋

2003年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＶＤ法によるNiSi（Ⅰ）―原料

応用物理学会, 秋季学術講演会加田, 石川, 大平, 町田, 小椋, 大下

2003年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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低速陽電子ビームによるPoly-Si/HfSiO_x_/Si構造の空孔型欠陥の検出

応用物理学会, 秋季学術講演会上殿, 服部, 小椋, 工藤, 西川, 大平, 鈴木, 三角

2003年8月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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先端デバイス開発動向とＳＯＩ基板への期待

結晶成長学会, バルク分科会研究会, 講演, 小椋

2003年5月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of commercial Ultra-thin SOI Substrates using Confocal Laser Inspection System

国際会議, International, Sympoisum on silicon-on-insulator Technology, DevicesO.Okabayashi

2003年4月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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レーザーコンフォーカル検査システムを用いた市販超薄膜ＳＯＩ基板の評価

春季応用物理学関係連合講演会小椋, 岡林

2003年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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基板浮遊効果を抑制したゲート長60nm薄膜ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会黄, 若林, 李, 斎藤, 小椋, 成広, 新井, 武村, 竹内, 落合

2003年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Vacancy-type defects in SOI wafwrs probed by monoenergetic positron beam

国際会議, The Forum on, the, Science Technology of, Silicon Materia, A.UEdono, N.Hattori, J.Kudo, T.Nishikawa

2003年

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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LSI開発の現状と今後の課題

Spring, 講習会, 招待講演, 小椋

2003年

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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市販ＳＯＩ基板中欠陥の分布および構造解析

日本学術振興会, 結晶加工と評価技術, 委員会, 回研究会結晶

2003年

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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SOI Formation by Light ION Implantation and Annealing in Oxigen Including Atmoshere

国際会議, International Workshop on, Junction Technology

2002年12月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Characterization of silicon-on-insulator wafers by monoenergetic positron beams

国際会議, IEEE International, SOI Conference, Akira Uedono, Hidekazu Yamamoto, Akihiko Nakano, Toshiyuki Ohdaira, RyoichiSuzuki

2002年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Partial SOI/SON Formation by He^+^ Implantation and Annealing

国際学会, IEEE International, SOI Conference

2002年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Organometallic Hf and Si precursors for Hf_1-x_Si_x_O_2_ thin film formation formation

国際会議, Advanced Matallization Conference, M.Ishikawa, T.Kada, H.Machida, Y.Ohshita

2002年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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軽元素注入による部分ＳＯＩ/ＳＯＮの形成

応用物理学会, 秋季学術講演会, 小椋

2002年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluation of SOI substrates by positron annihilation

国際会議, International Workshop on Positron, Studies of Semiconductor DefectsA.Uedono

2002年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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せり上げ素子分離を用いたボディーコンタクト構造をもつ薄膜ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会山上, 黄, 若林, 李, 斎藤, 小椋, 成広, 新井, 武村, 竹内, 落合

2002年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Reduction of Pattern Edge Defects in Partial SOI by LII (Light Ion Implantation) Technique

国際会議, International Conference on Solid, State Devices, Materials

2002年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Ｈｆ_1-x_Ｓi_x_Ｏ_2_成膜のためのＣＶＤ用Ｓi原料

応用物理学会, 秋季学術講演会加田, 石川, 町田, 小椋, 大下

2002年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Organometallic Hf and Si precursors for Hf_1-x_Si_x_O_2_ thin film formation sythesis

国際会議, Atomic Layer, DEposition (A, ConferenceH.Machida, T.kada, H.Machida, Y.Oshida

2002年8月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Organometallic Hf and Si precursors for Hf_1-x_Si_x_O_2_ thin film formation characterization

国際会議, Atomic Layer, Deposition (A, ConferenceM.ishikawa, T.Kada, M.Ishikawa, Y.Ohshita

2002年8月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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低速陽電子ビームによるＳＯＩウエハーの欠陥と水素の相互作用の研究

応用物理学界, 春季応用物理学関係連合講演会上殿, Chen, 小椋, 大平, 鈴木, 三角

2002年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Partial SOI/SON formation by He+ implantation and annealing

Atsushi Ogura

IEEE International SOI Conference 2002年1月

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We fabricated partial SOI/SON structures by light-ion implantation (LII) technique. Compared with the patterned SIMOX, the LII technique causes less damage, and therefore can reduce defect density at the pattern edge of the partial SOI structure. Partial SON formed by LII shows further reduction in the defect density, probably because the stress induced by the SiO2 formation is small. The SON surface is extremely smooth. Thus, the LII has great advantages for partial SOI/SON fabrication as a substrate for SOC.

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Oxygen-related defects in silicon-on-insulator wafers probed monoenergetic positron beams

A. Uedono, H. Yamamoto, A. Nakano, A. Ogura, T. Ohdaira, R. Suzuki, T. Mikado

IEEE International SOI Conference 2002年1月

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Si-on-insulator (SOI) wafers fabricated by SIMOX and bond-and-ethed-back technique were characterized by monoenergetic positron beams. Oxygen-related defects were found to be present in SOI layers, and the mean open volume of such defects in SIMOX wafers was estimated to be larger than that of a hexavacancy. The interaction between the defects in the SOI layers and hydorogen was also studied.

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SOI formation by light ion implantation and annealing in oxygen including atmosphere

A. Ogura

Extended Abstracts of the 3rd International Workshop on Junction Technology, IWJT 2002 2002年1月

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© 2002 JSAP. We have developed a novel Si-on-insulator fabrication technique in which light ions, such as H+ and He+, are implanted into a Si substrate instead of O+ implantation in the SIMOX (separation of implanted oxygen) process. The atmospheric oxygen atoms precipitate at the implantation damage during high temperature annealing in an oxidized atmosphere. A continuous buried oxide layer was successfully formed in a Si substrate under appropriate conditions, particularly a slow ramping rate and a high oxygen concentration in the atmosphere for the anneal. Partial SOI and SON (Si on nothing) formations were also demonstrated by the technique and showed superior characteristics in both crystalline quality and surface smoothness.

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有機金属原料を用いたハフニウムシリケート薄膜ＣＶＤ

化学化工業会シンポジウ, 大下, 石川, 加田, 町田, 小椋

2002年

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Characterization of optical lifetime in silicon-on-insulator wafers by photoluminescence decay method

Shigeo Ibuka, Michio Tajima, Atsushi Ogura

Materials Research Society Symposium Proceedings 2001年12月

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We report observation of temporal decay of luminescence due to electron-hole condensation in silicon-on-insulator (SOI) wafers. The condensate luminescence was observable in SOI wafers under ultraviolet light excitation, because of shallow penetration depth of the light and confinement of photo-excited carriers in the top-Si layer. We found that the temporal decay of the luminescence depended on the surface/interface condition and fabrication method. These findings can be explained by the difference in the recombination process via surface, interface and defect states in the top-Si layer. We propose that the decay measurement of the condensate luminescence has great potential for characterization of SOI wafers. © 2001 Materials Research Society.

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HfO<inf>2</inf> and Hf<inf>1-x</inf>Si<inf>x</inf>O<inf>2</inf> deposition by MOCVD using TDEAH

Masato Ishikawa, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2001年12月

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We synthesized tetrakis-diethylamido-hafnium (Hf(NEt2)4) and tris-diethylamino-silane (HSi(NEt2)3) as precursors of Hf and Si for depositing HfO2 and Hf1-xSixO2 thin films. Both precursors are liquid at room temperature and have moderate vapor pressure enough for chemical vapor deposition process. By using the Hf(NEt2)4/O2 gas system, the stoichiometric HfO2 film with little residual impurities was deposited by low pressure CVD. The HfO2 film was polycrystalline and had good step coverage quality. By supplying the HSi(NEt2)3 during the HfO2 deposition, Hf1-xSixO2 was deposited. As increasing the amount of supplied HSi(NEt2)3, the ratio of Si to Hf in the film was increased and the refractive index was decreased. The Hf1-xSixO2 was amorphous and had slightly degraded step coverage quality as compared with HfO2.

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陽電子消滅によるＳＯＩ（Si-on-insulator)基板の評価

京都大学原始炉実験所専門研究会, 陽電子ビームの形成と理工学への応用, 上殿, 小椋、Chen, 大平, 鈴木, 三角

2001年10月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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BOX Layer Formation by Oxygen Precipitation at Implantation Damage of Light Ions

国際会議, IEEE International, SOI Conference

2001年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Ｘ線回析法によるnovelＳＩＭＯＸのＢＯＸ層の構造評価

応用物理学会, 秋季学術講演会志村, 細井, 福田, 梅野, 小椋

2001年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Novel SOI fabrication process by light ion implantation and annealing in oxigen including atmosphere

国際会議, International Conference on Solid, State Devices, Materials

2001年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Oxygen-Related Defects and Their Annealing Behavior in Low-Dose Seperation-by-Implanted Oxigen (SIMOX) Wafers Studied by Slow Positron Beams

国際会議, International Workshop on Slow, Positron, Beam Techniques, for Solids, SurfacesZ.Q.Chen, A.Uedono, R.Suzuki, T.Ohdaira, T.Mikado

2001年9月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＶＤによるＨｆＯ_2_膜の堆積―シリケート成膜

応用物理学会, 秋季学術講演会町田, 石川, 星野, 小椋, 大下

2001年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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軽元素注入ダメージへの酸素析出を利用したＳＯＩ形成

応用物理学会, 秋季学術講演会小椋

2001年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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MOCVD precursors for Ta and Hf compound films

国際会議, Internationl Conference on Crystal GlowthH.Machida, A.Hoshino, T.Suzuki, Y.Oshita

2001年7月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Formation of Epitaxially Ordered SiO_2_ in Oxygen-implanted Silicon During Thermal Annealin

国際会議, International Conference on Crystal Growth, T.Shimura, T.Hosoi, K.Fukuda, M.Umeno

2001年7月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＤＶ法によるＨｆＯ_2_膜の堆積

半導体, 集積回路技術シンポジウム星野, 鈴木, 町田, 小椋, 大下

2001年6月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Ｈｆ(ＮＥｔ_2_)_4_を原料ガスとして用いたＨｆＯ_2_薄膜の堆積

電子情報通信学会シリコン材料, デバイス研究会大下, 小椋, 星野, 鈴木, 町田

2001年6月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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ＰＬおよび陽電子消滅による欠陥評価

応用物理学会結晶光学分科, 回研修会小椋, 田島, 上殿

2001年4月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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HfO_2_ Film Formation by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

国際会議, Spling Meeting of, The Material research SocietyA.Hoshino, T.Suzuki, H.Machida, Y.Ohshita

2001年4月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Characterization of Optical Lifetime in Silicom-on-insulator wafers by Photoluminescence Decay Method

国際会議, Spring Meeting of, The Material research Society S.Ibuka, M.Tajima

2001年4月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Ｘ線回析法によるＳＩＭＯＸのＢＯＸ形成過程の評価

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会細井, 福田, 志村, 梅野, 小椋

2001年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Gas Phase Chemical Reaction in Tantalum Nitride Low-pressure Chemical Vapor Deposition

国際会議, Meeting of The, Electrochemical SocietyY.Ohshita, A.Hoshino, S.Hiro, A.Tawara, H.Machida

2001年3月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＶＤ法によるＨｆＯ_2_膜の堆積（Ⅱ）

星野, 鈴木, 町田, 忍田, 小椋, 大下

2001年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＶＤ法によるＨｆＯ_2_膜の堆積（Ⅰ）

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会鈴木, 星野, 町田, 小椋, 大下

2001年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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BOX layer formation by oxygen precipitation at implantation damage of light ions

A. Ogura

IEEE International SOI Conference 2001年1月

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We have developed a novel SOI fabrication technique in which light ions such as H+ and He+ are implanted into a Si substrate (instead of O+ implantation in the SIMOX process). The atmospheric oxygen atoms precipitate at the implantation damage during annealing in an oxidized atmosphere. A continuous BOX layer was successfully formed in the Si substrate by choosing appropriate conditions (slow ramping rate and high oxygen concentration in the atmosphere.

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LPCVD of TaCN thin film for barrier layer in Cu interconnection

A. Hoshino, T. Suzuki, S. Hiiro, H. Machida, A. Ogura, Y. Ohshita

Advanced Metallization Conference (AMC) 2000年12月

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We synthesized a mixture of EtN=Ta(NEt2)3and Ta(NEt2)4as a precursor for TaCN-chemical vapor deposition (CVD) and investigated its properties. The vapor pressure is slightly low in comparison with TDMAT, and appropriate for CVD precursor(7 torr at 60°C). This precursor is relatively safety because it is not pyrophoric in air. Moreover, purification is easy because it is liquid, so can be distilled. Using this precursor, we deposited tantalum carbonitride (TaCN) thin film by low-pressure CVD. Depositions were successfully carried out at 375°C to 500 using hydrogen carrier gas. Below 400°C, excellent step coverage was achieved, because the surface reaction was dominant. However, the film resistivity increased with decreasing substrate temperature. In order to obtain low resistivity of film deposited at a lower temperature, we increased the amount of hydrogen gas injected during deposition. The resistivity decreased with increasing hydrogen gas flow rate, and injecting a large amount of hydrogen gas was found to be an effective method of obtaining both low resistivity and high quality step coverage. The concentrations of carbon and nitrogen in the film were measured: C>10%, N<1%. Microstructural observation by transmission electron microscopy (TEM) revealed that the deposited film was an amorphous phase. Finally, we prepared CVD-Cu/CVD-TaCN/Si structure film, and after thermal treatment (500°C for 30 min.), Cu did not diffuse into the Si layer. Thus, this TaCN film had good barrier properties.

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Photoluminescence analysis of annealing process in low-dose SIMOX wafers

M. Tajima, S. Ibuka, J. Takiguchi, A. Mizoguchi, A. Ogura

IEEE International SOI Conference 2000年12月

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The defects in low-dose SIMOX wafers by photoluminescence (PL) spectroscopy with ultraviolet (UV) laser light as an excitation source was studied. Due to this technique photoluminescence was measured only from the superficial Si layers. Cross-sectional transmission electron microscopy was also used to analyze defects. Use of PL spectroscopy well characterized the degree of recovery of the crystalline quality, the oxygen precipitation and generation and annihilation of dislocations.

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Control of buried oxide formation in low-dose SIMOX process

国際会議, Advanced Science, Technology of Silicon Materials

2000年11月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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Photoluminescence Analysis of Anealing Process in Low-Dose SIMOX Wafers

国際会議, IEEE International, SOI ConferenceM.Tajima, s.Ibuka, J.Takiguchi,A

2000年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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LPCVD of TaCN thin film for barrier layer in Cu interconnection

国際会議, Advanced Metallization ConferenceA.Hoshino, S.Hiro, H.Machida, Y.Ohshita

2000年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ＭＯＣＶＤＯＣＶＤ法によるＴａＮ膜の堆積

応用物理学会, 秋季学術講演会星野, 日色, 町田, 小椋, 大下

2000年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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低速陽電子によるＳＯＩの評価（Ⅱ）―基板間比較

応用物理学会, 秋季学術講演会小椋, 上殿, 谷川

2000年9月

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低速陽電子によるＳＯＩの評価（Ⅰ）―ＳＩＭＯＸプロセス

応用物理学会, 秋季学術講演会上殿, 谷川, 小椋, 小野, 鈴木, 大平, 三角

2000年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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励起光の侵入長を変化させたＰＬによるＳＯＩウェハーの評価

応用物理学会, 秋季学術講演会滝口, 小椋, 熊藪, 井深, 田島

2000年9月

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Evaluation of SOI substrates by positron annihilation

国際会議, Intenational Conference on Solid, State Devices, MaterialsA.Uedono, S.Tanigawa

2000年8月

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紫外光励起フォルトミネセンスによるＳＯＩウエハーの評価

日本学術振興, 委員会研究会, 招待講演, 井深, 田島, 小椋

2000年6月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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ＳＩＭＯＸウェハーにおける高温熱処理過程のＰＬ評価（Ⅱ）

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会滝口, 小椋, 溝口, 井深, 田島

2000年3月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Evaluationof buried oxide formation in low-dose SIMOX process

国際会議, International, Symposium on Control of, Semiconductor, InterfaceH.Ono

1999年10月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ＳＩＭＯＸウェハーにおける高温熱処理過程のＰＬ評価

応用物理学会, 秋季学術講演会溝口, 田島, 熊藪, 滝口, 和泉

1999年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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SIMOX/BOX形成時における酸素の内方・外方拡散

応用物理学会, 秋季学術講演会小野

1999年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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ＳＯＩにイオン注入したＡｓおよびＢの分布測定

応用物理学会, 秋季学術講演会廣井

1999年9月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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低ドーズＳＩＭＯＸにおける酸素析出過程の制御

大阪府立大学ニューフロンティア材料研究, 回講演, 招待講演

1999年7月

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記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

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Novel SIMOX with BOX at Damage Peak

国際会議, International, Symposium on Silicon-on-insulator Technology, Devices

1999年5月

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記述言語：英語会議種別：口頭発表（一般）

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ダメージピークに埋め込み酸化膜を持つＳＩＭＯＸ

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会

1999年3月

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低ドーズＳＩＭＯＸにおける酸素析出過程の制御

応用物理学会関西支部セミナー

1999年1月

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Defect characterization in Unibond wafers by photoluminescence spectroscopy and transmission electron microscopy

M. Tajima, A. Ogura

IEEE International SOI Conference 1998年12月

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A Unibond wafer fabricated by a combination of bonding and layer splitting is regarded as one of the most promising SOI wafers for next generation devices. The defect characterization of the wafer is, however, lagging because of the difficulty in measuring thin layers. The characterization of microdefects in Unibond wafers by photoluminescence (PL) spectroscopy and mapping with transmission electron microscopy (TEM) is reported. The presence of oxygen precipitates not only in the base wafers but in the superficial Si layers on the basis of the deep-level emission in the PL spectra, the oxygen striation pattern in the PL mapping, and the precipitate image in the TEM observations.

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ＳＯＩ基板の現状とサブ0.1umデバイス適用への課題

日本学術振興, 委員会, 結晶加工と評, 回研究会

1998年12月

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Defect Characterization in UNIBOND Wafers by Pholumine scemce Spectroscopy and Transmission Electron Microscopy

国際会議, IEEE International, SOI ConferenceM.Tajima

1998年10月

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低ドーズＳＩＭＯＸにおける埋め込み酸化膜形成過程の制御

応用物理学会, 秋季学術講演会

1998年9月

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Oxigen Precipitates amd Related Defects in SOI Substrate Fabricated by Wafer Bonding and H^+^ Splitting

国際会議, International Conference on Solid, State Devices, MaterialsM.TAjima

1998年9月

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Deep-LevelのＰＬに着目したＳＯＩウェハーの結晶性評価

応用物理学会, 秋季学術講演会, 唐沢, 溝口, 田島, 科, 松本

1998年9月

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室温紫外線励起ＰＬマッピングによるＳＯＩウエハーの評価

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会, 田島, 溝口, 井深

1998年3月

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ＳＩＭＯＸ埋め込み酸化膜中のトラップレベル評価

応用物理学会, 秋季学術講演会三浦, 浜田, 北野

1997年10月

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酸素注入したＳi基板の熱処理による酸化膜形成過程

応用物理学会, 秋季学術講演会小野, 五十嵐

1997年10月

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ＳＯＩ基板に形成したＬＯＣＯＳ分離歪の精密測定

応用物理学会, 秋季学術講演会木村

1997年10月

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Preciese Measurement of Strain in SOI Induced by Local Oxidation

国際会議, International Conference on Solid, State Devices, Materials S.Kimura

1997年9月

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低ドーズＳＩＭＯＸにおけるドーズウィンドウの拡大

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会

1997年3月

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電圧印加エッチストップによる貼り合わせＳＯＩの薄膜・均一化（Ⅱ）

応用物理学会, 秋季学術講演会

1996年9月

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Thinning of SOI Bonded Wafers by Applying Voltageduring KOH

国際会議, International Conference on Solid, State Devices, Materialas

1996年8月

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Evaluation of the Depth Profile of Defects in SIMOX

国際会議, Spling Meeting of, The, Material Research

1996年4月

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低ドーズＳＩＭＯＸ基板の膜厚方向欠陥分布測定

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会辰巳, 浜島, 菊池

1996年3月

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電圧印加エッチストップによる貼り合わせＳＯＩの薄膜化

電子情報通信学会シリコン材料, デバイス研究会

1996年3月

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表面選択Ｘ線トポグラフィによるＳＯＩ基板の評価

日本放射線光学会, 年会木村, 石川

1996年1月

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Highly uniform SOI fabrication by applying voltage during KOH etching of bonded wafers

Atsushi Ogura

IEEE International SOI Conference 1995年12月

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A new technique is presented for thinning SOI bonded wafer by applying voltage during KOH etching. Excellent SOI thickness variation of less than ±μm is achieved by etching wafers in KOH and applying voltage between the supporting substrate and the electrode in the etchant. Higher uniformity can also be achieved by refining the etching equipment and controlling the chemical reaction at the surface during etching. This technique is useful in providing low-cost bonded SOI wafers by simplifying conventional thinning processes.

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Highly Uniform SOI Fabrication by Appling Voltage during KOH Etching of Bonded Wafers

国際会議, IEEE International, SOI Conference

1995年10月

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Study on Size Zelected,Matrix Isolated Siclusters

国際会議, International, Symposium on Small Particles, Inorganic ClustersH.C.Hanea, C.A.Murray, K.Ragavachari, W.O.Sprenger, M.F.Jarrold, and W.L

1995年9月

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電圧印加エッチストップによる張り合わせＳＯＩの薄膜・均一化

応用物理学会, 秋季学術講演会

1995年8月

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ＳＯＩ基板表面近傍の結晶完全性の評価

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会木村, 石川

1995年3月

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ラマン分光法によるＳiクラスターの構造決定

日本物理学会, 年会, 招待講

1995年3月

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マトリクス分離した単一サイズＳiクラスターの研究

理科学研究所シンポジウム

1995年1月

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ラマン分光法によるＳiクラスターの構造決定

JRCATワークショップ

1994年11月

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ラマン分光法によるＳiクラスターの構造決定

応用物理学会, 秋季学術講演会E.C..Honea, K.Ragavachari, W.L.Brown

1994年9月

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Raman spectroscopy of matrix-isolated monodisperse Si Clusters

国際学会, Meeting of, the American Physics SocietyK.Ragavachari, W.L.Brown, W.O.Sprenger, E.C.Honea, M.F.Jarrold.C.A

1994年3月

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Raman spectroscopy of size selected, matrix isolated Si clusters

国際会議, Fall Meeting of, The Material research SocietyH.C.Hanea, C.A.Murrey, K.Ragavachari, W.O.Sprenger, M.F.Jarrold, and W.L

1993年11月

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Raman spectroscopy of Si cluster

国際会議, Gorden Reserch ConferenceH.C.Nonea, C.A.Murray, K.Ragavachari, W.O.Sprenger, W.L.Brown

1993年

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トンネルエピキタシーⅣ―ＳＯＩＭＯＳＦＥＴの試作―

応用物理学会, 秋季学術講演会黄, 寺田

1992年9月

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Ｃｕ膜質の堆積温度依存性

応用物理学会, 秋季学術講演会古谷

1992年9月

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トンエルエピキタシー

電気学会, 超微細製造技術調査専門委員会

1992年6月

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ＳＯＩＭＯＳＦＥＴのカットオフ特性の検討

電子情報通信学会シリコン材料, デバイス研究会黄, 最上, 寺田

1992年3月

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An investigation on the cutoff characteristics of sub-quarter-micron SOI MOSFET

Risho Koh, Tohru Mogami, Atsushi Ogura

1991 IEEE International SOI Conference Proceedings 1992年1月

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The influence of DIBL on the latch condition for subquarter-micron SOI (silicon-on-insulator) MOSFETs is investigated. It is found that the main effect of DIBL is lowering the minimum hole current for latch. Simulated results on device structures proposed to improve cutoff characteristics are also shown. The cutoff characteristics of an SOI MOSFET (L = 0.2 μm) for which higher acceptor concentration (Na = 2 × 1017 cm-3) SOI film and LDD (lightly doped drain) structure are adopted are shown. These design options are effective for reducing DIBL at the SOI bottom.

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ＳＯＩＭＯＳＦＥＴにおけるカットオフ特性の検討

応用物理学会, 秋季学術講演会黄, 最上, 松本

1991年10月

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An Investigation on the Cutoff Characteristics of sub-quater-micron SOI MOSEET

国際会議, IEEE International, SOI ConferenceR.Koh

1991年10月

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トンネルエピキタシーⅢ―ＳＯＩ領域の大面積―

応用物理学会, 秋季学術講演会黄

1991年10月

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Improvement of SiO2/Si interface flatness by post oxidation annealing

Atsushi Ogura

Proceedings - The Electrochemical Society 1990年12月

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Post oxidation annealing (POA) for SiO2/Si interface flatness improvement was examined. Five kinds of Si substrates, which had (100), (110), (111), (511), and (221) orientations, were thermally oxidized and subsequently annealed in pure Ar atmosphere for 5 minutes using a lamp or 1 hour using a furnace annealer, respectively. The flatness of low-index plane interfaces, such as (100), (110) and (111), were improved by POA. However, high-index interfaces of (511) and (221) were rather roughened with low-index micro-facet formation. A reaction at the SiO2/Si interface is thought to occur during high temperature POA process. Low-index plane interfaces, which are considered to have low interface energy, appeared as a result of this reaction.

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トンネルエピキタシーⅡ―超薄膜ＳＯＩの形成―

応用物理学会, 秋季学術講演会藤本

1990年9月

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Novel Technique for Si Epitaxial Lateral Overgroth:Tunnel Epitaxy

国際会議, Annual Conference of the Electronic Material, CommitteeY.Fujimoto

1990年6月

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Imporovement of SiO_2_/Si Interface Flatnesws by Post Oxidation Anneal

国際会議, International, Symposium on, Silicon Materials Science, Technology

1990年5月

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ステップレーザーアニール法によるＳＯＩの種無し結晶方位制御

応用物理学会, 応用電子物性分科会

1990年1月

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Novel Technique for Si Epitaxial Lateral Overgroth:Tunnel Epitaxy

国際会議, International Workshop on, Future Electron DevicesY.Fujimoto

1989年10月

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SOI characterization and orientation control:XTEM observat ion and 2-step laser annealing

新機能素子技術シンポジウム

1989年10月

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ＥＬＯの横/縦成長比の向上―トンネルエピキタシー―

応用物理学会, 秋季学術講演会藤本

1989年9月

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２ステップレーザアニール法によるＳＯＩの種なし結晶方位制御

応用物理学会, 秋季学術講演会

1989年9月

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Si/SiO_2_ interface Structure in SOI and Thermally Oxidized S

国際会議, International, Symposium on, PassivityN.Aizaki

1989年9月

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高分解能ＴＥＭによる半導体界面の評価

日本学術振興, 員会, 招待講演

1989年2月

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Interface Structures in Lateral Seeding Epitaxial Si on SiO_2_

国際会議, Fall Meeting of The, Materials Researth SocietyN.Aizawa, H.Terao

1988年11月

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横方向エピタキシャル成長で形成したＳＯＩ／ＳｉＯ_2_界面の構造

応用物理学会, 秋季学術講演会相崎, 寺尾

1988年10月

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High-speed VTR Observation of SOI Laser Annealing

国際会議, International Workshop on Devices, MaterialsN.Aizaki, H.Terao

1988年5月

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SiO_2_/Si_3_N_4_ストライプ上での＜100＞配向Ｇｅの結晶粒成長

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会相崎, 寺尾

1988年3月

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ガスソースＳｉ－ＭＢＥ

電気学会, 電子材料研究会平山, 辰巳, 相崎

1987年11月

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ＳＯＩレーザアニールの高速度ビデオ観察

応用物理学会, 秋季学術講演会寺尾

1987年10月

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Gas Source Si□MBE Using SiH_4_

国際会議, Conference on Solid, State Devices, MaterialsH.Hirayama, T.Tatsumi, N.Aizaki

1987年8月

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２ステップレーザーアニール法によるＳＯＩの種なし結晶方位制御

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会寺尾

1987年3月

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ATOMIC LAYER EPITAXY OF UNIFORM GaAs ON 3-INCH SUBSTRATE IN LOW PRESSURE MOCVD SYSTEM.

K. Mori, A. Ogura, M. Yoshida, H. Terao

Conference on Solid State Devices and Materials 1986年12月

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The atomic layer epitaxy (ALE) of compound semiconductors, in which process the substrate is exposed alternately to gas sources of compound semiconductor components, has been expected to be applied to low temperature growth, selective growth and uniform multilayer epitaxy with abrupt interface. In the ALE growth of GaAs in both MOMBE and hydride VPE systems, low temperature growth and selective growth were realized. This presentation reports the abruptness of a GaAs-AlAs heterostructure and the thickness uniformity of a GaAs layer on a 3-inch GaAs substrate, growth by the metalorganic (MO-) ALE process in a low pressure MOCVD system.

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ＭＯ－ＡＬＥによる３インチ基板上へのＧａＡｓ高均一成長

応用物理学会, 秋季学術講演会森, 吉田, 寺尾

1986年9月

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レーザーアニールＳＯＩの結晶面方位とＭＯＳＦＥＴ特性との関係

応用物理学会, 秋季学術講演会

1986年9月

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レーザーアニールＳＯＩの断面ＴＥＭ観察

応用物理学会, 秋季学術講演会相崎, 寺尾, 國尾, 小山, 森山, 榎本

1986年9月

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選択反射防止膜法ＳＯＩ形成における位置合わせ

応用物理学会, 秋季学術講演会相崎, 寺尾, 國尾, 小山, 森山, 榎本

1986年9月

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レーザーアニールＳＯＩの結晶面方位とＭＯＳＦＥＴ特性との関係（Ⅱ）

応用物理学会, 秋季学術講演会國尾, 森山, 相崎, 寺尾, 榎本

1986年9月

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Atomic Layer Epitaxy of Uniform GaAs on 3-inch Substrate in Low Pressure MOCVD System

国際会議, Conference on Solid, State Devices, MaterialsK.Mori, M.Yoshida, H.Terao

1986年8月

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＜100＞配向Ｇｅ膜の結晶粒成長

応用物理学会, 春季応用物理学関係連合講演会江上, 木村

1986年4月

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MINIMIZATION OF RESIDUAL STRESS IN SOI FILMS.

Atsushi Ogura, Koji Egami, Masakazu Kimura

Conference on Solid State Devices and Materials 1985年12月

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The extensive characterization of residual stress in SOI structure which consists of various types of interlying insulator and substrate materials produces an unacceptable residual stress in the structure. This stress can be reduced by the performance of underlayers (substrates, insulators) with slightly larger thermal expansion coefficients than that of Si.

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＜100＞texture poly-Si膜を用いたＳＳＩＣ法の試み

応用物理学会, 秋季学術江上, 木村

1985年10月

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ＡＩＮ層間絶縁膜によるＳＯＩ膜の歪低減効果

応用物理学会, 秋季学術講演会江上, 木村

1985年10月

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Minimization of Residual Stress in SOI Films

国際会議, Conference on Solid, State Devices, Materials, K.Egami, M.Kimura

1985年8月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

天然化合物をベースとした水素キャリアに関する研究

研究課題/領域番号：26420258 2014年4月 - 2017年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C)

大下祥雄, 小椋厚志, 高田俊和, 町田英明

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配分額：5070000円（直接経費：3900000円、間接経費：1170000円）

太陽電池を用いて水を電気分解して生成した水素を触媒により天然化合物由来分子へ着脱させ、太陽光エネルギーを分子内部エネルギーとして貯蔵・利用する技術の研究開発を進めた。太陽電池の発電コストの低化と高効率化により、太陽光発電が水を分解して水素を生成するための電源として有望であることが示された。ポリシラン-パラジウム触媒を用いることにより、発生した水素をキノン系分子に効率良く添加できることを示した。さらには、未だ課題は多いもの、水素添加した分子を燃料として燃料電池を用いて発電ができた。

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超薄膜ＧｅおよびＳｉＧｅの極微小領域に導入された歪場のラマン分光法による多軸解析

研究課題/領域番号：24360125 2012年4月 - 2017年3月

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B)

小椋厚志, 廣沢一郎, 小瀬村大亮, 沼澤陽一郎, 澤本直美, 臼田宏治

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配分額：18460000円（直接経費：14200000円、間接経費：4260000円）

ラマン分光法による超薄膜GeおよびSiGeの多軸歪解析を行うためには、(001)後方散乱配置において通常励起される縦光学フォノンの他に、この配置では励起困難な横光学フォノンの取得が不可欠である。我々はこれに対し、高開口数の対物レンズを用いた液浸ラマン分光法を採用することでz偏光成分を効率的に励起し、複数のフォノンの励起に成功した。また、SiGeに関して、歪解析に必要なフォノン変形ポテンシャルを全Ge濃度にわたって初めて明らかにし、次世代チャネル材料候補であるSiGeの複雑な歪場測定を実現した。

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LSIプロセスによりシリコン結晶に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究

研究課題/領域番号：20035012 2008年 - 2009年

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究

小椋厚志

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配分額：5200000円（直接経費：5200000円）

Si LSIデバイスにおいて意図的な歪導入技術(歪Si技術)は効果的に用いられMOSFETの性能向上に貢献している。本研究では、歪の精密分布測定を行うことでデバイス特性向上のための歪Si技術の成熟に貢献することを目的としている。
前年度に引き続きラマン分光測定装置のさらなる高空間分解能化に取り組み、2つの手法で進捗を得た。その一つはピーク分離法である。前年までに圧縮応力ストレスライナーおよび埋め込みSiGeの効果で極めて高い電気特性を持つpMOSFETのチャネル内の歪分布測定し、大きな歪が導入されるメカニズムを明らかにして、デバイス特性との対応を得た。本年は、ラマンスペクトルが本質的に励起光照射領域の情報をすべて含んでいることに着目し、スペクトルからチャネル歪のみを抽出する方法を確立した。この手法により極微細デバイス(ゲート長30nm)のチャネル歪の測定に成功した。結果として約2.5GPaの圧縮応力がpMOSFETのチャネル領域に導入されていることが明らかになった。
ラマン分光測定の高分解能化の第2の手法は液浸レンズの採用である。NAが高いレンズを用いることで空間分解能の向上を達成した。NA=1.4で、b(1/e2の強度のhalf width)=200nmを得た。さらに、高NAレンズを用いることにより、励起レーザのZ偏光成分が増大する。これにより、従来のラマン分光法では不可能であった異性2軸応力評価の可能性を提示した。
本研究ではさらに、Siデバイスで最も重要な構成要素であるSiO2膜に注目した。UV/可視ラマン分光法を用いることにより超平坦SiO2/Si界面の応力評価を行った。極界面近傍ではSiとOの結合状態に起因した圧縮応力を確認した。一方、内部では逆に引っ張り応力であった。これは、SiとSiO2の熱膨張係数差によるものである。
その他各種Si LSIプロセスにおける歪評価を、主にラマン分光法を用いて評価を行い、ラマン分光法の有用性を示すと同時に、プロセス歪に関する様々な知見を得た。

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シリコン最表面の微小領域に導入された結晶歪の精密分布測定に関する研究

研究課題/領域番号：19026013 2007年

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究

小椋厚志, 木村正和

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配分額：2400000円（直接経費：2400000円）

種々のCVD条件で成膜したSiN膜がSi基板に導入する歪とその起源を明らかにした。Si基板全面にSiN膜を成膜し、基板のそりを測定することでSiN膜の内部応力を測定できる。内部応力は成膜条件で種々に制御することができる。そのままではSi基板に導入される歪は小さいが、SiNをパターン状に加工することで飛躍的に大きな歪がSi基板に誘起される。SiN膜下に誘起される歪はSiNの内部応力と逆方向(引っ張り内部応力であれば圧縮歪、圧縮内部応力であれば引っ張り歪)で、その大きさに比例する。また、この歪は、Si基板最表面かつSiNパターンエッジに局在する。その際に、SiNパターンエッジで挟まれた領域には、その間隔が狭ければ狭いほど大きな歪が導入され、歪の方向はSiN下と逆方向、すなわち内部応力の方向と一致する。これが、MOSFETのS/Dに内部応力を持つSiN膜を接触させた際に、チャネルに導入される歪の起源である。
SiN膜の内部応力は、X線反射率測定で得られたSiN膜の密度により異なり、膜密度2.62〜3.07g/cm^3に対して-1300〜1300MPaと両者には相関係数-0.93の線形関係が認められた。SiN膜密度はFTIRで測定した膜中Hの含有量と線形関係にあり、したがってCVD条件の制御でH含有量を変化させることで制御可能である。また熱処理を加えるとHが外方拡散で減少するため密度が変化し、したがってSi基板に導入される歪も変化する。以上より、Si基板に制御された所望の歪を導入し、LSIの高性能化に利用するためには、CVD条件の制御によりSiN膜に取り込まれるHの量を制御し、SiN膜の内部応力を制御することや、SiN成膜後に熱処理を加えることで、膜中H量を制御する方法が有効であることが明らかとなった。

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